
- •Предисловие
- •1. Ивэп для питания электронной аппаратуры
- •1.1. Основные требования к ивэп для питания электронной аппаратуры
- •1.2 Структурная схема ивэп для питания электронной аппаратуры. Классификация электронных трансформаторов
- •1.3 Электронные трансформаторы постоянного напряжения ( тпн )
- •1.3.1 Тпн с насыщающимся силовым трансформатором (схема Ройера)
- •1.3.2 Тпн с насыщающимся управляющим трансформатором (схема Енсена).
- •1.3.3 Узел пуска - форсировки
- •1.3.5 Односторонее насыщение сердечника силового трансформатора
- •1.3.6 Однотактные тпн
- •1.3.7 Выбор схемы тпн и определение ее основных параметров
- •1.3.7.2 Параметры коммутаторов
- •1.3.7.3 Частота промежуточного звена
- •1.3.7.4 Параметры силового трансформатора
- •1.3.7.5 Управляющий трансформатор
- •1.3.7.6 Выбор схемы тпн
- •1.4 Широтно - импульсные преобразователи
- •1.4.1 Понижающий и повышающий преобразователи
- •1.4.2. Полярно - реверсирующий шип
- •1.5.1. Способы соединения шип и тпн
- •1.5.2. Квазипрямоугольный ивэп
- •1.5.3. Прямоходовой преобразователь.
- •1.5.4. Обратноходовой преобразователь
- •1.6. Радиопомехи. Помехоподавляющие фильтры и помехозащитное конструирование
- •1.6.1. Причины радиопомех и их виды
- •1.6.2. Количественные характеристики помех
- •1.6.3. Помехоподавляющие фильтры
- •1.6.4. Расчет фильтра по заданному коэффициенту ослабления n
1.3.2 Тпн с насыщающимся управляющим трансформатором (схема Енсена).
Устранение недостатков схемы Ройера достигается, если разделить функции силового и управляющего трансформаторов. При этом устраняется токовая перегрузка силовых транзисторов, с той, правда, оговоркой, что приняты меры для устранения одностороннего насыщения сердечника силового трансформатора (см.разд.1.3.5). Кроме того, появляется возможность расширить функции управления, организовав обратную связь по напряжению, току или комбинированную.
На рис.1.3-2 приведена
схема с обратной связью по напряжению.
Первичная обмотка управляющего
трансформатора
через резистор
подключена к коллекторной обмотке
силового трансформатора
,
на которой, как и в схеме Ройера, действует
переменное напряжение прямоугольной
формы с амплитудой
.
Ток первичной обмотки
,
(1.3.2)
где
- приведенное к первичной обмотке падение
напряжения
между базой и эмиттером силового
транзистора; величина
составляет около 1В
и почти не зависит от тока базы. Ток
трансформируется во вторичную обмотку
и удерживает во включенном состоянии
один из силовых транзисторов до той
поры, пока не насытится сердечник
управляющего трансформатора. Как только
это произойдет, ток в базе включенного
транзистора падает, что приводит к его
лавинообразному выключению. Далее по
той же причине, что и для преобразователя
Ройера, происходит включение второго
транзистора.
равно падению напряжения
между
Рис. 1.3-2
базой и эмиттером открытого транзистора. Теперь можно записать соотношение, аналогичное (1.3.1)
(1.3.3)
Параметры силового
трансформатора определяются таким
образом, чтобы индукция в его сердечнике
не достигала
.
Недостаток схемы с
обратной связью по напряжению состоит
в следующем. Величину резистора
приходится выбирать настолько малой,
чтобы при максимальном токе нагрузки
и минимальном напряжении питания
обеспечить насыщенное состояние силового
транзистора, Тогда при минимальном токе
нагрузки и максимальном напряжении
питания степень насыщения проводящего
транзистора велика, то есть будет
избыточен расход мощности на управление
и возрастут длительности интервалов
рассасывания неосновных носителей
заряда при выключении транзистора.
Кроме того, потери в резисторе
снижают к.п.д.
управляющего трансформатора
подключена не параллельно первичной
обмотке силового трансформатора
,как
в схеме рис.1.3-2, а последовательно с ней.
С учетом намагничивающего
тока
управляющего трансформатора ток базы
(1.3.4)
Если нагрузка
преобразователя меняется в широких
пределах и, следовательно, ток коллектора
может принимать малые значения,
соизмеримые с
,
то последовательная обратная связь не
обеспечивает насыщения силового
транзистора. Это ведет к преждевременному
переключению транзисторов, когда
нарастающий ток
приблизится к
настолько, что
станет меньше
.
Действительно, в начале положительного
полупериода индукция B, получившаяся в
результате предшествующего полупериода,
отрицательна. Поэтому отрицательный
знак имеют напряженность поляН
и пропорциональный ей ток
(рис.1.3.4), что способствует удержанию
силового транзистора во включенном
состоянии
.
Однако в последующем величины
Н
и
меняют знак и ток базы снижается.
.
Приближенно можно принять амплитуду
намагничивающего тока
,
(1.3.5)
где
- магнитная проницаемость, что соответствует
замене ненасыщенного отрезка петли
гистерезиса пунктирной прямой на
рис.1.3-4.
Еще один недостаток схем с пропорционально - токовым управлением состоит в отсутствии самозащиты от перегрузок по току. Чем больше ток коллектора, тем больше и ток базы, то есть обратная связь при перегрузках стремится удержать транзистор во включенном состоянии и ток короткого замыкания не ограничивается. Для токоограничения используются дополнительные средства. В схеме ИВЭП (рис.1.2-1) эту функцию выполняет широтно - импульсный преобразователь ШИП.
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ:
1. Назовите основное отличие ТПН по схемам Ройера и Енсена с точки зрения состава схемы.
2. Поясните процесс переключения в схеме с насыщающимся управляющим трансформатором.
3. Каким образом установить связь между частотой переключений и параметрами управляющего трансформатора?
4. Сопоставьте преимущества и недостатки вариантов схемы с обратной связью по напряжению и току. Когда целесообразно применять комбинированную обратную связь?
5. Поясните роль намагничивающего тока управляющего трансформатора в формировании тока базы силового транзистора.