- •Предисловие
- •1. Ивэп для питания электронной аппаратуры
- •1.1. Основные требования к ивэп для питания электронной аппаратуры
- •1.2 Структурная схема ивэп для питания электронной аппаратуры. Классификация электронных трансформаторов
- •1.3 Электронные трансформаторы постоянного напряжения ( тпн )
- •1.3.1 Тпн с насыщающимся силовым трансформатором (схема Ройера)
- •1.3.2 Тпн с насыщающимся управляющим трансформатором (схема Енсена).
- •1.3.3 Узел пуска - форсировки
- •1.3.5 Односторонее насыщение сердечника силового трансформатора
- •1.3.6 Однотактные тпн
- •1.3.7 Выбор схемы тпн и определение ее основных параметров
- •1.3.7.2 Параметры коммутаторов
- •1.3.7.3 Частота промежуточного звена
- •1.3.7.4 Параметры силового трансформатора
- •1.3.7.5 Управляющий трансформатор
- •1.3.7.6 Выбор схемы тпн
- •1.4 Широтно - импульсные преобразователи
- •1.4.1 Понижающий и повышающий преобразователи
- •1.4.2. Полярно - реверсирующий шип
- •1.5.1. Способы соединения шип и тпн
- •1.5.2. Квазипрямоугольный ивэп
- •1.5.3. Прямоходовой преобразователь.
- •1.5.4. Обратноходовой преобразователь
- •1.6. Радиопомехи. Помехоподавляющие фильтры и помехозащитное конструирование
- •1.6.1. Причины радиопомех и их виды
- •1.6.2. Количественные характеристики помех
- •1.6.3. Помехоподавляющие фильтры
- •1.6.4. Расчет фильтра по заданному коэффициенту ослабления n
1.3.5 Односторонее насыщение сердечника силового трансформатора
Это негативное явление может возникать во всех двухтактных схемах ТПН, за исключением схемы Ройера, и ведет к иглообразным всплескам тока вида рис.1.3-1,в, но только в один из полупериодов работы схемы. Ввиду большой амплитуды тока транзистор, который проводит в данный полупериод, переходит в активный режим работы, что чревато возможным выходом его из строя. В отличие от схем с обратной связью по напряжению (например, Ройера), у которых выход транзистора в активный режим ведет к его лавинообразному выключению, в других схемах этот режим неконтролируем и может продолжаться до конца полупериода, задаваемого независимой системой управления, либо насыщением сердечника управляющего трансформатора.
Причина одностороннего насыщения сердечника силового трансформатора состоит в асимметрии половин схемы вследствие разброса параметров элементов, главным образом транзисторов. Неодинаковы, например, падения напряжения на проводящих транзисторах, длительности интервалов рассасывания носителей зарядов и т.д. Асимметрия ведет к неодинаковой длительности положительной и отрицательной волн напряжения на первичной обмотке трансформатора, в результате чего появляется постоянная составляющая напряжения. Под ее воздействием рабочая точка на петле гистерезиса начинает перемещаться по несимметричному циклу (на рис.1.3-7,а заштрихован) с заходом в конце волны в насыщенную область, что и ведет к быстрому подъему тока. Кривая тока первичной обмотки трансформатора приобретает такой вид, как показано на рис.1.3-7,б.
1) малость активного сопротивления обмотки, в результате чего постоянная составляющаянамагничивающего тока (его среднее значение) велика;
2) малый наклон насыщенной ветви петли гистерезиса, вследствие чего кривая напряженности поля, а, следовательно, и намагничивающего тока приобретает иглообразный характер с большим соотношением между амплитудным и средним значениями.
В результате совместного действия обоих факторов амплитуда иглообразного всплеска тока в транзисторе может в несколько раз превысить номинальный ток.
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ:
1. Поясните причины одностороннего насыщения сердечника силового трансформатора и последствия, к которым оно ведет.
2. Назовите факторы, повышающие амплитуду тока в транзисторе при одностороннем насыщении сердечника трансформатора.
3. Какие меры применяются для борьбы с односторонним насыщением?
Какая из схем преобразователей обладает естественной нечувствительностью к данному аномальному явлению?