- •1 Корпускулярно-волновой дуализм электромагнитного излучения.
- •2. Стационарное уравнение Шредингера.
- •3 Нестационарное уравнение Шредингера(общее).
- •4. Строение атомов.
- •5. Методы расчета электронной структуры атомов.
- •6. Методы расчета электронной структуры молекул.
- •7. Зонная теория твердого тела.
- •8. Зонная структура металлов.
- •9.Зонная структура полупроводников.
- •10.Зонная структура диэлектриков.
- •11. Собственная проводимость полупроводников.
- •12. Донорные и акцепторные примеси в полупроводниках.
- •13. Термоэлектрические явления в металлах и полупроводниках.
- •14. Сверхпроводимость.
- •15.Электронно-дырочный переход
- •16. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
- •17. Виды пробоев р-n-перехода.
- •18. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости.
- •19. Контакт «металл - полупроводник».
- •20. Физические процессы в структуре с двумя переходами.
- •21. Физические принципы работы полупроводниковых диодов
- •22. Выпрямительные диоды и их основные параметры.
- •23. Импульсные диоды и их основные параметры
- •24 Туннельные диоды и их основные харак-ки
- •25. Обращенные диоды и их основные параметры.
- •26. Диоды Шоттки и их основные параметры.
- •27. Режимы работы биполярных транзисторов.
- •28. Основные параметры биполярных транзисторов.
- •29. Схемы включения биполярных транзисторов.
- •30. Полевые транзисторы и схемы их включения.
- •31. Статические характеристики полевых транзисторов.
- •32. Применение полупроводниковых диодов и транзисторов.
- •33 Интегральные микросхемы
- •34 Фотоэлектрические явления в полупроводниках
- •35. Фоторезисторы и их основные параметры.
- •36 Фотодиоды и их параметры
- •37,38. Лавинные фотодиоды и их применение.
- •39. Многоэлементные фотоприемники.
- •40. Фотоэлементы.
- •41. Фотоэдс.Солнечные батареи.
- •42 Явление радиоактивности
- •43 Α , β, γ-излучение
- •44 Дозы излучения и их единицы
- •45 Активность радиоактивного ве-ва.
- •46 Биологическое действие ионизирующего излучения.
- •47 Физические принципы работы приборов дозиметрического контроля
- •48.Приборы на туннельном эффекте
- •49. Приборы на квантовых ямах
- •50. Низкоразмерные системы
- •51. Квантовые точки
- •52. Квантовые шнуры
- •53.Квантовые плёнки
- •54. Устройства молекулярной электроники : диоды , транзисторы, оптические сенсоры.
- •55.Одноэлектронные транзисторы
- •56.Физические принципы работы оптического волокна
- •Одномодовые оптические волокна
- •Многомодовые типы оптических волокон
- •59 Явление люминесценции в п/п.
- •Инжекционные светодиоды с р-n-переходами
- •61. Светодиоды с антистоксовым люминофором
- •62,63 Источники света с порошкообразным и пленочным
- •64 Когерентные источники и усилители оптического излучения
- •65. Лазеры и их основные параметры.
- •66. Применение лазеров.
- •67. Фотоприемники, основанные на внешнем фотоэффекте.
- •68. Фотоэлектронные умножители.
- •69 Методы счета фотонов
- •72. Сверхпроводниковые фотоприемники для счета фотонов.
- •74. Однофотонные источники излучения.
- •75. Методы регистрации оптических сигналов.
6. Методы расчета электронной структуры молекул.
Различные
состояния электрона в атоме обозначают
малыми буквами латинского алфавита в
зависимости от значения орбитального
квантового числа l. Электрон, находящийся
в состояниях с l = 0,1,2,… называется
соответственно s-, p-, d- электроном и т.д.
Значение главного квантового числа n
указывают перед символом состояния с
данным l: электрон в квантовом состоянии
с n = 1 и l = 0 обозначают символом 1s, при n
= 2 и l = 0 − 2s, при n = 2 и l = 1 − 2p и т.д. В
квантовой механике доказывается, что
уравнению Шредингера удовлетворяют
собственные функции
, определяемые набором четырех квантовых
чи- сел: главного n, орбитального l,
магнитного m и спинового
.
Кроме орбитального момента импульса
электрон обладает и собственным
механическим моментом им- пульса
,
который называется спином. Спин и его
проекция на ось
также
имеют дискретный характер. Аналогично
модулю момента импульса.
где
s – спиновое квантовое число, s=1/2. Проекция
спина равна
Совокупность электронов в многоэлектронном атоме, имеющих одно и то же главное квантовое число n, называется электронной оболочкой или слоем. В каждой из оболочек электроны распределяются по подоболочкам, соответствующим данному значению l. В многоэлектронном атоме состояние каждого электрона также представляют указанным набором четырех квантовых чисел. При этом состояния электронов определяются принципом Паули: в атоме не может быть двух электронов, находящихся в одинаковых состояниях, то есть имеющих одинаковые наборы квантовых чисел. Принцип Паули позволяет определить максимальное число электронов, которые составляют оболочки и подоболочки.
Максимальное число N2 (n, l, ml) электронов, находящихся в состояниях, описываемых набором трех квантовых чисел n, l и ml, и отличающихся только ориентацией спинов электронов равно: N2 (n, l, ml) = 2,
ибо спиновое квантовое число может принимать лишь два значения 1/2 и –1/2. Максимальное число N3 (n, l) электронов, находящихся в состояниях, определяемых двумя квантовыми числами n и l: N3 (n, l) = 2(2l + 1). Максимальное число электронов N4 (n), находящихся в состояниях, определяемых значением главного квантового числа n, равно:
Таким образом, в каждой из оболочек атома может иметься не более двух s- электронов (l = 0), шести р-электронов (l = 1), десяти d- электронов (l = 2) и т. Д
Заполнение электронных оболочек происходит в соответствии с возрастанием энергии состояний и принципом Паули. Два электрона атома гелия занимают первую оболочку (n = 1, l = 0) и отличаются только ориентацией спинов. Распределение электронов по состояниям называют электронной конфигурацией. Для атома Не ее можно записать в виде 1s². где верхний индекс указывает количество s-электронов. Третий электрон атома Li не может разместиться на первой оболочке и занимает 2s–состояние, так как 2р- состояние имеет более высокую энергию. Электронная конфигурация атома углерода с 6 электронами имеет вид 1s²2s²2р² . Завершается заполнение второй оболочки у атома неона, обладающего 10 электронами (1s²2s²2р⁶ ). Такие оболочки называются замкнутыми.
Многие физические и химические свойства атомов определяются его электронной конфигурацией внешней оболочки. Так атомы благородных газов He, Ne и др. имеют заполненные оболочки, в которых электроны прочно связаны. Поэтому, указанные атомы не вступают в химические реакции. Атомы щелочных металлов (Li, Na и др.), имеющие по одному электрону на внешней оболочке, по сравнению с другими элементами легко его теряют, образуя положительные ионы. Атомы фтора, хлора и других галогенов, наоборот, более способны присоединять дополнительный электрон, достраивая внешнюю оболочку до замкнутой, и превращаясь в отрицательный ион. В микроэлектронике широко используются полупроводниковые материалы на базе кремния и германия. У атомов кремния электронная конфигурация записывается в виде 1s²2s²2р⁶3s²3р² , у германия 1s²2s²2р⁶3s²3р⁶3d¹⁰4s²4р² . Эти атомы имеют валентность, равную четырем.
