
- •С.Н. Гринфельд физические основы электроники
- •1. Электропроводность полупроводников
- •1.1. Строение и энергетические свойства кристаллов твердых тел
- •1.2. Электропроводность собственных полупроводников
- •1.3. Электропроводность примесных полупроводников
- •1.4. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках
- •2. Электронно-дырочный переход
- •2.1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
- •2.2. Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
- •2.3. Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
- •2.4. Вольт-амперная характеристика электронно- дырочного перехода. Пробой и емкость p-n-перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •3.1. Общие характеристики диодов
- •3.2. Виды диодов
- •4. Полупроводниковые транзисторы
- •4.1. Биполярные транзисторы
- •4.1.1. Общая характеристика
- •4.1.2. Принцип действия транзистора
- •4.1.3. Схемы включения транзисторов
- •4.1.5. Влияние температуры на статические характеристики бт
- •4.16. Составной транзистор
- •4.2. Полевые транзисторы
- •4.2.1. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом Структура и принцип действия пт
- •Характеристики птуп
- •Параметры птуп
- •Эквивалентная схема птуп
- •Схемы включения полевого транзистора
- •Температурная зависимость параметров птуп
- •4.2.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Структуры пт с изолированным затвором
- •Статические характеристики мдп-транзистора с индуцированным каналом
- •Статическая характеристика передачи (или сток – затвор)
- •Статические характеристики мдп-транзистора со встроенным каналом
- •Максимально допустимые параметры полевых транзисторов
- •5. Тиристоры
- •5.1. Классификация тиристоров
- •5.2. Диодные тиристоры (динисторы)
- •5.3. Триодные тиристоры
- •5.4. Симметричные тиристоры (симисторы)
- •5.5. Зависимость работы тиристора от температуры
- •6. Усилители
- •6.1. Классификация, основные характеристики и параметры усилителей
- •6.2. Искажения в усилителях
- •6.3. Обратные связи в усилителях
- •6.3.1. Виды обратных связей
- •6.3.2. Влияние последовательной отрицательной ос по напряжению на входное и выходное сопротивления усилителя
- •6.3.3. Влияние отрицательной ос на нелинейные искажения и помехи
- •6.3.4. Влияние отрицательной ос на частотные искажения
- •6.3.5. Паразитные ос и способы их устранения
- •6.4. Усилители низкой частоты
- •6.5. Каскады предварительного усиления
- •6.5.1. Каскад с оэ
- •6 Рис. 6.21. График разрешенной области надежной работы транзистора.5.2. Стабилизация режима покоя каскада с оэ
- •6.5.3. Работа каскада с оэ по переменному току
- •6.5.4. Каскад с ок
- •6.5.5. Усилительный каскад на полевом транзисторе
- •6.5.6. Схема с ос (истоковый повторитель)
- •7. Усилители постоянного тока
- •7.1. Определение усилителя постоянного тока. Дрейф нуля
- •7.2. Однотактные усилители прямого усиления
- •7.3. Дифференциальные усилители
- •7.3.1. Схема дифференциального каскада и ее работа при подаче дифференциального и синфазного входных сигналов
- •7.3.2. Схемы включения дифференциального усилителя
- •7.3.3. Коэффициент ослабления синфазного сигнала
- •7.3.4. Разновидности дифференциальных усилителей
- •8. Определение и основные характеристики операционных услителей
- •8.1. Устройство операционных усилителей
- •8.2. Характеристики операционных усилителей
- •Усилительные характеристики
- •Дрейфовые характеристики
- •Входные характеристики
- •Выходные характеристики
- •Энергетические характеристики
- •Частотные характеристики
- •Скоростные характеристики
- •8.3. Классификация оу
- •8.4. Применение операционных усилителей
- •Неинвертирующий усилитель на оу
- •Повторитель напряжения
- •И Рис. 8.12. Схема инвертирующего усилителянвертирующий усилитель
- •Инвертирующий сумматор
- •У Рис. 8.14. Схема усредняющего усилителясредняющий усилитель
- •Внешняя компенсация сдвига
- •Дифференциальный усилитель
- •Неинвертирующий сумматор
- •Интегратор
- •Дифференциатор
- •Логарифмический усилитель
- •Усилители переменного напряжения
- •9. Устройства сравнения аналоговых сигналов
- •9.1. Компараторы
- •9.2. Мультивибратор
- •10. Микроэлектроника
- •10.1. Основные определения
- •10.2. Типы Интегральных схем
- •10.2.1. Классификация ис
- •10.2.2. Полупроводниковые ис
- •10.2.3. Гибридные ис
- •10.3. Особенности интегральных схем как нового типа электронных приборов
- •ЛабораторНые рабоТы Лабораторная работа 1 исследование статистических характеристик биполярного транзистора
- •О Рис. 1. Схема исследования характеристик транзистора по схеме с оЭписание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работ
- •Лабораторная работа 2 исследование однокаскадного усилителя с общим эмиттером
- •Описание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Лабораторная работа 3 дифференциального усилителя постоянного тока
- •Описание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольная работа
- •Задание
- •Последовательность расчета усилителя
- •Последовательность Расчета усилителя в области низких частот
- •Экзаменационные вопросы
- •Литература
- •Содержание
- •Софья наумовна гринфельд физические основы электроники Учебное пособие
- •681013, Комсомольск-на-Амуре, пр. Ленина, 27.
Последовательность расчета усилителя
Выбирается сопротивление
из следующих соображений. Коэффициент
каскада прямо пропорционален
. Основным требованием к усилителю напряжения является обеспечение высоких коэффициентов усиления, с этой точки зрения
необходимо выбирать много больше
. С другой стороны, от значения
зависит требуемое напряжение питания каскада (
). Уравнение выходной цепи каскада по постоянному току имеет вид:
.
(1)
Из выражения (1)
видно, что увеличение
ведет к увеличению требуемого
,
поэтому
выбирается из условия:
= (3…5)
.
Определяется амплитуда переменной составляющей тока коллектора:
.
Задаются координаты точки покоя выходной цепи транзистора. Они должны удовлетворять условиям:
;
.
Для определения
принимают
=I…2 В;
определяют из условия:
=
(1,1…1,2)
.
Для транзисторов малой мощности,
рекомендуется задавать
не менее 1мА, чтобы точка покоя базовой
цепи не располагалась на нелинейном
участке входной ВАХ. Если расчетное
значение
не удовлетворяет последнему условию,
принимают
= 1 мА.
Определяется
каскада. Падение напряжения на сопротивлении
для обеспечения высокой температурной стабильности режима покоя выбирается из условия
= (0,1….0,3)
. Подставляя
в формулу (1), получим выражение для расчета
:
,
округлить
до большего целого числа.
Выбирается по справочнику транзистор из условий:
;
;
.
Определяется ток
.В справочной литературе приводится, как правило, диапазон изменения параметра
транзистора. При расчете берется среднее значение
. Для
по входной ВАХ, соответствующей
, определяется напряжение
. Точка покоя входной цепи транзистора должна располагаться на линейном участке ВАХ, в противном случае нужно увеличить
и повторить расчет. При этом параметры выбранного транзистора могут перестать отвечать условиям (п.5), в этом случае необходимо выбрать транзистор другого типа.
Задается ток делителя
= (2…5)
, рассчитываются сопротивления
,
и
по формулам:
=
;
=
;
.
Напряжения в формулы берутся по абсолютной величине.
Производится расчет каскада по переменному току.
В
Схема
замещения каскада по переменному токутранзистора), т.к. напряжение ОС,
действующее на входе каскада
много меньше
.
Сопротивления входного делителя
и
представлены в схеме замещения
сопротивлением
=
=
||
.
По схеме замещения определяются параметры каскада по переменному току:
=
=
||
;
=
||
.
(сопротивление
относительно выходных зажимов при
отключенном
);
=
;
=
=
.
Для
правильно рассчитанного каскада значение
должно составлять (0,7...0,85)
.Коэффициент усиления
должен быть много больше единицы.
Ззначение
каскадов с ОЭ определяется значением
параметра
транзистора и соотношением между
и значением параметра
транзистора, и может составлять (102…103)
и выше при использовании транзисторов
с большим коэффициентом передачи
тока базы.
Определяется необходимое для управления каскадом амплитудное значение входного напряжения:
.
Весь размах
должен укладываться на линейном
участке входной ВАХ, иначе сигнал будет
усилен с большими нелинейными искажениями.
Искажения могут возникнуть, если при
изменении
от
до
=
–
рабочая точка входной цепи транзистора
выходит за границу линейного участка
входной ВАХ. На входной ВАХ находят
точку, соответствующую
.
Если точка располагается на нелинейном
участке входной ВАХ, необходимо увеличить
и повторить расчет, начиная с пункта
4.