- •Часть 1 Оренбург
- •Содержание
- •Введение
- •1 Лабораторная работа №1. Изучение лабораторного стенда
- •Теоретическое введение
- •Выполнение работы
- •Содержание отчета
- •2 Лабораторная работа №2. Изучение полупроводниковых диодов
- •Теоретическое введение
- •Предварительная подготовка к работе
- •Описание схемы измерения Снятие вольтамперной характеристики диодов производится по схемам, приведенным на рисунке 2.1.
- •Порядок выполнения работы
- •Определить цену деления каждого прибора и записать в отчет на схеме.
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 3. Изучение полупроводниковых стабилитронов
- •Теоретическое введение
- •Предварительная подготовка к работе
- •Порядок выполнения работы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •4 Лабораторная работа №4. Изучение биполярного транзистора
- •Теоретическое введение
- •Предварительная подготовка к работе
- •Выполнение работы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №5. Изучение полевого транзистора с затвором в виде p-n перехода
- •Теоретическое введение
- •Предварительная подготовка к работе
- •Выполнение работы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •6.1Теоретическое введение
- •6.2 Предварительная подготовка к работе
- •Выполнение работы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 7 Изучение тиристоров
- •Теоретическое введение
- •Предварительная подготовка к работе
- •Выполнение работы
- •Контрольные вопросы
- •Содержание отчета
Предварительная подготовка к работе
В процессе подготовки должны быть рассмотрены следующие основные вопросы:
структура полевого транзистора с p-n переходом;
различные типы полевых транзисторов;
статические характеристики полевых транзисторов;
основные параметры полевых транзисторов;
достоинства и недостатки полевых транзисторов.
Выполнение работы
С
обрать
схему (рисунок 5.2).
Рисунок 5.2 – Схема для снятия характеристик полевого транзистора
Рассчитать цену деления каждого прибора.
По разрешению преподавателя включить стенд.
Снять стокозатворные характеристик транзистора КП103.
Выставить по прибору Р2 напряжение Uси = 5 В.
Изменять за счет “ИПН1” Uзи от 0 с шагом 0,2 В пока “ µА” не покажет “0”. Показания приборов “Р1” и “ µА ” записывать в таблицу 5.1.
Повторить все действия при Uси = 10 В. Показания приборов занести в таблицу 5. 1.
Снять стоковые характеристики: Ic = f(Uси) при Uзи = const.
Включить стенд.
Установить Uзи = 0,2 В ручкой “ ИПН1” по прибору “Р1”.
Изменяя Uси от 0 до 9 В записать Uси, Ic в таблицу 5.2.
Повторить действия пунктов 5.3.10, 5.3.11 для Uзи = 0,5 В, затем Uзи = 0,8 В. Результаты занести в таблицу 5. 2.
Таблица 5.1 – Стокозатворные характеристики
|
Таблица 5.2 – Стоковые характеристики
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
По результатам работы построить характеристики и определить параметры:
по таблице 5.1 для транзистора КП103 построить две стоко-затворные характеристики Ic = f(Uзи) при Uси = 5В и 10В. По этим характеристикам определить: Sсз., Uотс., Ico.
по таблице 4.2 для транзистора КП103 построить три стоковые характеристики: Ic = f(Uси) при Uзи = 0,2 В; 0,5 В и 0,8 В.
