
- •С.Н. Гринфельд физические основы электроники
- •1. Электропроводность полупроводников
- •1.1. Строение и энергетические свойства кристаллов твердых тел
- •1.2. Электропроводность собственных полупроводников
- •1.3. Электропроводность примесных полупроводников
- •1.4. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках
- •2. Электронно-дырочный переход
- •2.1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
- •2.2. Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
- •2.3. Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
- •2.4. Вольт-амперная характеристика электронно- дырочного перехода. Пробой и емкость p-n-перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •3.1. Общие характеристики диодов
- •3.2. Виды диодов
- •4. Полупроводниковые транзисторы
- •4.1. Биполярные транзисторы
- •4.1.1. Общая характеристика
- •4.1.2. Принцип действия транзистора
- •4.1.3. Схемы включения транзисторов
- •4.1.5. Влияние температуры на статические характеристики бт
- •4.16. Составной транзистор
- •4.2. Полевые транзисторы
- •4.2.1. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом Структура и принцип действия пт
- •Характеристики птуп
- •Параметры птуп
- •Эквивалентная схема птуп
- •Схемы включения полевого транзистора
- •Температурная зависимость параметров птуп
- •4.2.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Структуры пт с изолированным затвором
- •Статические характеристики мдп-транзистора с индуцированным каналом
- •Статическая характеристика передачи (или сток – затвор)
- •Статические характеристики мдп-транзистора со встроенным каналом
- •Максимально допустимые параметры полевых транзисторов
- •5. Тиристоры
- •5.1. Классификация тиристоров
- •5.2. Диодные тиристоры (динисторы)
- •5.3. Триодные тиристоры
- •5.4. Симметричные тиристоры (симисторы)
- •5.5. Зависимость работы тиристора от температуры
- •6. Усилители
- •6.1. Классификация, основные характеристики и параметры усилителей
- •6.2. Искажения в усилителях
- •6.3. Обратные связи в усилителях
- •6.3.1. Виды обратных связей
- •6.3.2. Влияние последовательной отрицательной ос по напряжению на входное и выходное сопротивления усилителя
- •6.3.3. Влияние отрицательной ос на нелинейные искажения и помехи
- •6.3.4. Влияние отрицательной ос на частотные искажения
- •6.3.5. Паразитные ос и способы их устранения
- •6.4. Усилители низкой частоты
- •6.5. Каскады предварительного усиления
- •6.5.1. Каскад с оэ
- •6 Рис. 6.21. График разрешенной области надежной работы транзистора.5.2. Стабилизация режима покоя каскада с оэ
- •6.5.3. Работа каскада с оэ по переменному току
- •6.5.4. Каскад с ок
- •6.5.5. Усилительный каскад на полевом транзисторе
- •6.5.6. Схема с ос (истоковый повторитель)
- •7. Усилители постоянного тока
- •7.1. Определение усилителя постоянного тока. Дрейф нуля
- •7.2. Однотактные усилители прямого усиления
- •7.3. Дифференциальные усилители
- •7.3.1. Схема дифференциального каскада и ее работа при подаче дифференциального и синфазного входных сигналов
- •7.3.2. Схемы включения дифференциального усилителя
- •7.3.3. Коэффициент ослабления синфазного сигнала
- •7.3.4. Разновидности дифференциальных усилителей
- •8. Определение и основные характеристики операционных услителей
- •8.1. Устройство операционных усилителей
- •8.2. Характеристики операционных усилителей
- •Усилительные характеристики
- •Дрейфовые характеристики
- •Входные характеристики
- •Выходные характеристики
- •Энергетические характеристики
- •Частотные характеристики
- •Скоростные характеристики
- •8.3. Классификация оу
- •8.4. Применение операционных усилителей
- •Неинвертирующий усилитель на оу
- •Повторитель напряжения
- •И Рис. 8.12. Схема инвертирующего усилителянвертирующий усилитель
- •Инвертирующий сумматор
- •У Рис. 8.14. Схема усредняющего усилителясредняющий усилитель
- •Внешняя компенсация сдвига
- •Дифференциальный усилитель
- •Неинвертирующий сумматор
- •Интегратор
- •Дифференциатор
- •Логарифмический усилитель
- •Усилители переменного напряжения
- •9. Устройства сравнения аналоговых сигналов
- •9.1. Компараторы
- •9.2. Мультивибратор
- •10. Микроэлектроника
- •10.1. Основные определения
- •10.2. Типы Интегральных схем
- •10.2.1. Классификация ис
- •10.2.2. Полупроводниковые ис
- •10.2.3. Гибридные ис
- •10.3. Особенности интегральных схем как нового типа электронных приборов
- •ЛабораторНые рабоТы Лабораторная работа 1 исследование статистических характеристик биполярного транзистора
- •О Рис. 1. Схема исследования характеристик транзистора по схеме с оЭписание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работ
- •Лабораторная работа 2 исследование однокаскадного усилителя с общим эмиттером
- •Описание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Лабораторная работа 3 дифференциального усилителя постоянного тока
- •Описание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольная работа
- •Задание
- •Последовательность расчета усилителя
- •Последовательность Расчета усилителя в области низких частот
- •Экзаменационные вопросы
- •Литература
- •Содержание
- •Софья наумовна гринфельд физические основы электроники Учебное пособие
- •681013, Комсомольск-на-Амуре, пр. Ленина, 27.
7.3.2. Схемы включения дифференциального усилителя
Можно выделить четыре схемы включения ДУ:
симметричный вход и выход;
симметричный вход и несимметричный выход;
несимметричный вход и симметричный выход;
несимметричный вход и выход.
Рассмотрим их последовательно при воздействии рабочего входного сигнала.
1.При симметричном входе источник входного сигнала (см. рис. 7.4) подключается между входами ДУ (между базами транзисторов Т1и Т2). При симметричном выходе сопротивление нагрузки подключается между выходами ДУ (между коллекторами транзисторов Т1и Т2). Такое включение ДУ и было рассмотрено в разделе 7.2. Теперь остановимся на определении параметров симметричного включения ДУ.
Проанализируем работу одного плеча, т.е. одного каскада ОЭ, входящего в ДУ. Для этого представим плечо ДУ в виде, изображенном на рис. 7.5. Здесь отсутствует резистор Rэ, поскольку, он не участвует в работе на дифференциальном сигнале. Для входного сопротивления плеча ДУ (Rвх пл), можно записать:
Rвх.пл=rб+rэ(β + 1) +R0(β + 1) =h11э+ βR0. (7.1)
Здесь опущены индексы для номеров резисторов, так как плечи ДУ практически симметричны. Слагаемое βR0 вносится за счет последовательной ООС. ПриR0 = 0 уравнение (7.1) для нашего случая можно упростить до следующего вида:
Rвх.пл = βrэ(7.2)
М
Рис.
7.5. Схема одного плеча ДУ
Ku пл= (Uвх.пл / 2)(2 /Eг) = (Uвх.пл/Eг) = Кu диф
т.е. коэффициент усиления по напряжению всего ДУ равен Ku пл. В нашем случае дляKu плможно переписать в несколько измененном виде:
.
(7.3)
Здесь учтено, что к выходу одного плеча подключается только половина RH. Действительно, средняя точка резистораRHдля рассматриваемого режима ДУ всегда будет иметь нулевой потенциал (потенциал общей шины).
Если Rк< (Rн / 2),Rвх.пл >Rги β велико, то формулу (7.3) можно переписать в следующем приближенном виде:
Кu диф=Rк /rэ. (7.4)
Учитывая изложенное ранее, коэффициент усиления ДУ по току можно представить в виде выражения (7.4), заменив RкнаRн/2. Нетрудно показать, что значение выходного сопротивления ДУ для рассматриваемой схемы его включения равно удвоенному значению выходного сопротивления плеча (Rвых пл), которое для каскада ОЭ можно считать равнымRк.
2.Теперь остановимся на схеме включения ДУ с симметричным входом и несимметричным выходом. В этом случае источник входного сигнала подключается между входами ДУ; сопротивление нагрузки подключается одним концом к коллектору одного из транзисторов, а другим — к общей шине. При этом в коллекторной цепи второго транзистора может отсутствовать резисторRк. Поскольку способ подачи входного сигнала здесь совпадает с ранее рассмотренным случаем (см. пункт 1), то входное сопротивление также можно определить с помощью формулы (7.1) или (7.2). Однако выходной сигнал снимается лишь с одного выхода ДУ, следовательно, выходное сопротивление ДУ равно:Rвыхпл=Rк. По той же причине Кu дифоказывается в 2 раза меньше, чем при симметричном выходе.
3. Интересна схема включения ДУ с несимметричным входом и симметричным выходом. Для удобства восприятия специфики этого включения ДУ (рис. 7.6) приведена его принципиальная схема. ЗдесьRо = 0, а входной сигнал подается на базу транзистора Т1. Плечо, образованное транзистором Т1, является каскадом ОЭ с ООС, образуемой резисторомRэ. Коэффициент усиления Кu плдля него может быть рассчитан по формуле (7.3), а коэффициентRвыхпл- формуле (7.1), гдеR0 следует заменить наRэ. У этого плеча ДУ есть и выход с эмиттера, где коэффициент усиления по напряжению для эмиттерного выхода Кu к < Кu пл.
С эмиттерного выхода плеча ДУ будет сниматься неинвертированный сигнал с Кu к , который можно представить в следующем виде:
,
(7.5)
где Rвхб- входное сопротивление каскада ОБ, который является плечом ДУ, образованным транзистором Т2. Для эмиттерного выхода первого плечаRвхбявляется сопротивлением нагрузки. Формула (7.5) справедлива приRэ >Rвхб. Для каскада ОБ, образованного транзистором Т2, коэффициент усиления по напряжению равен:
.
(7.6)
Ф
Рис.
7.6. Схема ДУ с несимметричным входом
4.При несимметричном входе и выходе работа ДУ происходит аналогично работе предыдущей схемы включения ДУ (пункт 3). Если входной сигнал подан на вход того же плеча, с выхода которого снимается выходной сигнал ДУ, то в этом случае работает на усиление сигнала лишь одно плечо. Здесь на выходе будет инвертированный сигнал с коэффициентом усиления Кu пл.Если входной сигнал подан на вход одного плеча ДУ, а выходной сигнал снимается с выхода другого плеча, то на выходе появится неинвертированный сигнал с тем же коэффициентом усиления Кu пл, что и в первом случае. Если снимать выходной сигнал всегда с одного заданного выхода ДУ, то входам усилителя можно присвоить названия «инвертирующий» и «неинвертирующий».
Все изложенное показывает, что усилительные параметры ДУ для рабочего сигнала зависят от схемы его включения, которая выбирается в зависимости от конкретных технических требований.