- •1 Корпускулярно-волновой дуализм электромагнитного излучения.
- •2. Стационарное уравнение Шредингера.
- •3 Нестационарное уравнение Шредингера(общее).
- •4. Строение атомов.
- •5. Методы расчета электронной структуры атомов.
- •6. Методы расчета электронной структуры молекул.
- •7. Зонная теория твердого тела.
- •8. Зонная структура металлов.
- •9.Зонная структура полупроводников.
- •10.Зонная структура диэлектриков.
- •11. Собственная проводимость полупроводников.
- •12. Донорные и акцепторные примеси в полупроводниках.
- •13. Термоэлектрические явления в металлах и полупроводниках.
- •14. Сверхпроводимость.
- •15.Электронно-дырочный переход
- •16. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
- •17. Виды пробоев р-n-перехода.
- •18. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости.
- •19. Контакт «металл - полупроводник».
- •20. Физические процессы в структуре с двумя переходами.
- •21. Физические принципы работы полупроводниковых диодов
- •22. Выпрямительные диоды и их основные параметры.
- •23. Импульсные диоды и их основные параметры
- •24 Туннельные диоды и их основные харак-ки
- •25. Обращенные диоды и их основные параметры.
- •26. Диоды Шоттки и их основные параметры.
- •27. Режимы работы биполярных транзисторов.
- •28. Основные параметры биполярных транзисторов.
- •29. Схемы включения биполярных транзисторов.
- •30. Полевые транзисторы и схемы их включения.
- •31. Статические характеристики полевых транзисторов.
- •32. Применение полупроводниковых диодов и транзисторов.
- •33 Интегральные микросхемы
- •34 Фотоэлектрические явления в полупроводниках
- •35. Фоторезисторы и их основные параметры.
- •36 Фотодиоды и их параметры
- •37,38. Лавинные фотодиоды и их применение.
- •39. Многоэлементные фотоприемники.
- •40. Фотоэлементы.
- •41. Фотоэдс.Солнечные батареи.
- •42 Явление радиоактивности
- •43 Α , β, γ-излучение
- •44 Дозы излучения и их единицы
- •45 Активность радиоактивного ве-ва.
- •46 Биологическое действие ионизирующего излучения.
- •47 Физические принципы работы приборов дозиметрического контроля
- •48.Приборы на туннельном эффекте
- •49. Приборы на квантовых ямах
- •50. Низкоразмерные системы
- •51. Квантовые точки
- •52. Квантовые шнуры
- •53.Квантовые плёнки
- •54. Устройства молекулярной электроники : диоды , транзисторы, оптические сенсоры.
- •55.Одноэлектронные транзисторы
- •56.Физические принципы работы оптического волокна
- •Одномодовые оптические волокна
- •Многомодовые типы оптических волокон
- •59 Явление люминесценции в п/п.
- •Инжекционные светодиоды с р-n-переходами
- •61. Светодиоды с антистоксовым люминофором
- •62,63 Источники света с порошкообразным и пленочным
- •64 Когерентные источники и усилители оптического излучения
- •65. Лазеры и их основные параметры.
- •66. Применение лазеров.
- •67. Фотоприемники, основанные на внешнем фотоэффекте.
- •68. Фотоэлектронные умножители.
- •69 Методы счета фотонов
- •72. Сверхпроводниковые фотоприемники для счета фотонов.
- •74. Однофотонные источники излучения.
- •75. Методы регистрации оптических сигналов.
64 Когерентные источники и усилители оптического излучения
Современные оптические волокна обладают высокой прозрачностью, так как наиболее часто изготавливаются из кварца, который имеет слабую поглощающую способность в видимом и ближнем инфракрасном диапазоне длин волн, но все-таки прохождение оптического излучения через оптическое волокно приводит к ослаблению интенсивности и изменению формы оптического импульса из-за дисперсии.
Зависимость интенсивности изучения I от пройденного расстояния в оптическом волокне L определяется следующим выражением: I=I0exp (-αL)
где I0 – интенсивность оптического излучения на входе оптического волокна, α – линейный коэффициент поглощения оптического излучения в волокне.
Поэтому при передаче оптических сигналов на большие расстояния возникает необходимость их усиления и восстановления формы импульсов. Для этих целей используют повторители и усилители оптических сигналов. Повторитель сначала преобразует оптический сигнал в электрический, затем усиливает и регенерирует его, после чего преобразует его обратно в оптический сигнал. Оптический усилитель в отличии от повторителя не осуществляет оптоэлектронного преобразования, а сразу производит усиление оптического сигнала, причем усиливает как входной сигнал так и входной шум, кроме того, вносит собственный шум в выходной сигнал. Оптические усилители имеют ряд преимуществ перед повторителями:
более просты и дешевы чем повторители, за счет меньшего числа компонентов;
имеют более высокую надежность, чем повторители, это важно, например при прокладке подводных волоконных оптических линий связи;
оптические усилители не привязаны к скорости передачи, в то время как повторители изготавливаются для работы на определенных скоростях;
повторитель работает с одним сигналом, а усилитель может работать с несколькими оптическими сигналами с разными длинными волн (многоволновое уплотнение WDM). Это позволяет наращивать пропускную способность линии связи без добавления новых оптических волокон.
Оптические усилители:
Усилители Фабри-Перо
Усилители на волокне, использующие бриллюэновское рассеивание
Усилители на волокне, использующие рамановское рассеивание
Полупроводниковые лазерные усилители
Генераторы сигналов
65. Лазеры и их основные параметры.
ЛАЗЕР (оптический квантовый генератор, аббревиатура слов англ. фразы: Light Ampflication by Stimulated Emission of Radiation, что означает "усиление света вынужденным излучением") - устройство, преобразующее разл. виды энергии (электрическую, световую, химическую, тепловую и т. д.) в энергию когерентного электромагнитного излучения оптического диапазона.
Основные параметры и характеристики полупроводниковых лазеров
Ватт-амперная
характеристика
– зависимость мощности излучения от
тока накачки.
На типичной ватт-амперной характеристике гетеролазера можно выделить три участка:
светодиодный режим – участок, на котором преобладает спонтанное излучение, смещение структуры еще не велико и инверсная населенность не достигнута. Лазер в этом режиме аналогичен светодиоду с торцевым выходом излучения;
режим суперлюминесценции – доля индуцированных переходов уже сравнима с величиной спонтанного излучения;
режим лазерной генерации – мощность излучения на этом участке существенно выше, чем на первых двух, а зависимость мощности излучения от силы тока практически линейна.
Спектральная характеристика – зависимость мощности излучения от длины волны; определяется током накачки (режимом работы лазера).
В
светодиодном режиме ширина спектра
максимальна, а сама кривая имеет гладкий
непрерывный характер.
При
приближении величины тока накачки к
Iпор
(соответствует режиму суперлюминесценции),
ширина спектра существенно уменьшается.
В
режиме лазерной генерации кривая имеет
ярко выраженные спектры отдельных мод,
возникающие из-за неидеальности
оптического резонатора. Ширина спектра
при этом обычно не превышает нескольких
нанометров, а ширина спектральной линии
отдельной моды менее 0,01 нм.
П
о
виду спектральной характеристики лазеры
подразделяются на: – одномодовые
– основная мощность излучается на одной
моде, а все остальные имеют существенно
меньшую амплитуду;
–
многомодовые
– имеется несколько мод излучения,
сравнимых по амплитуде. Частотная
характеристика
– зависимость значения амплитуды
импульса оптического излучения от
частоты модуляции.
Резонансный характер АЧХ лазера объясняется тем, что рост концентрации носителей в активной области, вызванный увеличением модулирующего тока, происходит с некоторой задержкой.
Повышение концентрации вызывает рост рекомбинационного излучения, которое, опять с задержкой, увеличивает индуцированную рекомбинацию, что приводит к падению концентрации носителей.
Наличие задержек приводит к переходу через равновесное состояние и процесс становится колебательным – явление электрон-фотонного резонанса.
Переходная характеристика – характеризует импульсный режим работы; из-за явления электрон-фотонного резонанса имеет релаксационные колебания.
Ток смещения желательно поддерживать возможно ближе к пороговому для уменьшения времени переходных процессов и повышения быстродействия.
При импульсной модуляции даже лазеры, стационарное излучение которых является одномодовым, оказываются многомодовыми в течение нескольких наносекунд при импульсном переходе через порог лазерной генерации.
