2.3.Параметры биполярного транзистора и усилителя мощности по схеме с общим эмиттером (ум с оэ)
Определим параметры транзисторов:
2.3.1. Входное сопротивление рассчитывается по одной из следующих формул А,Б,В,Г,Д в зависимости от имеющихся в справочнике данных.
(2.1)
(2.2)
А. Если в справочнике имеется
Модуль сопротивления базы
2Т955A:
Для
данного тр-ра
Модуль входного сопротивления:
(2.3)
(2.3а)
(2.4)
(2.4а)
Б. Если имеется входная характеристика, с её помощью определяем .
Известна высота импульса коллекторного тока:
2Т…
Из ф.(1.16а,1.16б)
Определим соответствующую высоту импульса базового тока:
IБ max = (2.6)
где по ф. (1.13)
Проверим
(см. справочник ,предельные экплуатационные данные)
(2.7)
Модуль входного сопротивления рассчитывается по одной из формул (2.2,2.4,2.4а), где из ф.(2.8) и (2.8а).
СК – емкость коллекторного перехода приводится в справочнике.
2Т912А:
СК[пФ]=200 (2.14)
SП – крутизна по эмиттерному переходу /5/:
2Т912А:
(2.16)
(2.16а)
IK1 – ток первой гармоники коллекторного тока
(2.17)
α1(θ) – коэффициент разложения импульсов коллекторного тока в зависимости от угла отсечки θ, обычно для ГВВ задают режим θНЧ ~ ( )
IKmax – высота импульса коллекторного тока, выбирается в зависимости от требуемой мощности, из пункта п.Б.,ф.(2.5).
tП – температура перехода [◦С] (см. справочник, предельные эксплуатационные данные) для выбранного транзистора tП=1600С , если в справочнике не указана , то можно задаться ее величиной в зависимости от материала транзистора .
Таблица 5.
-
Транзистор
Кремниевый Si
Германиевый Ge
tП
2.3.2. Сопротивление эмиттера rэ рассчитывается по формуле:
(2.18)
(2.18а)
(2.19)
(2.19а)
Модуль входного сопротивления рассчитывается по одной из формул (2.2,2.4,2.4а), где из ф.(2.11).
2.3.3. L – индуктивность выводов, если нет данного параметра в справочнике, то
L ~ (1…1,5) [ ] ∙ ℓ [мм], (2.21)
где ℓ – длина вывода, определяется из чертежа выбранного транзистора.
Или из справочника известно:
2Т…:
LБ =2.3 нГн
LЭ =2.1нГн