- •Лекция 1. Логика и логические элементы в схемотехнике
- •1. Импульсная и потенциальная логика
- •2. Многозначная (трехзначная, пятизначная) логика
- •3. Логические элементы на основе биполярных транзисторов
- •3.5. Ттлш – транзисторно – транзисторная логика Шотки
- •4. Полевая логика (пл) и её разновидности (мдптл, кмдптл и др)
- •4.1. Пл на основе полевых транзисторов
- •4.2. Мдптл – логика на основе полевых мдп транзисторов
- •5. Интегральные схемы (микросхемы)
- •Кмдптл – логика на комплементарных мдп транзисторах
- •5.2. Моп структуры
- •Пример инвертора на моп структуре
4. Полевая логика (пл) и её разновидности (мдптл, кмдптл и др)
В отличии от всех рассмотренных схем (ДЛ, ТЛ, ДТЛ, ТТЛ, ТТЛШ и ЭСЛ) основанных на биполярных транзисторах (npn – как правило, но могут быть и pnn – транзисторы), полевая логика основана на полевых (канальных, униполярных) транзисторах. В отличие от биполярных транзисторов они имеют меньшее быстродействие, но более компактны и меньше выделяют тепло.
4.1. Пл на основе полевых транзисторов
Полевой транзистор открывается, если есть (или индуцируется) канал между истоком и стоком (без канала это два pn перехода т.е. два диода, включенных на встречу друг другу).
Название - униполярные транзисторы, т.к. подвижные заряды только электроны (вn – канальных), а дырки не подвижны. Или дырки (в р-канальных), электроны неподвижны. А в биполярных всегда есть движение и электронов и дырок, поэтому и неустраним ток Э-Б. Название - полевые транзисторы, т.к управляются только входным напряжением. (т.е. электрическим полем).
Любой транзистор можно представить в виде четырехполюсника.
В
полевых транзисторах IВХ
=
0, UВЫХ
и
IВЫХ
зависят
только от UВХ
(входного
напряжения).
В биполярных транзисторах (т.к. есть ток Э-Б) UВЫХ и IВЫХ зависят UВХ и IВХ. Считается, что биполярные транзисторы управляются напряжением и током, а полевые только напряжением.
Обозначение
полевых транзисторов:
n-канальные,
p-канальные.
Задача входного напряжения в цифровой схемотехнике индуцировании и разрушении канала (открыт-закрыт), а в аналоговой технике расширении или сужении канала (меньше-больше).
Что бы полностью предотвратить ток с затвора в канал (ток может быть, если переход между металлическим затвором и подложкой откроется), была предложена особая разновидность полевых транзисторов: МДП, МОП, МИП (MIS) – транзистор.
Затвор – металлический. Подложка, где может быть канал, а также исток, сток – полупроводниковый. Между ними расположен диэлектрик (как правило, оксид кремния SI02) т.е. изолятор (Metal-Isolator-Semiconductor).
П
ричем
канал может быть встроенным (в аналоговой
технике) или индуцированным (т.е.
создаваемым, наводимым – в цифровой
технике).
n-кан р-кан n-кан р-кан
с индуцирован. с встроенным
каналом каналом
4.2. Мдптл – логика на основе полевых мдп транзисторов
Достоинства:
1. Нет паразитных входных токов между затвором и истоком ( а в npn-транзисторах токи есть всегда Б-Э), и как следствие меньше проблем отвода тепла.
2. Очень компактны и дешевы в изготовлении – допускают большую концентрацию в кристалле (в 100 раз больше, чем npn-транзисторы).
Недостатки:
Отсутствие быстродействия: индицирование и рассасывание канала требует большего времени, чем открытие и закрытие pn-перехода.
Е
сли
во всех схемах ТЛ npn-транзистор
заменить на МДП-транзистор получаются
схемы МДПТЛ.
Этот инвертор построенный на основе разных транзисторов, но работающий аналагично: при UВХ = 0, RТР → ∞, цепь разомкнута, UВЫХ = UИСТ. При UВХ = 1, RТР → 0, UВЫХ = 0 (т.к. замкнута «на земле»)
Еще один, но преодолимый недостаток: если транзистор закрыт, токи не протекают, нет выделения тепла, но если транзистор открыт, протекают токи и выделяется тепло. Этот недостаток свойственен также и всем другим рассмотренным схемам. Но в случае МДП транзистора её удается весьма эффективно преодолеть.
