2. Предварительная подготовка к работе

Перед выполнением лабораторной работы студент должен познакомиться с основными положениями теории по изучаемому вопросу и ответить на контрольные вопросы. Выяснить и усвоить физический смысл параметров транзисторов приведенных в таблице 4.1.

Таблица 4.1- Предельно допустимые параметры некоторых транзисторов

Тип транзистора	Наибольший ток коллектора Iк, А	Наибольшее напряжение между коллектором и базой U бк mах ,В	Наибольшее напряжение между коллектором и эмиттером U кэ max ,В	Наибольшее обратное напряжение между эмиттером и базой U эб max ,В U бэ max обр , В
КТ315Г 14)	0,1	6	35	6
КТ 361	0,1	6	25	6
КТ858АМ	7	400	400	400

3. Выполнение работы

1. Снятие входных характеристик и характеристики передачи тока транзистора:

   1. Используя панель собрать схему лабораторной установки по рисунку 4. 2;

   2. Установить приборы в следующие режимы P1 (V; x1), P2 (mA; x10), V – вольтметр с пределом +25(+50) В;

   3. Определите цену деления каждого прибора;

   4. Установить Uб-э = 0 с помощью регулятора «ИПН1», Uк-э = 3В с помощью регулятора «ИПН2»;

   5. Снять зависимость Iб = f (Uбэ), изменяя Uб-э так, чтобы I_Б принимал значения от 0 до 100мкА с шагом 10мкА;

   6. Результаты измерений и вычислений занести в таблицу 4.2;

      Рисунок 4.2 – Схема для получения характеристик биполярного транзистора

   7. Повторить измерения при Uкэ = 8 В;

   8. Снять характеристику передачи тока ─ Iк = f (I_Б), задавая те же самые значения I_Б;

   9. Результаты измерений и вычислений занести в таблицу 4.3.

2. Снятие выходных характеристик транзистора:

1. Снять зависимость Iк = f(Uкэ) изменяя Uкэ от 1 до 10 В при IБ =20 мкА ─ const, повторить при Iб = 40 мкА, IБ = 80 мкА;

2. Результаты измерений занести в таблицу 4.4.

4. Содержание отчета

1. Тема и цель работы.

2. Оборудование и перечень приборов схема.

3. Таблицы с результатами измерений и графики:

4. IБ = f (UБЭ) по таблице 4.2.

5. Iк = f (IБ); Iк = f (UБЭ) по таблице 4.3.

6. Iк = f (Uк-э) по таблице 4.4.

7. Входное сопротивление транзистора (h11Э) находят из входных характеристик (h11э=UБЭ/IБ).

8. По выходным характеристикам транзистора определяют значение выходной проводимости (h22э= Iк /UКЭ).

9. По выходным характеристикам транзистора определяют значение коэффициента передачи тока (h21э=Iк /IБ).

10. Ответ на вопрос: «Как результаты работы подтверждают основное свойство биполярного транзистора?».

Таблица 4.2 ─ Зависимость IБ = f(Uбэ) № опыта UКЭ = 3 В UКЭ = 8 В UБЭ(В) IБ(мкА) UБЭ(В) IБ(мкА) 1 0 0 2 10 10 3 20 20 4 30 30 5 40 40 6 50 50 7 60 60 8 70 70 9 80 80 10 90 90

Таблица 4.3 ─ Зависимость Iк = f (IБ); Iк = f (UБЭ) № опыта UКЭ = 6 В – const UБЭ(В) IБ(мкА) IК(мА) 1 0 2 10 3 20 4 30 5 40 6 50 7 60 8 70 9 80 10 90