
- •С.Н. Гринфельд физические основы электроники
- •1. Электропроводность полупроводников
- •1.1. Строение и энергетические свойства кристаллов твердых тел
- •1.2. Электропроводность собственных полупроводников
- •1.3. Электропроводность примесных полупроводников
- •1.4. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках
- •2. Электронно-дырочный переход
- •2.1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
- •2.2. Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
- •2.3. Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
- •2.4. Вольт-амперная характеристика электронно- дырочного перехода. Пробой и емкость p-n-перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •3.1. Общие характеристики диодов
- •3.2. Виды диодов
- •4. Полупроводниковые транзисторы
- •4.1. Биполярные транзисторы
- •4.1.1. Общая характеристика
- •4.1.2. Принцип действия транзистора
- •4.1.3. Схемы включения транзисторов
- •4.1.5. Влияние температуры на статические характеристики бт
- •4.16. Составной транзистор
- •4.2. Полевые транзисторы
- •4.2.1. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом Структура и принцип действия пт
- •Характеристики птуп
- •Параметры птуп
- •Эквивалентная схема птуп
- •Схемы включения полевого транзистора
- •Температурная зависимость параметров птуп
- •4.2.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Структуры пт с изолированным затвором
- •Статические характеристики мдп-транзистора с индуцированным каналом
- •Статическая характеристика передачи (или сток – затвор)
- •Статические характеристики мдп-транзистора со встроенным каналом
- •Максимально допустимые параметры полевых транзисторов
- •5. Тиристоры
- •5.1. Классификация тиристоров
- •5.2. Диодные тиристоры (динисторы)
- •5.3. Триодные тиристоры
- •5.4. Симметричные тиристоры (симисторы)
- •5.5. Зависимость работы тиристора от температуры
- •6. Усилители
- •6.1. Классификация, основные характеристики и параметры усилителей
- •6.2. Искажения в усилителях
- •6.3. Обратные связи в усилителях
- •6.3.1. Виды обратных связей
- •6.3.2. Влияние последовательной отрицательной ос по напряжению на входное и выходное сопротивления усилителя
- •6.3.3. Влияние отрицательной ос на нелинейные искажения и помехи
- •6.3.4. Влияние отрицательной ос на частотные искажения
- •6.3.5. Паразитные ос и способы их устранения
- •6.4. Усилители низкой частоты
- •6.5. Каскады предварительного усиления
- •6.5.1. Каскад с оэ
- •6 Рис. 6.21. График разрешенной области надежной работы транзистора.5.2. Стабилизация режима покоя каскада с оэ
- •6.5.3. Работа каскада с оэ по переменному току
- •6.5.4. Каскад с ок
- •6.5.5. Усилительный каскад на полевом транзисторе
- •6.5.6. Схема с ос (истоковый повторитель)
- •7. Усилители постоянного тока
- •7.1. Определение усилителя постоянного тока. Дрейф нуля
- •7.2. Однотактные усилители прямого усиления
- •7.3. Дифференциальные усилители
- •7.3.1. Схема дифференциального каскада и ее работа при подаче дифференциального и синфазного входных сигналов
- •7.3.2. Схемы включения дифференциального усилителя
- •7.3.3. Коэффициент ослабления синфазного сигнала
- •7.3.4. Разновидности дифференциальных усилителей
- •8. Определение и основные характеристики операционных услителей
- •8.1. Устройство операционных усилителей
- •8.2. Характеристики операционных усилителей
- •Усилительные характеристики
- •Дрейфовые характеристики
- •Входные характеристики
- •Выходные характеристики
- •Энергетические характеристики
- •Частотные характеристики
- •Скоростные характеристики
- •8.3. Классификация оу
- •8.4. Применение операционных усилителей
- •Неинвертирующий усилитель на оу
- •Повторитель напряжения
- •И Рис. 8.12. Схема инвертирующего усилителянвертирующий усилитель
- •Инвертирующий сумматор
- •У Рис. 8.14. Схема усредняющего усилителясредняющий усилитель
- •Внешняя компенсация сдвига
- •Дифференциальный усилитель
- •Неинвертирующий сумматор
- •Интегратор
- •Дифференциатор
- •Логарифмический усилитель
- •Усилители переменного напряжения
- •9. Устройства сравнения аналоговых сигналов
- •9.1. Компараторы
- •9.2. Мультивибратор
- •10. Микроэлектроника
- •10.1. Основные определения
- •10.2. Типы Интегральных схем
- •10.2.1. Классификация ис
- •10.2.2. Полупроводниковые ис
- •10.2.3. Гибридные ис
- •10.3. Особенности интегральных схем как нового типа электронных приборов
- •ЛабораторНые рабоТы Лабораторная работа 1 исследование статистических характеристик биполярного транзистора
- •О Рис. 1. Схема исследования характеристик транзистора по схеме с оЭписание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работ
- •Лабораторная работа 2 исследование однокаскадного усилителя с общим эмиттером
- •Описание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Лабораторная работа 3 дифференциального усилителя постоянного тока
- •Описание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольная работа
- •Задание
- •Последовательность расчета усилителя
- •Последовательность Расчета усилителя в области низких частот
- •Экзаменационные вопросы
- •Литература
- •Содержание
- •Софья наумовна гринфельд физические основы электроники Учебное пособие
- •681013, Комсомольск-на-Амуре, пр. Ленина, 27.
6.5.4. Каскад с ок
В усилительном каскаде с ОК (рис. 6.26) входной сигнал поступает на базу транзистора по отношению к общей точке, с которым через малое сопротивление источника питания Eкпо переменному току соединен коллектор. Выходной сигнал снимается с эмиттера и через разделительный конденсаторCр2подается в нагрузку. В схеме действует 100 %-я ООС по напряжению.
Т
Рис. 6.26. Усилительный
каскад с ОК
Rк~ =Rэ·Rн/ (Rэ+Rн).
В отличие от схемы с ОЭ входное и выходное напряжения каскада с ОК совпадают по фазе, при подаче входного сигнала базовый ток увеличивается, вызывая возрастание эмиттерного тока. Это приводит к увеличению падения напряжения на сопротивлении Rэи, следовательно, на сопротивлении нагрузкиRн.
Из схемы (см. рис. 6.26) видно, что
Uвх=Uбэ+Uвых,
так как Rн~ много больше сопротивления эмиттерного перехода (Uвых>>Uбэ). ПоэтомуKu=Uвых/Uвхблизок к единице, однако меньше ее. Таким образом, в схеме с ОК выходной сигнал повторяет входной по уровню напряжения и по фазе. Поэтому схема с ОК называется «эмиттерный повторитель». Эта схема не обеспечивает усиления по напряжению, но имеет достаточно высокий коэффициент усиления по току и, следовательно, по мощности.
С
Рис.
6.27. Схема замещения каскада с ОК
;
;
;
;
.
Входное сопротивление достаточно велико (десятки килоом), что является одним из важнейших преимуществ каскада ОК. Выходное сопротивление ЭП небольшое и составляет десятки ом
Таким образом, основными особенностями эмиттерного повторителя являются следующие:
коэффициент усиления по напряжению меньше единицы;
усиление по току и мощности больше единицы;
малые частотные искажения;
входное сопротивление каскада значительно больше, чем у каскада с ОЭ;
выходное сопротивление значительно меньше, чем у каскада с ОЭ и практически не зависит от сопротивления резистора выходной цепи каскада в достаточно широком диапазоне его изменения;
большой динамический диапазон входных сигналов при низком уровне нелинейных искажений, это объясняется тем, что потенциал эмиттера практически повторяет потенциал базы (Uбэ → 0), который может изменяться от 0 до напряжений близких к Eк.
Эмиттерный повторитель широко используется в качестве:
входного каскада при работе от источника входного сигнала с высоким внутренним сопротивлением;
промежуточного каскада для согласования высокого выходного сопротивления с малым входным сопротивлением последнего каскада;
выходного каскада при работе на низкоомную нагрузку.
6.5.5. Усилительный каскад на полевом транзисторе
Усилительный каскад на полевом транзисторе (ПТ) имеет такую же структуру, как и усилительный каскад на биполярном транзисторе (БТ). Отличительными особенностями ПТ являются:
чрезвычайно малые токи во входной цепи, а следовательно, и малая мощность, необходимая для управления прибором;
линейная зависимость крутизны от управляющего напряжения, возможность работы в качестве сопротивления, управляемого напряжением;
наличие термостабильной точки у транзисторов с обратносмещенным переходом затвор-исток;
повышенная радиационная стойкость;
малый уровень шумов;
простота технологии при их производстве.
По аналогии с БТ в зависимости от того, какой электрод подключается к общей шине различают три схемы включения ПТ:
с общим истоком (ОИ);
с общим стоком (ОС);
с общим затвором (ОЗ).
Схема с ОЗ обладает низким входным сопротивлением и потому имеет ограниченное практическое применение. Основным и наиболее распространенным является каскад с ОИ.
Схема с ОИ (рис. 6.28) соответствует схеме с ОЭ для биполярного транзистора, но поскольку входная цепь полевых транзисторов не потребляет тока от источника сигнала входное сопротивление усилителя чрезвычайно велико. В этой схеме емкости Cр1,Cр2– играют роль разделительных элементов. СопротивлениеRсявляется нагрузкой ПТ по постоянному току (аналогично сопротивлениюRкв схеме с ОЭ).
В усилителе применено автоматическое смещение. Цепочка RиCив цепи истока служит для получения напряжения автоматического смещения и выбора рабочей точки на стоко-затворной характеристике ПТ.
Падение напряжения на Rиот тока покоя транзистора (Iсп) создает смещение потенциала истока относительно общей точки на величину
Uип=IспRи,
а потенциал затвора равен нулю, так как падение напряжения от тока затвора на сопротивлении Rзпренебрежимо мало (Iз→ 0). В итоге напряжение между затвором и истоком в режиме покоя будет равно:
Uзип=IспRи.
Резистор Rи, кроме функции автоматического смещения на затвор, выполняет также функцию термостабилизации режима покоя. Чтобы исключить ООС по переменному току резисторRишунтируется конденсаторомCи. Для максимальной термостабилизации каскада токIcпжелательно выбирать в термостабильной точке.
Р
Рис.
6.28. Принципиальная схема усилителя на
полевом транзисторе.
Д
Рис.
6.29. Графическое представление работы
каскада на
полевом транзисторе
Линия нагрузки графически соответствует уравнению выходной цепи каскада:
Uси=Eс–Iс(Rс+Rи).
Линия нагрузки по переменному току определяется сопротивлением:
Rн~ =RС ׀׀Rн.
Но если Rн>>Rс(а это выполняется, когда нагрузкой на ПТ является каскад с ОЭ), в этом случаеRвых птявляется внутренним сопротивлением источника сигнала, а от его значения зависит коэффициент усиления каскада с ОЭ:
Ku оэ= β·Rн~ / (Rвх+Rг).
Обычно задают Rc< 0,1Rн.
Линия нагрузки по переменному току незначительно отличается от линии нагрузки по постоянному току.
Рассмотрим работу каскада (см. рис. 6.28) по переменному току (рис. 6.29). Входной сигнал (Uвх) поступает на затвор транзистора через разделительный конденсаторCр1, создает токиIR1иIRзделителя. При этом в цепи затвора тока практически нет. Под действием входного напряжения изменяется сопротивление транзистора и в токе стока появляется переменная составляющая (Ic~),часть которой (IRc~), проходит через стоковый резисторRс, а остальная через резистор нагрузкиRн. При прохождении токаIc~ через параллельно включенные резисторыRсиRнна них образуется выходной усиленный сигнал:
Uвых=Ic~(Rс||Rн).
Основные параметры каскада получим также с помощью эквивалентной схемы для средних частот (рис. 6.30).
По
схеме замещения определяются основные
параметры каскада по переменному току:
Рис.
6.30. Схема замещения каскада с общим
истоком
;
;
.