- •1 Корпускулярно-волновой дуализм электромагнитного излучения.
- •2. Стационарное уравнение Шредингера.
- •3 Нестационарное уравнение Шредингера(общее).
- •4. Строение атомов.
- •5. Методы расчета электронной структуры атомов.
- •6. Методы расчета электронной структуры молекул.
- •7. Зонная теория твердого тела.
- •8. Зонная структура металлов.
- •9.Зонная структура полупроводников.
- •10.Зонная структура диэлектриков.
- •11. Собственная проводимость полупроводников.
- •12. Донорные и акцепторные примеси в полупроводниках.
- •13. Термоэлектрические явления в металлах и полупроводниках.
- •14. Сверхпроводимость.
- •15.Электронно-дырочный переход
- •16. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
- •17. Виды пробоев р-n-перехода.
- •18. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости.
- •19. Контакт «металл - полупроводник».
- •20. Физические процессы в структуре с двумя переходами.
- •21. Физические принципы работы полупроводниковых диодов
- •22. Выпрямительные диоды и их основные параметры.
- •23. Импульсные диоды и их основные параметры
- •24 Туннельные диоды и их основные харак-ки
- •25. Обращенные диоды и их основные параметры.
- •26. Диоды Шоттки и их основные параметры.
- •27. Режимы работы биполярных транзисторов.
- •28. Основные параметры биполярных транзисторов.
- •29. Схемы включения биполярных транзисторов.
- •30. Полевые транзисторы и схемы их включения.
- •31. Статические характеристики полевых транзисторов.
- •32. Применение полупроводниковых диодов и транзисторов.
- •33 Интегральные микросхемы
- •34 Фотоэлектрические явления в полупроводниках
- •35. Фоторезисторы и их основные параметры.
- •36 Фотодиоды и их параметры
- •37,38. Лавинные фотодиоды и их применение.
- •39. Многоэлементные фотоприемники.
- •40. Фотоэлементы.
- •41. Фотоэдс.Солнечные батареи.
- •42 Явление радиоактивности
- •43 Α , β, γ-излучение
- •44 Дозы излучения и их единицы
- •45 Активность радиоактивного ве-ва.
- •46 Биологическое действие ионизирующего излучения.
- •47 Физические принципы работы приборов дозиметрического контроля
- •48.Приборы на туннельном эффекте
- •49. Приборы на квантовых ямах
- •50. Низкоразмерные системы
- •51. Квантовые точки
- •52. Квантовые шнуры
- •53.Квантовые плёнки
- •54. Устройства молекулярной электроники : диоды , транзисторы, оптические сенсоры.
- •55.Одноэлектронные транзисторы
- •56.Физические принципы работы оптического волокна
- •Одномодовые оптические волокна
- •Многомодовые типы оптических волокон
- •59 Явление люминесценции в п/п.
- •Инжекционные светодиоды с р-n-переходами
- •61. Светодиоды с антистоксовым люминофором
- •62,63 Источники света с порошкообразным и пленочным
- •64 Когерентные источники и усилители оптического излучения
- •65. Лазеры и их основные параметры.
- •66. Применение лазеров.
- •67. Фотоприемники, основанные на внешнем фотоэффекте.
- •68. Фотоэлектронные умножители.
- •69 Методы счета фотонов
- •72. Сверхпроводниковые фотоприемники для счета фотонов.
- •74. Однофотонные источники излучения.
- •75. Методы регистрации оптических сигналов.
Одномодовые оптические волокна
К одномодовому типу оптических
волокон относятся такие волокна, в кото-
рых может распространяться только одна
мода, сформированная оптическим излу-
чением. Для обеспечения одномодового
режима работы также необходимо выполнение
условия:
n
а) б)
Рис. 1.5 Вид профиля показателя преломления одномодовых оптических волокон
Существенным недостатком этого полотна является высокая чувствительность к изгибам.
Потеря излучения при изгибе волокна обусловлена 2умя причинами:
1 Мощность излучения теряется непосредственно в изогнутом волокне в следствии того, что в изогнутом полотне периферийная часть моды излучается в оболочку волокна и теряется.
2 Величина этих потерь пропорциональна числу витков изогнутого волокна и обратно пропорциональна радиусу его изгиба.
К увеличению оптических потерь приводят микроизгибы, которые могут появлятся при многослойной намотке волокна с большим напряжением.
Оптические потери возникают также в следствии соединения прямого и изогнутого волокна так как в изогнутом волокне центр модового пятна смещен относительно оси волокна, зависящей от радиуса изгиба волокна.
В результате модовые пятна прямого и изогнутого волокна в месте их соединения , оказываются смещенными друг относительно друга и только часть мощности излучения передается в волкно, а остальная мощность теряется.
Для снижения влияния изгибов на потерю излучения стандартное волокно усовершенствовали.
Такое волокно имеет более сложный профиль вокруг сердечника имеется две оболочки с разными показателями преломления (рис б).
Поперечное сечение одномодовых оптических волокон в стандартном исполнении (рис а) и со специальной обсолютно нулевой дисперсии (рис б).
Для рисунка А (Dм = 10, Dб = 240), для Б (Dм = 10, Dс = 125, Dб = 240)
а) б)
Рис. 1.6 Поперечное сечение одномодовых оптических волокон:
а) стандартное однородное оптическое волокно для 1,3 мкм;
б) одно-ое опт. волокно со смещенной в область 1,55 мкм нулевой дисперсией.
Коэффициент затухания в оптическом волокне обуславливается собственными потерями в волокне, потерями на изгибах и микроизгибах.
Собственные потери вызваны рассеянием излучения на неоднородностях оптического волокна и поглощением излучения:
α = αрел + αсер + αуф + αик + αприм + αОН,
где αрел – потери на релеевское рассеяние излучения на микронеоднородностях в во- локне, размер которых меньше длины волны оптического излучения, в результате чего может измениться угол распространения и излучение может выйти из волокна;
αсер – «серые» потери на рассеяние (когда размер неоднородностей в волокне боль- ше длины волны оптического излучения);
αуф – поглощение в ультрафиолетовой ча- сти спектра, обусловленное электронными полосами поглощения материала волок- на;
αик – фононное поглощение в ИК-области спектра, связанное с колебаниями хи- мических связей компонентов стекла;
αприм – поглощение, вызванное примесями металлов;
αОН – поглощение, обусловленное гидроксильными ионами ОН, присут- ствующими в стекле.
Релеевское рассеяние принципиально неустранимо, определяет низший уро- вень оптических потерь в материале волокна, увеличивается с ростом концентрации легирующих примесей и зависит от их типа. Коэффициент релеевского рассеяния сильно зависит от длины волны распространяющегося излучения:
αрел = Кλ–4,
где К – коэффициент группы (ОН-).
