- •1 Корпускулярно-волновой дуализм электромагнитного излучения.
- •2. Стационарное уравнение Шредингера.
- •3 Нестационарное уравнение Шредингера(общее).
- •4. Строение атомов.
- •5. Методы расчета электронной структуры атомов.
- •6. Методы расчета электронной структуры молекул.
- •7. Зонная теория твердого тела.
- •8. Зонная структура металлов.
- •9.Зонная структура полупроводников.
- •10.Зонная структура диэлектриков.
- •11. Собственная проводимость полупроводников.
- •12. Донорные и акцепторные примеси в полупроводниках.
- •13. Термоэлектрические явления в металлах и полупроводниках.
- •14. Сверхпроводимость.
- •15.Электронно-дырочный переход
- •16. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
- •17. Виды пробоев р-n-перехода.
- •18. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости.
- •19. Контакт «металл - полупроводник».
- •20. Физические процессы в структуре с двумя переходами.
- •21. Физические принципы работы полупроводниковых диодов
- •22. Выпрямительные диоды и их основные параметры.
- •23. Импульсные диоды и их основные параметры
- •24 Туннельные диоды и их основные харак-ки
- •25. Обращенные диоды и их основные параметры.
- •26. Диоды Шоттки и их основные параметры.
- •27. Режимы работы биполярных транзисторов.
- •28. Основные параметры биполярных транзисторов.
- •29. Схемы включения биполярных транзисторов.
- •30. Полевые транзисторы и схемы их включения.
- •31. Статические характеристики полевых транзисторов.
- •32. Применение полупроводниковых диодов и транзисторов.
- •33 Интегральные микросхемы
- •34 Фотоэлектрические явления в полупроводниках
- •35. Фоторезисторы и их основные параметры.
- •36 Фотодиоды и их параметры
- •37,38. Лавинные фотодиоды и их применение.
- •39. Многоэлементные фотоприемники.
- •40. Фотоэлементы.
- •41. Фотоэдс.Солнечные батареи.
- •42 Явление радиоактивности
- •43 Α , β, γ-излучение
- •44 Дозы излучения и их единицы
- •45 Активность радиоактивного ве-ва.
- •46 Биологическое действие ионизирующего излучения.
- •47 Физические принципы работы приборов дозиметрического контроля
- •48.Приборы на туннельном эффекте
- •49. Приборы на квантовых ямах
- •50. Низкоразмерные системы
- •51. Квантовые точки
- •52. Квантовые шнуры
- •53.Квантовые плёнки
- •54. Устройства молекулярной электроники : диоды , транзисторы, оптические сенсоры.
- •55.Одноэлектронные транзисторы
- •56.Физические принципы работы оптического волокна
- •Одномодовые оптические волокна
- •Многомодовые типы оптических волокон
- •59 Явление люминесценции в п/п.
- •Инжекционные светодиоды с р-n-переходами
- •61. Светодиоды с антистоксовым люминофором
- •62,63 Источники света с порошкообразным и пленочным
- •64 Когерентные источники и усилители оптического излучения
- •65. Лазеры и их основные параметры.
- •66. Применение лазеров.
- •67. Фотоприемники, основанные на внешнем фотоэффекте.
- •68. Фотоэлектронные умножители.
- •69 Методы счета фотонов
- •72. Сверхпроводниковые фотоприемники для счета фотонов.
- •74. Однофотонные источники излучения.
- •75. Методы регистрации оптических сигналов.
30. Полевые транзисторы и схемы их включения.
Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда, протекающим через проводящий канал, управляемый электрическим полем, возникающим при приложении напряжения между затвором и истоком
Полевые транзисторы по принципу действия подразделяются на два вида:
полевые транзисторы с управляющим р-п-переходом;
полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП - или МОП - транзисторы).
В зависимости от проводимости канала полевые транзисторы делятся на: по- левые транзисторы с каналом р-типа и n-типа. Канал р-типа обладает дырочной проводимостью, а n-типа - электронной.
Полевой транзистор с управляющим р-п-переходом
Полевой транзистор с управляющим р-п-переходом - это полевой транзистор, в котором управление потоком основных носителей происходит с помощью выпрямляющего электрического перехода, смещенного в обратном направлении. Полевой транзистор в отличие от биполярного иногда называют униполярным, т.к. его работа основана только на основных носителях заряда одного знака - либо электронов, либо дырок.
Принцип действия такого полевого транзистора рассмотрим на примере структуры, приведенной на рис. 5.5.
Она представляет собой монокристалл полупроводника п-типа проводимости, по торцам которого методом напыления сформированы электроды, а посередине, с
двух сторон, созданы две области противоположного типа проводимости с электрическими выводами от этих областей. Тогда на границе раздела областей с различным типом проводимости возникнет р-п-переход. Электрические выводы от торцевых поверхностей полупроводника называют истоком И (электрод, через который в канал входят основные носители заряда) и стоком С (электрод, через который из канала уходят основные носители заряда), а оба р-слоя соединены между собой и образуют вывод от боковой поверхности – затвор 3 (электрод, на который подают управляющий сигнал - напряжение, служащее для регулирования поперечного сечения канала). Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут быть разных типов. В рассматриваемом случае - полевой транзистор с каналом n-типа проводимости, и на принципиальных схемах он обозначается символом, представленным на рис. 5.5б. Если типы проводимости слоев полупроводника в таком транзисторе изменить на противоположные, то получим полевой транзистор с управляющим р-п-переходом и каналом р-типа. Его обозначение такое же, но стрелка затвора направлена в противоположную сторону (рис. 5.5в).
С |
|
И |
С
И
Рис. 5.5 Упрощенная структура полевого транзистора с управляющим р-п- переходом и каналом n-типа (а) и условные обозначения полевого транзистора, имеющего канал n-типа (б) и p-типа (в)
Схемы включения полевых транзисторов
Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим для входной и выходной цепей. Рассмотренный нами пример (рис. 5.5) является схемой с общим истоком (рис. 5.7а).
Схема с общим затвором (рис. 5.7б) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.
Схема с общим стоком (рис. 5.7в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем. Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.
