- •1 Корпускулярно-волновой дуализм электромагнитного излучения.
- •2. Стационарное уравнение Шредингера.
- •3 Нестационарное уравнение Шредингера(общее).
- •4. Строение атомов.
- •5. Методы расчета электронной структуры атомов.
- •6. Методы расчета электронной структуры молекул.
- •7. Зонная теория твердого тела.
- •8. Зонная структура металлов.
- •9.Зонная структура полупроводников.
- •10.Зонная структура диэлектриков.
- •11. Собственная проводимость полупроводников.
- •12. Донорные и акцепторные примеси в полупроводниках.
- •13. Термоэлектрические явления в металлах и полупроводниках.
- •14. Сверхпроводимость.
- •15.Электронно-дырочный переход
- •16. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
- •17. Виды пробоев р-n-перехода.
- •18. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости.
- •19. Контакт «металл - полупроводник».
- •20. Физические процессы в структуре с двумя переходами.
- •21. Физические принципы работы полупроводниковых диодов
- •22. Выпрямительные диоды и их основные параметры.
- •23. Импульсные диоды и их основные параметры
- •24 Туннельные диоды и их основные харак-ки
- •25. Обращенные диоды и их основные параметры.
- •26. Диоды Шоттки и их основные параметры.
- •27. Режимы работы биполярных транзисторов.
- •28. Основные параметры биполярных транзисторов.
- •29. Схемы включения биполярных транзисторов.
- •30. Полевые транзисторы и схемы их включения.
- •31. Статические характеристики полевых транзисторов.
- •32. Применение полупроводниковых диодов и транзисторов.
- •33 Интегральные микросхемы
- •34 Фотоэлектрические явления в полупроводниках
- •35. Фоторезисторы и их основные параметры.
- •36 Фотодиоды и их параметры
- •37,38. Лавинные фотодиоды и их применение.
- •39. Многоэлементные фотоприемники.
- •40. Фотоэлементы.
- •41. Фотоэдс.Солнечные батареи.
- •42 Явление радиоактивности
- •43 Α , β, γ-излучение
- •44 Дозы излучения и их единицы
- •45 Активность радиоактивного ве-ва.
- •46 Биологическое действие ионизирующего излучения.
- •47 Физические принципы работы приборов дозиметрического контроля
- •48.Приборы на туннельном эффекте
- •49. Приборы на квантовых ямах
- •50. Низкоразмерные системы
- •51. Квантовые точки
- •52. Квантовые шнуры
- •53.Квантовые плёнки
- •54. Устройства молекулярной электроники : диоды , транзисторы, оптические сенсоры.
- •55.Одноэлектронные транзисторы
- •56.Физические принципы работы оптического волокна
- •Одномодовые оптические волокна
- •Многомодовые типы оптических волокон
- •59 Явление люминесценции в п/п.
- •Инжекционные светодиоды с р-n-переходами
- •61. Светодиоды с антистоксовым люминофором
- •62,63 Источники света с порошкообразным и пленочным
- •64 Когерентные источники и усилители оптического излучения
- •65. Лазеры и их основные параметры.
- •66. Применение лазеров.
- •67. Фотоприемники, основанные на внешнем фотоэффекте.
- •68. Фотоэлектронные умножители.
- •69 Методы счета фотонов
- •72. Сверхпроводниковые фотоприемники для счета фотонов.
- •74. Однофотонные источники излучения.
- •75. Методы регистрации оптических сигналов.
Многомодовые типы оптических волокон
К многомодовому типу оптических волокон относятся такие волокна, в кото- рых может распространяться одновременно большое число мод - лучей, введенных в него под разными углами.
Основным не- достатком такого волокна является наличие межмодовой дисперсии сигнала, возни- кающей из-за того, что разные моды проходят в волокне разный оптический путь.
Дисперсия – это рассеяние во времени спектральных или модовых составляющих оптического сигнала, которое приводит к увеличению длительности импульса оптического излучения при распространении его по волокну, «размыванию» фронтов импульсов.
С увеличением дисперсии исчезают паузы между соседними импульсами, и передача данных становится невозможной.
Дисперсия определяется
разностью квадратов длительности
импульсов на выходе τвых
и на входе τвх
волокна: (
)
Дисперсия ограничивает частотный диапазон оптического волокна и суще- ственно снижает дальность передачи сигналов, так как чем длиннее волокно, тем больше увеличение длительности оптических импульсов. Дисперсия определяется следующими факторами:
различие скоростей распространения направляющих мод;
направляющими свойствами оптического волокна;
свойствами материала оптического волокна. Причинами возникновения дисперсии являются:
большое число мод в волокне (межмодовая дисперсия);
некогерентность источников излучения, имеющих ширину спектра из- лучения ∆λ (хроматическая дисперсия).
Одним из важных параметров,
характеризующим оптическое волокно и
рас- пространяющееся по нему оптическое
излучение, является нормированная
частота V, которая
определяется
как:
где d1
– диаметр сердечника
волокна, n1 -
показатель преломления сердечника, n2
- показатель
преломления оболочки, λ
– длина волны оптического
излучения. При помощи V
можно определить
количество мод, распространяющихся в
ступенчатом оптическом волокне по
следующей формуле:
Для увеличения полосы пропускания многомодовых оптических волокон, необходимо уменьшать их модовую дисперсию. Для этого применяют многомодовые оптических волокна, у которых профиль показателя преломления сердечника изменяется по закону, близкому к параболе.
Рис. 1.Параболический профиль показателя преломления и траектория ме- ридионального луча в градиентном волокне
Применение градиентного профиля показателя преломления позволяет на по- рядок и более уменьшить величину межмодовой дисперсии. В этом случае ограни- чивают полосу пропускания градиентных многомодовых и одномодовых оптиче- ских волокон.
Количество распространяющихся мод в градиентном оптическом волокне определяется по следующей формуле:
59 Явление люминесценции в п/п.
Источники некогерентного излучения могут быть двух основных типов, име- ющих различные свойства. Это тепловые источники излучения, создаваемые нагре- тыми телами, их интенсивность и спектральное распределение излучения определя- ются формулой Планка.И люминесцентные.
Люминесце́нция— нетепловое свечение вещества, происходящее после поглощения им энергии возбуждения.
При люминесценции энергия, необходимая для излучения, может подводиться к телу любым нетепловым способом (облучением фотонами или электронами, дей- ствием электрического поля и т.д.).
Соответственно различают фотолюминесценцию, катодолюминесценцию, электролюминесценцию и другие виды люминесценции.
Обычно люминесценция наблюдается при комнатной и более низкой темпера- туре, при которой тепловое излучение очень мало и все видимое излучение является люминесценцией.
В общем случае при данной температуре излучение может складываться из теплового и люминесцентного.
Рис:
энергетическая схема электронных
переходов, происходящих при поглощении
энергии полупроводником.
Междузонные переходы 1 (рис.) наиболее вероятны в материалах с прямыми зонами.
Излучательные переходы с уча- стием примесных уровней (2, 3, 4) возможны в материалах с прямыми и непрямыми зонами. Примеси, дефекты или их комплексы, которые образуют подобные уровни, называют центрами свечения.
При низких температурах и высоких уровнях возбуждения может проявиться люминесценция, связанная с рекомбинацией через экситонные состояния (переход 5).
Безызлучательные переходы через уровни центров тушения показаны на рис. 2.2 штриховыми линиями (переход 7).
Другой возможностью превращения энергии возбуждения не в энергию излу- чения, а в тепловую энергию, являются так называемые Оже-процессы
Соотношение между числом излучательных и безызлучательных переходов отражается значением внутреннего квантового выхода люминесценции ηк, который является важной характеристикой процесса преобразования подведенной энергии в излучение.
Так как не все фотоны выходят из устройства, излучатель часто характеризу- ют внешним квантовым выходом ηке = ηкК0, где множитель К0 учитывает потери, связанные с отражением и поглощением света
Квантовый выход ηке уменьшается с ростом температуры
Излучение различных центров люминесценции может происходить самопро- извольно и независимо от других центров.
