2.1.7.Максимальная частота усиления мощности fmax.

Поскольку при расчете ГВВ транзистор используется в области высоких частот, на параметры транзистора влияет его инерционность, т.е. на энергетические показатели ГВВ: выходная мощность, КПД, коэффициент усиления по мощности уменьшаются. Поэтому при определении f_max необходимо учитывать инерционность транзистора и работу ГВВ в режиме с отсечкой коллекторного тока θ_ВЧ /4/:

(2.30)

(2.30а)

в общем случае определяется по формуле:

(2.31)

Далее производится расчет параметров выбранного транзистора

2.3.Параметры биполярного транзистора и усилителя мощности по схеме с общим эмиттером (ум с оэ)

_{Определим параметры транзисторов:}

_{2.3.1. Входное сопротивление рассчитывается по одной из следующих формул А,Б,В,Г,Д в зависимости от имеющихся в справочнике данных.}

_(2.1)

_(2.2)

_{А. Если в справочнике имеется}

_КТ927А:

_{Для данного} тр-ра

_{Модуль входного сопротивления:}

_(2.3)

(2.3а)

_(2.4)

(2.4а)

Б. Если имеется входная характеристика, с её помощью определяем .

Известна высота импульса коллекторного тока:

_2Т…

Из ф.(1.16а,1.16б)

Определим соответствующую высоту импульса базового тока:

_{IБ max} = (2.6)

где по ф. (1.13)

_{Проверим}

_{(см. справочник ,предельные экплуатационные данные)}

_(2.7)

Модуль входного сопротивления рассчитывается по одной из формул (2.2,2.4,2.4а), где из ф.(2.8) и (2.8а).

С_К – емкость коллекторного перехода приводится в справочнике.

_2Т912А:

С_К[пФ]=200 (2.14)

S_П – крутизна по эмиттерному переходу /5/:

_2Т912А:

(2.16)

(2.16а)

I_K1 – ток первой гармоники коллекторного тока

(2.17)

α₁(θ) – коэффициент разложения импульсов коллекторного тока в зависимости от угла отсечки θ, обычно для ГВВ задают режим θ_НЧ ~ ( )

I_Kmax – высота импульса коллекторного тока, выбирается в зависимости от требуемой мощности, из пункта п.Б.,ф.(2.5).

t_П – температура перехода [^◦С] (см. справочник, предельные эксплуатационные данные) для выбранного транзистора t_П=160⁰С , если в справочнике не указана , то можно задаться ее величиной в зависимости от материала транзистора .

Таблица 5.

Транзистор	Кремниевый Si	Германиевый Ge
tП

2.3.2. Сопротивление эмиттера r_э рассчитывается по формуле:

(2.18)

(2.18а)

(2.19)

(2.19а)

Модуль входного сопротивления рассчитывается по одной из формул (2.2,2.4,2.4а), где из ф.(2.11).

2.3.3. L – индуктивность выводов, если нет данного параметра в справочнике, то

L ~ (1…1,5) [ ] ∙ ℓ [мм], (2.21)

где ℓ – длина вывода, определяется из чертежа выбранного транзистора.

Или из справочника известно:

_2Т…:

L_Б =2.3 нГн

L_Э =2 нГн