2.4.Полевые танзисторы

71.Определить ширину канала полевого транзистора с управляющим каналом n- типа , если U_отс=5В, подвижность электронов 0.15 м²/В с, удельное сопротивление материала 4.76 10^-2 Ом м , относительная диэлектрическая проницаемость кремния 12.

72. Полевой транзистор с управляющим n- каналом имеет максимальный ток стока 5ma , напряжение отсечки 2.5 В. Найти максимальную крутизну полевого транзистора.

73. Изобразить стокозатворные характеристики полевых транзисторов с управляющим каналом n- типа у которых S₁>S₂>S₃. Докажите правильность полученных результатов .

74. Изобразить стокозатворные характеристики полевых транзисторов с управляющим каналом n- типа у которых ₁>₂>₃. Докажите правильность полученных результатов.

75. Изобразите структуру, схему обозначения и стокозатворную характеристику полевого транзистора с индуцированным каналом при различных напряжениях на стоке. Поясните, как определяются основные параметры по этим характеристикам.

76. Изобразите структуры, схемы обозначения и стокозатворные характеристики полевых транзисторов со встроенным каналом различных типов проводимости. Поясните, как определяются основные параметры по этим характеристикам.

77. Изобразите структуры, схемы обозначения и стоковые характеристики полевых транзисторов с индуцированным каналом p типа при различных напряжениях на затворе. Поясните ход этих характеристик.

78. Изобразите структуры, схемы обозначения и стоковые характеристики полевых транзисторов с индуцированным каналом p типа при различных напряжениях на затворе. Поясните ход этих характеристик.

79 . Изобразите схему замещения полевого транзистора с управляющим каналом n- типа. Дайте определение всем элементам этой схемы. Приведите формулы для определения всех элементов этой схемы.

80. Объясните и покажите влияние температуры на ход вольтамперных характеристик полевого транзистора. Что такое термостабильная точка?

ПРИЛОЖЕНИЯ

Приложение 1

Некоторые физические постоянные.

1. П остоянная Планка

2. П остоянная Больцмана

3. Масса электрона

4. Заряд электрона

5. Диаметр электрона

6. Диэлектрическая проницаемость свободного пространства

7. Магнитная проницаемость свободного пространства

8. Масса протона

Рис. 1. График для определения коэффициента (тема «Электровакуумные приборы).

Приложение 2

Постоянные термоэлектронной эмиссии:

Материал катода	А, a/см2град2
Вольфрам	60	52400	4.52
Торий на вольфраме	3	30500	2.63
Торий на карбиде	1.15 *10-2	17400	1.49
Окись бария на Вольфраме	0.01	11200	1.0

Приложение 3

Свойства германия и кремния:

Свойства	Ge	Si
Плотность,г/см Атомный вес Плотность атомов, см-3 Относительная диэлектрическая проницаемость Ширина запрещенной зоны, эв(Т=00К) эв (Т =3000К) Эффективная масса(m/m0) Электронов Дырок Подвижность электронов см2/в*сек Дырок см2/в*сек Собственная концентрация носителей ,00,см-3 Собственное удельное сопротивление ом*см (Т=2930К) Коэффициент диффузии электронов , см2/сек Дырок, см2/сек	5.32 72.6 4.4*1022 16 0.785 0.72 0.12 0.28 3900 1900 2.5*1013 68 99 47	2.33 28.1 5*1022 12 1.21 1.12 0.26 0.49 1400 500 1010 2*105 34 13

Приложение 4

Пересчет параметров четырехполюсника.

	Z	Y	H	A
Z	Z11 Z12 Z22 Z22	Y22/Y -Y12/Y -Y21/Y Y11/Y	H/H22 H12/H22 -H21/H22 1/H22	A11/A22 A/A21 1/A21 A22/A21
Y	Z11/Z Z12/Z Z22/Z Z22/Z	Y11 Y12 Y21 Y22	1/H11 -H12/H11 H21/H11 H/H11	A22/A12 -A/A12 -1/A12 A11/A12
H	Z/ Z22 Z12/Z22 -Z21/Z22 1/Z22	1/Y11 -Y12/Y11 Y21/Y11 Y/Y11	H11 H12 H21 H22	A12/A22 A/A22 -1/A22 A21/A22
А	Z11/Z21 Z/Z21 1/Z21 Z22/Z21	-Y22/Y21 -1/Y21 -Y/Y21 -Y11/Y21	-H/H21 -H11/H21 -H22/H21 -1/H21	A11 A12 A21 A22

Z=Z11*Z22-Z12*Z21 , Y=Y11*Y22-Y12*Y21

H=H11*H22-H12*H21 , A=A11*A22-A12*A21 (определители матрицы)

Связь между H – параметрами в различных схемах включения:

H11э= H11_б/(1-Н21_б)

H11к= H11э

H11_б= Н11э/(1+ Н21э)

Н12э= (H11_б* Н22_б/1+ Н21_б) - Н12_б

Н12_к=1

Н12_б=( H11э* Н22э/(1+ Н21э)) - Н12э

Н21э=- Н21_б /(1- Н21_б)

Н21_к = Н21э+1

Н21_б= - Н21э/(1+ Н21э)

Н22_э=Н22_б/(1-Н21_б)

Н22_к=Н22_э

Н22_б=Н22_э/(1+Н21_э)