Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ФСЯ_в РИУ_10.01.14.doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
134.63 Mб
Скачать

Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Тверской государственный университет»

А.А. БОГОМОЛОВ, В.В. ИВАНОВ

Физика сегнетоэлектрических явлений

Учебное пособие

ТВЕРЬ 2014

УДК 537.226.4 (075.8)

ББК В 379.331я 73-1

Б -74

Рецензенты:

Доктор технических наук, профессор заведующий кафедрой прикладной физики Тверского государственного технического университета

А.Н. Болотов

Доктор технических наук, профессор кафедры прикладной физики Тверского государственного университета

Ю.М. Смирнов

Богомолов А.А., Иванов В.В.

Б 74 Физика сегнетоэлектрических явлений: Учеб. пособие. – Тверь:

Твер. гос. ун-т, 2014. – 160 с.

ISBN № 978-5-7609-0886-5

Излагаются основные представления физики сегнетоэлектрических явлений. Рассмотрена термодинамическая теория фазовых переходов первого и второго рода, влияние внешних воздействий на фазовые переходы в сегнетоэлектриках. Обсуждаются вопросы, связанные с доменной структурой и процессами переполяризации. Одна из глав посвящена подробному описанию пироэлектрических и электрокалорических эффектов. В пособии представлены основные сведения об электрооптическом эффекте. Предназначается для студентов физических факультетов университетов и студентов других вузов, изучающих физические свойства сегнетоэлектриков.

УДК 537.226.4 (075.8)

ББК В 379.331я 73-1

ISBN № 978-5-7609-0886-5  Богомолов А.А., Иванов В.В.,

2014

 Тверской государственный

университет, 2014

Введение

Учение о сегнетоэлектричестве стало неотъемлемым разделом физики конденсированного состояния вещества, а сегнетоэлектрические кристаллы и керамика получают все более широкое практическое применение в радио- и оптоэлектронике, электро- и гидроакустике, измерительной технике и автоматике, а также в энергонезависимых элементах памяти.

Во многих высших учебных заведениях страны читаются лекции по физике сегнетоэлектриков. Предлагаемое учебное пособие соответствует программе общепрофессиональной дисциплины «Физика конденсированного состояния» и специальных дисциплин «Физика сегнетоэлектриков», «Физика сегнетоэлектрических явлений», «Дополнительные главы физики сегнетоэлектриков».

Учебное пособие содержит систематическое изложение физики сегнетоэлектрических явлений и дает достаточно цельное представление о современном состоянии физики сегнетоэлектриков. В нем рассматриваются фазовые переходы первого и второго рода в сегнетоэлектриках, влияния на них внешних электрических полей, гидростатического давления, механических напряжений. Значительная часть пособия посвящена анализу доменной структуры и процессам переполяризации, изучению диэлектрического гистерезиса, методики Мерца, эффекта Баркгаузена и диэлектрической вязкости в сегнетоэлектриках. Рассмотрены электромеханические свойства, пироэлектрический, электрокалорический и электрооптический эффекты, генерация второй гармоники.

Глава I. Термодинамическая теория сегнетоэлектриков

§ 1.1. Фазовые переходы второго рода в сегнетоэлектриках

Вещество в твердом состоянии может находиться в различных фазах, соответствующих разным кристаллическим модификациям. Это явление называется полиморфизмом. В каждой фазе кристаллическое состояние твердого тела характеризуется определенной симметрией в расположении атомов вещества. Изменение симметрии приводит к изменению физических свойств вещества. Спонтанное нарушение симметрии - фазовый переход. Этот переход может происходить двумя путями, т.е. существуют фазовые переходы первого и второго рода.

Около полувека назад Ландау сформулировал основные принципы феноменологической теории фазовых переходов второго рода. Этот метод широко применяется для анализа конкретных фазовых переходов в системах и является основой интерпретации экспериментальных данных о поведении физических характеристик систем вблизи фазового перехода, включая и их поведение при различных внешних воздействиях - давлении, электрическом поле. Наиболее эффективными оказались симметрийные аспекты теории Ландау при анализе фазовых переходов в кристаллах, поскольку соответствующий математический аппарат симметрии - представление пространственных групп кристаллов - хорошо разработан.

Применительно к сегнетоэлектрическим фазовым переходам теория Ландау развита В.Л. Гинзбургом и А.Ф. Девонширом. Рассмотрим основы этой теории. Поведение различных систем вблизи фазовых переходов второго рода может быть понято на основе введенного Ландау понятия параметра порядка. Роль параметра порядка в нашем случае играет поляризация. Она появляется в системе в результате фазового перехода из исходной фазы, в которой она отсутствовала.

Свободная энергия системы F, зависящая от температуры Т и обобщенных сил, в окрестности точки фазового перехода должна характеризоваться также значением параметра порядка - поляризации Р и вследствие ее малости в этой окрестности может быть разложена в ряд по степеням поляризации:

(1.1)

где Fо - свободная энергия кристалла в фазе, где Р=0 (параэлектрическая фаза), ,, - коэффициенты в разложении свободной энергии.

В разложении (1.1) присутствуют только члены с четными степенями поляризации. Это связано с тем, что энергия системы не должна зависеть от направления вектора . При фазовом переходе второго рода достаточно в разложении удержать члены не более четвертого порядка (устойчивость состояния системы при этом обеспечивается). Известно, что система устойчива, если ее свободная энергия имеет минимум, т.е. выполняются соотношения вида

, (1.2)

(1.3)

Равновесное значение поляризации обозначим через Рs, где Рs - спонтанная поляризация. Тогда соотношения (1.2 и 1.3) примут вид:

,

из которых следуют два решения для Рs:

(1.4)

Решение для Рs в последнем соотношении имеет смысл, если и имеют противоположные знаки. Информацию о знаке при Р=0 можно получить из уравнения (1.3).

Из него следует, что >0 при Р=0. Значит в фазе, где Р=0, коэффициент  должен быть положителен. Если Р0 ( ), то, подставляя (1.4) в (1.3), имеем -2>0, т.е. <0. Следовательно, в самой точке перехода =0. Можно предположить, что коэффициент при квадратичном члене в разложении F является в окрестности Тс линейной функцией температуры

(1.5)

где

(1.6)

Зависимость F от Р имеет вид, представленный на рис.1.1. Минимум энергии соответствует нулевой поляризации при Т>Тc , >0, >0. Однако при Т<Tc, <0, >0 вместо минимума при Р=0 мы имеем максимум. Минимуму свободной энергии F отвечает поляризация, отличная от нуля (-Рs, +Рs).

Рис.1.1. Зависимость свободной энергии F от поляризации P

При Т = ТС параэлектрическая фаза теряет устойчивость: появляется другое состояние, равновесное значение поляризации которого отлично от нуля и определяется соотношением

. (1.7)

Это соотношение дает параболическую зависимость Рs от температуры (рис.1.2) и линейную зависимость от Тс - Т (см. рис.1.3).

Рис.1.2. Зависимость спонтанной поляризации от температуры

Рис.1.3. Зависимость квадрата поляризации от температуры

Таким образом, мы получили довольно важный результат - температурную зависимость величины спонтанной поляризации вблизи точки фазового перехода. В области фазового перехода для сегнетоэлектриков обычно характерны существенные аномалии диэлектрических свойств, поэтому рассмотрим выводы термодинамической теории о поведении сегнетоэлектрика при приложении слабого электрического поля.

Из соотношения (1.2) можно получить выражение для обратной величины диэлектрической восприимчивости - :

(1.8)

Это соотношение позволяет определить температурный ход восприимчивости в районе фазового перехода как выше, так и ниже точки фазового превращения. Рассмотрим область температур, для которой Т>Tc, в этом случае Р=0 и выражение 1/ имеет вид

(1.9)

Из этого соотношения следует, что величина диэлектрической восприимчивости определяется соотношением

(1.10)

где С*=1/c - некоторая постоянная величина.

От выражения для диэлектрической восприимчивости (1.10) можно перейти к выражению для диэлектрической проницаемости . Используя соотношение =1+4 и учитывая, что для сегнетоэлектриков >>1, можно записать

(1.11)

где С=4С* - константа Кюри. Последнее соотношение выражает известный закон Кюри  Вейсса. Этот закон хорошо выполняется для параэлектрической фазы большинства сегнетоэлектриков.

Рассмотрим поведение диэлектрической восприимчивости в области температур Т<Тс. В этом случае соотношение (1.8) принимает вид

. (1.12)

Из последнего соотношения следует выражение для :

(1.13)

Умножив обе части этого соотношения на 4, имеем выражение для диэлектрической восприимчивости

(1.14)

К

Рис.1.4. Зависимость обратной величины диэлектрической восприимчивости 1/ от температуры

ак следует из формул (1.11) и (1.14), при приближении к точке фазового перехода как со стороны сегнетофазы, так и со стороны парафазы величина  стремится к бесконечности. Однако ход этих кривых несимметричен относительно точки фазового перехода. В самом деле, ниже точки фазового перехода 1/ = 2, а выше: 1/ = (см. рис. 1.4).

Из этих соотношений следует, что тангенс угла наклона графической зависимости обратной восприимчивости от температуры в сегнетофазе отличается по величине от соответствующего тангенса в парафазе в два раза, а знаки их противоположны. Это можно записать в виде

. (1.15)

Последнее соотношение называют правилом "двойки". Это правило сравнительно неплохо выполняется для сегнетоэлектриков с фазовым переходом второго рода. Для ТГС это соотношение равно 2,7.

Значения констант Кюри в зависимости от типа фазового перехода лежат в пределах 103  105 К. Фазовые переходы в сегнетоэлектриках принято делить на два основных типа - фазовый переход типа порядок-беспорядок и типа смещения. В соответствии с характером перехода и сами сегнетоэлектрики относят к типу смещения или порядок-беспорядок. У представителей первой группы кристаллов константа Кюри имеет порядок 105 К, а у представителей второй группы - 103 К. Кристалл триглицинсульфата относится ко второй группе. Значения констант Кюри для ряда сегнетоэлектриков представлены в таблице 1.1.

При измерении величин диэлектрической восприимчивости (проницаемости) сегнетоэлектриков необходимо помнить, что эти величины являются функциями поля, причем между Р и Е (соответственно D и E ) имеет место довольно сложная зависимость.

Таблица 1.1. Значения констант Кюри для ряда сегнетоэлектриков

Вещество

Тип

перехода

С, К

Сегнетова соль (NaKC4H4O6.4H2O)

порядок-

2,2.103

Дигидрофосфат калия (KH2PO4- KDP)

беспорядок

3,3.103

Триглицинсульфат (NH2CH2COOH)3.3H2SO4

3,2.103

Титанат бария (BaTiO3)

смещения

1,5.105

Ниобат калия (KNbO3)

2,0.105

Диэлектрическая проницаемость определяется как угловой коэффициент кривой D(E) в начале координат, т. е.

(1.16)

Следовательно, эта величина должна измеряться в очень слабом переменном поле. необходимо также помнить о различии между значениями диэлектрической проницаемости, измеренной в изотермических Т и адиабатических S условиях. Экспериментально определяемой величиной является адиабатическая восприимчивость. Аналитические соотношения, полученные выше, справедливы для изотермической проницаемости.

Выражение, связывающее адиабатическую диэлектрическую проницаемость S с изотермической проницаемостью Т , имеет вид

(1.17)

где С - константа Кюри, ср - теплоемкость на единицу объема при постоянной поляризации Р.

Выше температуры перехода диэлектрическая проницаемость, измеренная в очень слабом поле, является адиабатической, однако практически мы можем пренебречь поправочным членом, поскольку поляризация очень мала. Ниже температуры перехода из-за наличия спонтанной поляризации всегда необходимо различать адиабатическую и изотермическую диэлектрические проницаемости. Подставляя в (1.17) выражение для в виде , а также

имеем

(1.18)

Дифференцируя по T, получаем угловой коэффициент кривой ниже перехода:

(1.19)

Выше температуры перехода угловой коэффициент равен

(1.20)

Следовательно, отношение угловых коэффициентов в окрестности TС

(1.21)

Если пренебречь поправочным членом на адиабатичность, то выражение (1.21) перейдет в соотношение (1.15).