Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
1. Лог элементы.doc
Скачиваний:
53
Добавлен:
06.12.2014
Размер:
250 Кб
Скачать
☆

4. Полевая логика (пл) и её разновидности (мдптл, кмдптл и др)

В отличии от всех рассмотренных схем (ДЛ, ТЛ, ДТЛ, ТТЛ, ТТЛШ и ЭСЛ) основанных на биполярных транзисторах (npn – как правило, но могут быть и pnn – транзисторы), полевая логика основана на полевых (канальных, униполярных) транзисторах. В отличие от биполярных транзисторов они имеют меньшее быстродействие, но более компактны и меньше выделяют тепло.

4.1. Пл на основе полевых транзисторов

Полевой транзистор открывается, если есть (или индуцируется) канал между истоком и стоком (без канала это два pn перехода т.е. два диода, включенных на встречу друг другу).

Название - униполярные транзисторы, т.к. подвижные заряды только электроны (вn – канальных), а дырки не подвижны. Или дырки (в р-канальных), электроны неподвижны. А в биполярных всегда есть движение и электронов и дырок, поэтому и неустраним ток Э-Б. Название - полевые транзисторы, т.к управляются только входным напряжением. (т.е. электрическим полем).

Любой транзистор можно представить в виде четырехполюсника.

В полевых транзисторах IВХ = 0, UВЫХ и IВЫХ зависят только от UВХ (входного напряжения).

В биполярных транзисторах (т.к. есть ток Э-Б) UВЫХ и IВЫХ зависят UВХ и IВХ. Считается, что биполярные транзисторы управляются напряжением и током, а полевые только напряжением.

Обозначение полевых транзисторов: n-канальные, p-канальные.

Задача входного напряжения в цифровой схемотехнике индуцировании и разрушении канала (открыт-закрыт), а в аналоговой технике расширении или сужении канала (меньше-больше).

Что бы полностью предотвратить ток с затвора в канал (ток может быть, если переход между металлическим затвором и подложкой откроется), была предложена особая разновидность полевых транзисторов: МДП, МОП, МИП (MIS) – транзистор.

Затвор – металлический. Подложка, где может быть канал, а также исток, сток – полупроводниковый. Между ними расположен диэлектрик (как правило, оксид кремния SI02) т.е. изолятор (Metal-Isolator-Semiconductor).

П ричем канал может быть встроенным (в аналоговой технике) или индуцированным (т.е. создаваемым, наводимым – в цифровой технике).

n-кан р-кан n-кан р-кан

с индуцирован. с встроенным

каналом каналом

4.2. Мдптл – логика на основе полевых мдп транзисторов

Достоинства:

1. Нет паразитных входных токов между затвором и истоком ( а в npn-транзисторах токи есть всегда Б-Э), и как следствие меньше проблем отвода тепла.

2. Очень компактны и дешевы в изготовлении – допускают большую концентрацию в кристалле (в 100 раз больше, чем npn-транзисторы).

Недостатки:

  1. Отсутствие быстродействия: индицирование и рассасывание канала требует большего времени, чем открытие и закрытие pn-перехода.

Е сли во всех схемах ТЛ npn-транзистор заменить на МДП-транзистор получаются схемы МДПТЛ.

Этот инвертор построенный на основе разных транзисторов, но работающий аналагично: при UВХ = 0, RТР → ∞, цепь разомкнута, UВЫХ = UИСТ. При UВХ = 1, RТР → 0, UВЫХ = 0 (т.к. замкнута «на земле»)

Еще один, но преодолимый недостаток: если транзистор закрыт, токи не протекают, нет выделения тепла, но если транзистор открыт, протекают токи и выделяется тепло. Этот недостаток свойственен также и всем другим рассмотренным схемам. Но в случае МДП транзистора её удается весьма эффективно преодолеть.