- •1 Корпускулярно-волновой дуализм электромагнитного излучения.
- •2. Стационарное уравнение Шредингера.
- •3 Нестационарное уравнение Шредингера(общее).
- •4. Строение атомов.
- •5. Методы расчета электронной структуры атомов.
- •6. Методы расчета электронной структуры молекул.
- •7. Зонная теория твердого тела.
- •8. Зонная структура металлов.
- •9.Зонная структура полупроводников.
- •10.Зонная структура диэлектриков.
- •11. Собственная проводимость полупроводников.
- •12. Донорные и акцепторные примеси в полупроводниках.
- •13. Термоэлектрические явления в металлах и полупроводниках.
- •14. Сверхпроводимость.
- •15.Электронно-дырочный переход
- •16. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
- •17. Виды пробоев р-n-перехода.
- •18. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости.
- •19. Контакт «металл - полупроводник».
- •20. Физические процессы в структуре с двумя переходами.
- •21. Физические принципы работы полупроводниковых диодов
- •22. Выпрямительные диоды и их основные параметры.
- •23. Импульсные диоды и их основные параметры
- •24 Туннельные диоды и их основные харак-ки
- •25. Обращенные диоды и их основные параметры.
- •26. Диоды Шоттки и их основные параметры.
- •27. Режимы работы биполярных транзисторов.
- •28. Основные параметры биполярных транзисторов.
- •29. Схемы включения биполярных транзисторов.
- •30. Полевые транзисторы и схемы их включения.
- •31. Статические характеристики полевых транзисторов.
- •32. Применение полупроводниковых диодов и транзисторов.
- •33 Интегральные микросхемы
- •34 Фотоэлектрические явления в полупроводниках
- •35. Фоторезисторы и их основные параметры.
- •36 Фотодиоды и их параметры
- •37,38. Лавинные фотодиоды и их применение.
- •39. Многоэлементные фотоприемники.
- •40. Фотоэлементы.
- •41. Фотоэдс.Солнечные батареи.
- •42 Явление радиоактивности
- •43 Α , β, γ-излучение
- •44 Дозы излучения и их единицы
- •45 Активность радиоактивного ве-ва.
- •46 Биологическое действие ионизирующего излучения.
- •47 Физические принципы работы приборов дозиметрического контроля
- •48.Приборы на туннельном эффекте
- •49. Приборы на квантовых ямах
- •50. Низкоразмерные системы
- •51. Квантовые точки
- •52. Квантовые шнуры
- •53.Квантовые плёнки
- •54. Устройства молекулярной электроники : диоды , транзисторы, оптические сенсоры.
- •55.Одноэлектронные транзисторы
- •56.Физические принципы работы оптического волокна
- •Одномодовые оптические волокна
- •Многомодовые типы оптических волокон
- •59 Явление люминесценции в п/п.
- •Инжекционные светодиоды с р-n-переходами
- •61. Светодиоды с антистоксовым люминофором
- •62,63 Источники света с порошкообразным и пленочным
- •64 Когерентные источники и усилители оптического излучения
- •65. Лазеры и их основные параметры.
- •66. Применение лазеров.
- •67. Фотоприемники, основанные на внешнем фотоэффекте.
- •68. Фотоэлектронные умножители.
- •69 Методы счета фотонов
- •72. Сверхпроводниковые фотоприемники для счета фотонов.
- •74. Однофотонные источники излучения.
- •75. Методы регистрации оптических сигналов.
55.Одноэлектронные транзисторы
Транзистор, одноэлектронный представляет собой переключающае устройство , способное разделять или соединять электронную цепь за счёт движения единичного электрона . Аналогично полевому полупроводниковому транзистору, одноэлектронный транзистор имеет три электрода: исток, сток и затвор. Принципиальным отличием одноэлектронного транзистора от классиче- ского полевого полупроводникового транзистора является то, что линейные разме- ры канала между стоком и истоком лежат в нанодиапазоне, обусловливая проявле- ние квантово-размерных эффектов. Кроме того, одноэлектронный транзистор не усиливает текущий ток, а только управляет переходом электронов, поэтому пра- вильнее было бы называть его переключателем.
56.Физические принципы работы оптического волокна
Оптическое волокно в настоящее время считается самой совершенной физиче- ской средой для передачи информации, а также передачи больших потоков инфор- мации на значительные расстояния.
Ход лучей в оптическом волокне
Поперечное сечение оптического волокна представляет собой внутренний круг – сердечник и окружающий его слой – оболочку. Для направляющей среды, в которой могут распространяться электромагнитные колебания оптического диапа- зона частот (порядка 1014 Гц), необходимо, чтобы сердечник и оболочка обладали разной величиной показателей преломления – сердечника n1, оболочки – n2 и при этом n1 > n2. На рис. показано оптическое волокно в разрезе (сечение проведено через ось цилиндра). На вход волокна под углом Φ0 (относительно оси) поступает луч оптического излучения. Будем рассматривать в качестве окружающей среды, из которой поступает луч в оптическое волокно, воздух. Оптическое излучение пре- ломляется на границе раздела воздух – кварц под углом Φ1. Далее луч оптического излучения падает на границу раздела сердечник – оболочка под углом β = 90º – Φ1.
При преломлении луча на границе раздела воздух – сердечник выполняется следующее соотношение:
n0 sinФ0 = n1 sinФ1 , (1.1)
где n0 – показатель преломления воздуха.
Для оптического волокна вводится такое понятие как числовая апертура, ко- торая определяет способность оптоволокна собирать и передавать свет, представля- ет собой телесный угол, в пределах которого находятся лучи, которые могут распро- страняться по оптическому волокну, и определяется по следующей формуле:
NA
=
n0
sinФn
=
Луч введенный в оптическое волокно под углом Φп будет, многократно отра- жаясь от границы сердечник – оболочка, распространяться по сердечнику пока не достигнет его конца. Точно также будут распространяться и лучи, введенные под углом Φо ≤ Φ п.
При полном внутреннем отражении оптические волны проникают из более плотной среды в менее плотную на некоторую глубину и проходят параллельно оси волокна некоторое расстояние D. Таким образом, при полном внутреннем отражении падающий и отраженный лучи смещены на некоторое расстояние D, которое зависит от длины волны излучения и угла падения луча на границу раздела. При рассмотрении процесса отражения света от поверхности раздела двух сред нужно учитывать степень поляризации излучения. Поскольку лучи введённые в волокно под разными углами проходят разную длину пути то они имеют различное время распространения в опто.волокне.
