- •1 Корпускулярно-волновой дуализм электромагнитного излучения.
- •2. Стационарное уравнение Шредингера.
- •3 Нестационарное уравнение Шредингера(общее).
- •4. Строение атомов.
- •5. Методы расчета электронной структуры атомов.
- •6. Методы расчета электронной структуры молекул.
- •7. Зонная теория твердого тела.
- •8. Зонная структура металлов.
- •9.Зонная структура полупроводников.
- •10.Зонная структура диэлектриков.
- •11. Собственная проводимость полупроводников.
- •12. Донорные и акцепторные примеси в полупроводниках.
- •13. Термоэлектрические явления в металлах и полупроводниках.
- •14. Сверхпроводимость.
- •15.Электронно-дырочный переход
- •16. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
- •17. Виды пробоев р-n-перехода.
- •18. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости.
- •19. Контакт «металл - полупроводник».
- •20. Физические процессы в структуре с двумя переходами.
- •21. Физические принципы работы полупроводниковых диодов
- •22. Выпрямительные диоды и их основные параметры.
- •23. Импульсные диоды и их основные параметры
- •24 Туннельные диоды и их основные харак-ки
- •25. Обращенные диоды и их основные параметры.
- •26. Диоды Шоттки и их основные параметры.
- •27. Режимы работы биполярных транзисторов.
- •28. Основные параметры биполярных транзисторов.
- •29. Схемы включения биполярных транзисторов.
- •30. Полевые транзисторы и схемы их включения.
- •31. Статические характеристики полевых транзисторов.
- •32. Применение полупроводниковых диодов и транзисторов.
- •33 Интегральные микросхемы
- •34 Фотоэлектрические явления в полупроводниках
- •35. Фоторезисторы и их основные параметры.
- •36 Фотодиоды и их параметры
- •37,38. Лавинные фотодиоды и их применение.
- •39. Многоэлементные фотоприемники.
- •40. Фотоэлементы.
- •41. Фотоэдс.Солнечные батареи.
- •42 Явление радиоактивности
- •43 Α , β, γ-излучение
- •44 Дозы излучения и их единицы
- •45 Активность радиоактивного ве-ва.
- •46 Биологическое действие ионизирующего излучения.
- •47 Физические принципы работы приборов дозиметрического контроля
- •48.Приборы на туннельном эффекте
- •49. Приборы на квантовых ямах
- •50. Низкоразмерные системы
- •51. Квантовые точки
- •52. Квантовые шнуры
- •53.Квантовые плёнки
- •54. Устройства молекулярной электроники : диоды , транзисторы, оптические сенсоры.
- •55.Одноэлектронные транзисторы
- •56.Физические принципы работы оптического волокна
- •Одномодовые оптические волокна
- •Многомодовые типы оптических волокон
- •59 Явление люминесценции в п/п.
- •Инжекционные светодиоды с р-n-переходами
- •61. Светодиоды с антистоксовым люминофором
- •62,63 Источники света с порошкообразным и пленочным
- •64 Когерентные источники и усилители оптического излучения
- •65. Лазеры и их основные параметры.
- •66. Применение лазеров.
- •67. Фотоприемники, основанные на внешнем фотоэффекте.
- •68. Фотоэлектронные умножители.
- •69 Методы счета фотонов
- •72. Сверхпроводниковые фотоприемники для счета фотонов.
- •74. Однофотонные источники излучения.
- •75. Методы регистрации оптических сигналов.
41. Фотоэдс.Солнечные батареи.
Явление внутреннего фотоэффекта наблюдается при освещении диэлектриков или полупроводников светом определенной частоты. Под действием поглощенных квантов света в этом случае электропроводность вещества увеличивается за счет повышения у них концентрации свободных носителей заряда. Поэтому это явление называют также фотопроводимостью. Явление внутреннего фотоэффекта используется в фоторезисторах, сопротивление которых зависит от поглощенного светового потока (рис. 17.3). Здесь 1 - подложка из диэлектрика, 2 - полупроводник, 3 - металлические электроды.
Рис. 17.3 Рис. 17.4
Сущность
вентильного
фотоэффекта,
или фотоэффекта
в запирающем слое
состоит
в том, что вследствие внутреннего
фотоэффекта возникает разность
потенциалов вблизи контакта между
металлом и полупроводником или между
полупроводниками
- и
типа.
На рис. 17.4 представлена схема вентильного
фотоэлемента. На металлический электрод
1 нанесен слой полупроводника 2, покрытый
тонким полупрозрачным слоем золота 4,
к нему плотно приварено металлическое
кольцо 5, служащее электродом. Между
полупроводником и слоем золота образуется
промежуточный слой 3 (p-n-переход),
в котором в области контакта золота и
полупроводника или двух полупроводников
p-
и
n-типа
при освещении p-n
-перехода светом возникают дополнительные
носители заряда (электроны − в
-области
и дырки − в n-области),
которые достаточно легко проходят через
переход. В результате в
-области
образуется избыточный положительный
заряд, а в n-области
– избыточный отрицательный. Возникающая
на контактах этих полупроводников
разность потенциалов при поглощении в
нем квантов электромагнитного излучения
называется фотоэлектродвижущей
силой
(фото-ЭДС).
Если такой образец включить в замкнутую
цепь, возникнет электрический ток,
который называется фототоком. Значение
фото−ЭДС при небольших световых потоках
пропорционально падающему на кристалл
потоку. На явлении вентильного фотоэффекта
основано действие солнечных батарей.
Они представляют собой от нескольких
десятков до нескольких сотен тысяч
элементов из кремниевых
-переходов,
соединенных последовательно. Солнечные
батареи преобразуют световую энергию
непосредственно в электрическую. Они
начали использоваться на космических
летательных аппаратах, для индивидуального
обеспечения электричеством частных
домов и т.д.
Солнечная энергетика является одним из важнейших направлений развития энергетики будущего. Это наиболее перспективный способ получения и использования энергии на Земле. Хотя это пока еще дорогой вид энергии, но в перспективе ее стоимость будет сравнима с той, что вырабатывается на атомных станциях. Тем более, что такая энергия экологически безопасна и ее запасы практически неисчерпаемы.
Сейчас получение энергии с помощью солнечных батарей осуществляется в промышленных масштабах, в мире проводятся исследования над увеличением мощности солнечных фотоэлектрических установок. По оценкам специалистов, в 2020 году до 20 % мирового количества электроэнергии будет производиться за счет фотоэлектрического преобразования солнечной энергии и использоваться на транспорте, в машиностроении, приборостроении, медицине, космосе и других отраслях. О перспективах развития солнечной энергетики говорит такой факт: если в 1985 году все установленные мощности солнечных электростанций мира составляли 21 МВт, то в 2010 году суммарные мощности фотоэлектрических станций достигли 40000 МВт, т.е. за 25 лет мощности электростанций, вырабатывающих электроэнергию с помощью фотоэлектрических преобразователей, увеличились примерно в 2000 раз.
Рассмотренные виды фотоэффекта используются для контроля, управления и автоматизации различных процессов, в военной технике для сигнализации и локации невидимым излучением, в различных системах связи. В частности, в волоконно-оптических линиях связи фотоэлектрические преобразователи используются в качестве основных элементов.
