- •1 Корпускулярно-волновой дуализм электромагнитного излучения.
- •2. Стационарное уравнение Шредингера.
- •3 Нестационарное уравнение Шредингера(общее).
- •4. Строение атомов.
- •5. Методы расчета электронной структуры атомов.
- •6. Методы расчета электронной структуры молекул.
- •7. Зонная теория твердого тела.
- •8. Зонная структура металлов.
- •9.Зонная структура полупроводников.
- •10.Зонная структура диэлектриков.
- •11. Собственная проводимость полупроводников.
- •12. Донорные и акцепторные примеси в полупроводниках.
- •13. Термоэлектрические явления в металлах и полупроводниках.
- •14. Сверхпроводимость.
- •15.Электронно-дырочный переход
- •16. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
- •17. Виды пробоев р-n-перехода.
- •18. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости.
- •19. Контакт «металл - полупроводник».
- •20. Физические процессы в структуре с двумя переходами.
- •21. Физические принципы работы полупроводниковых диодов
- •22. Выпрямительные диоды и их основные параметры.
- •23. Импульсные диоды и их основные параметры
- •24 Туннельные диоды и их основные харак-ки
- •25. Обращенные диоды и их основные параметры.
- •26. Диоды Шоттки и их основные параметры.
- •27. Режимы работы биполярных транзисторов.
- •28. Основные параметры биполярных транзисторов.
- •29. Схемы включения биполярных транзисторов.
- •30. Полевые транзисторы и схемы их включения.
- •31. Статические характеристики полевых транзисторов.
- •32. Применение полупроводниковых диодов и транзисторов.
- •33 Интегральные микросхемы
- •34 Фотоэлектрические явления в полупроводниках
- •35. Фоторезисторы и их основные параметры.
- •36 Фотодиоды и их параметры
- •37,38. Лавинные фотодиоды и их применение.
- •39. Многоэлементные фотоприемники.
- •40. Фотоэлементы.
- •41. Фотоэдс.Солнечные батареи.
- •42 Явление радиоактивности
- •43 Α , β, γ-излучение
- •44 Дозы излучения и их единицы
- •45 Активность радиоактивного ве-ва.
- •46 Биологическое действие ионизирующего излучения.
- •47 Физические принципы работы приборов дозиметрического контроля
- •48.Приборы на туннельном эффекте
- •49. Приборы на квантовых ямах
- •50. Низкоразмерные системы
- •51. Квантовые точки
- •52. Квантовые шнуры
- •53.Квантовые плёнки
- •54. Устройства молекулярной электроники : диоды , транзисторы, оптические сенсоры.
- •55.Одноэлектронные транзисторы
- •56.Физические принципы работы оптического волокна
- •Одномодовые оптические волокна
- •Многомодовые типы оптических волокон
- •59 Явление люминесценции в п/п.
- •Инжекционные светодиоды с р-n-переходами
- •61. Светодиоды с антистоксовым люминофором
- •62,63 Источники света с порошкообразным и пленочным
- •64 Когерентные источники и усилители оптического излучения
- •65. Лазеры и их основные параметры.
- •66. Применение лазеров.
- •67. Фотоприемники, основанные на внешнем фотоэффекте.
- •68. Фотоэлектронные умножители.
- •69 Методы счета фотонов
- •72. Сверхпроводниковые фотоприемники для счета фотонов.
- •74. Однофотонные источники излучения.
- •75. Методы регистрации оптических сигналов.
8. Зонная структура металлов.
Металлы
отличаются от диэлектриков и полупроводников
тем, что у них зона проводимости при
температуре абсолютного нуля частично
заполнена. Рассмотрим электрическую
проводимость металлов на основе зонной
теории. У металлов зона проводимости
непосредственно примыкает к валентной
зоне. Поэтому валентные электроны могут
легко разрывать связь с атомами
кристаллической решётки и переходить
в зону проводимости. Тогда они могут
участвовать в направленном движении
под действием внешнего электрического
поля, вызывая электрический ток.
Практически каждый атом металла отдает
в эту зону, по крайней мере, один электрон.
Поскольку число электронов проводимости
не меньше числа атомов, металлы являются
хорошими проводниками электрического
тока в широком интервале температур.
Как уже отмечалось, электроны проводимости
движутся по металлу в поле всех ионов
и электронов и могут перемещаться на
заметные расстояния. Поэтому их можно
рассматривать с хорошей степенью
точности как электронный газ. В состоянии
термодинамического равновесия при
температуре Т ≠ 0 распределение электронов
по энергетическим уровням описывается
статистикой Ферми – Дирака
где pi - вероятность нахождения электрона в квантовом состоянии с энергией Ei; EF - энергия уровня Ферми. Уровень Ферми – некоторый условный уровень энергии электронов в твердом теле, соответствующий значению энергии EF , ниже которой все энергетические уровни при абсолютном нуле температуры заняты, а состояния с энергией Ei > EF - свободны.
Из формулы следует, что при абсолютном нуле температуры все энергетические уровни ниже уровня Ферми заняты электронами, а все уровни выше уровня Ферми свободны (рис. 2.3). Кроме того, для металлов уровень Ферми при T 0 находится в зоне проводимости, а энергия Ферми равна максимальной энергии электрона при T 0 . Часть электронов за счет энергии теплового движения атомов может иметь энергию больше энергии Ферми.
9.Зонная структура полупроводников.
В
том случае, если полностью занятая
электронами зона разделена с ближайшей
разрешенной зоной узкой запрещенной
зоной, то такое вещество является
диэлектриком только при температурах
вблизи абсолютного нуля. При повышении
температуры электроны, которые
локализованы около верхней границы
занятой зоны, могут перейти в верхнюю
вакантную зону. Это требует затраты
энергии, которая не меньше, чем ширина
запрещенной зоны(
).
На рис. 3 изображено расположение
энергетических зон полупроводника и
диэлектрика.
- энергия равная энергии активации
собственной проводимости. Переход
электронов в верхнюю зону ведет к
возникновению собственной проводимости
полупроводников. С ростом температуры
у чистых полупроводников увеличивается
количество электронов, которые перешли
в свободную зону, соответственно,
уменьшается сопротивление полупроводника.
Переход электронов в свободную зону
образует в заполненной зоне вакантные
места. В так образуются дырки. При
воздействии поля или нагревании на
места дырок могут переходить другие
электроны.
