- •1 Корпускулярно-волновой дуализм электромагнитного излучения.
- •2. Стационарное уравнение Шредингера.
- •3 Нестационарное уравнение Шредингера(общее).
- •4. Строение атомов.
- •5. Методы расчета электронной структуры атомов.
- •6. Методы расчета электронной структуры молекул.
- •7. Зонная теория твердого тела.
- •8. Зонная структура металлов.
- •9.Зонная структура полупроводников.
- •10.Зонная структура диэлектриков.
- •11. Собственная проводимость полупроводников.
- •12. Донорные и акцепторные примеси в полупроводниках.
- •13. Термоэлектрические явления в металлах и полупроводниках.
- •14. Сверхпроводимость.
- •15.Электронно-дырочный переход
- •16. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
- •17. Виды пробоев р-n-перехода.
- •18. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости.
- •19. Контакт «металл - полупроводник».
- •20. Физические процессы в структуре с двумя переходами.
- •21. Физические принципы работы полупроводниковых диодов
- •22. Выпрямительные диоды и их основные параметры.
- •23. Импульсные диоды и их основные параметры
- •24 Туннельные диоды и их основные харак-ки
- •25. Обращенные диоды и их основные параметры.
- •26. Диоды Шоттки и их основные параметры.
- •27. Режимы работы биполярных транзисторов.
- •28. Основные параметры биполярных транзисторов.
- •29. Схемы включения биполярных транзисторов.
- •30. Полевые транзисторы и схемы их включения.
- •31. Статические характеристики полевых транзисторов.
- •32. Применение полупроводниковых диодов и транзисторов.
- •33 Интегральные микросхемы
- •34 Фотоэлектрические явления в полупроводниках
- •35. Фоторезисторы и их основные параметры.
- •36 Фотодиоды и их параметры
- •37,38. Лавинные фотодиоды и их применение.
- •39. Многоэлементные фотоприемники.
- •40. Фотоэлементы.
- •41. Фотоэдс.Солнечные батареи.
- •42 Явление радиоактивности
- •43 Α , β, γ-излучение
- •44 Дозы излучения и их единицы
- •45 Активность радиоактивного ве-ва.
- •46 Биологическое действие ионизирующего излучения.
- •47 Физические принципы работы приборов дозиметрического контроля
- •48.Приборы на туннельном эффекте
- •49. Приборы на квантовых ямах
- •50. Низкоразмерные системы
- •51. Квантовые точки
- •52. Квантовые шнуры
- •53.Квантовые плёнки
- •54. Устройства молекулярной электроники : диоды , транзисторы, оптические сенсоры.
- •55.Одноэлектронные транзисторы
- •56.Физические принципы работы оптического волокна
- •Одномодовые оптические волокна
- •Многомодовые типы оптических волокон
- •59 Явление люминесценции в п/п.
- •Инжекционные светодиоды с р-n-переходами
- •61. Светодиоды с антистоксовым люминофором
- •62,63 Источники света с порошкообразным и пленочным
- •64 Когерентные источники и усилители оптического излучения
- •65. Лазеры и их основные параметры.
- •66. Применение лазеров.
- •67. Фотоприемники, основанные на внешнем фотоэффекте.
- •68. Фотоэлектронные умножители.
- •69 Методы счета фотонов
- •72. Сверхпроводниковые фотоприемники для счета фотонов.
- •74. Однофотонные источники излучения.
- •75. Методы регистрации оптических сигналов.
14. Сверхпроводимость.
Зависимость сопротивления от температуры, оказывается, не всегда выража- ется формулой (2.4). Измеряя сопротивление проводников при очень низких темпе- ратурах, голландский физик Х. Камерлинг-Оннес в 1911 г. обнаружил явление, названное позднее сверхпроводимостью. Оказалось, что в некоторых случаях при достаточно низкой температуре сопротивление вещества скачком падает до нуля (табл. 2.1): Таблица 2.1 Значения температуры сверхпроводимости.
Вещество |
Tсверхпров., К |
Таллий |
2,2 |
Кадмий |
3,0 |
Олово |
3,6 |
Ртуть |
4,3 |
Свинец |
7,3 |
Согласно современным представлениям, основной причиной сверхпроводимо- сти является образование связанных (куперовских) пар электронов, благодаря чему электронная жидкость приобретает свойство сверхтекучести. Пары образуются вследствие действия особых сил притяжения между электронами. Обычно это силы, связанные с колебаниями решетки. Кристаллическая решетка даже при абсолютном нуле температур находится в колебательном движении. Благодаря электростатиче- скому взаимодействию зарядов электрона и ионов решетки, в окрестности каждого электрона режим колебания решетки изменяется, что вызывает дополнительные си- лы, действующие на другой электрон. С точки зрения квантовой теории, эти силы появляются вследствие того, что электроны могут обмениваться фононами – кван- тами колебаний решетки. Эти силы всегда соответствуют притяжению и могут пре- вышать непосредственное кулоновское отталкивание электронов. Большая слож- ность взаимодействия частиц в реальных металлах не дает возможность заранее предсказать, в каких металлах можно ожидать преобладания притяжения электро- нов над отталкиванием, т.е. появление сверхпроводимости. Из теоретических сооб- ражений следует, что сверхпроводимость может возникать не только в металлах, но и в полупроводниках. Сверхпроводимость позволяет получить при низких температурах в провод- никах небольшого сечения огромные токи. Поэтому из сверхпроводников изготав- ливаются обмотки сверхмощных электромагнитов, которые охлаждаются жидким гелием до 4 К. Разрабатываются сверхпроводящие кабели для передачи электро- Вещество Tсверхпров., К Таллий 2,2 Кадмий 3,0 Олово 3,6 Ртуть 4,3 Свинец 7,3 32 энергии. Для этих целей подбирают сплавы, позволяющие увеличить температуру перехода в сверхпроводящее состояние. Например, для ниобия Тс = 9 К, у сплава ниобий – олово Тс = 18 К, а для сплава ниобий – германий Тс = 23 К. В 1986 году в Швейцарии Й. Беднорцем и А. Мюллером была открыта сверх- проводимость в медно-оксидных соединениях (купратах) с рекордной по тем време- нам температурой сверхпроводимости Tc порядка 35 K (в абсолютной шкале темпе- ратур или –238° C). В январе 1987 года появилось сообщение о синтезировании в этом же классе соединений сверхпроводников с Tc = 90 K. Сверхпроводники с тем- пературой сверхпроводимости, превышающей температуру кипения жидкого азота T = 77,4 K, принято называть высокотемпературными (ВТСП), для охлаждения ко- торых требуется дешевый жидкий азот, - в отличие от низкотемпературных, для охлаждения которых требуется дорогостоящий жидкий гелий. В настоящее время максимальная температура сверхпроводимости Tc = 138 K получена для ртутных медно-оксидных соединений. Достигнуты определенные успехи и в применении ВТСП в технике: созданы электрические кабели для передачи электроэнергии, гене- раторы и электромоторы, ограничители тока, различные электронные устройства.
