3.4 Сурет

МТШ технологиясымен құрылған ROM(M) құрылымының матрицасының қиылыстарында орналастырылатын жады элементі ретінде МТШ-транзисторлар қолданылады (3.5 сурет). Құрылымның сәйкесті қиылысындағы нөл мәнін сақтаушы МТШ-транзисторларының арнасы мен жапқышының арасындағы тотық қабатының қалыңдығы ұлғайтылады да, ол транзистордың шекті ашылым кернеуін өсіреді, яғни ол ашылмайтын жағдайға келтіріледі, ал бір мәнін сақтаушы транзисторлардың тотық қабатының қалыңдығы оның дешифратордан түсетін талғам сигналымен ашылатындай мөлшерге қойылады.

3.5 Сурет

ROM(M) түрлі жады құрылғыларының жады элементтері өте аз орын алады, демек сәйкесті микросұлбалардың жиналым деңгейі жоғары болады. Бірақ жиналымды технологиялық тәсілмен бағдарлауға арналған маскаларды жобалау мен жасауға кететін қаражат аса жоғары болады. Бұндай қаражат олардың кең қолданылатын жағдайында ғана ақталады. Бұдан олардың қолданылым аймағы да анықталады, олар – тұтынушылардың көпшілігіне қажетті, стандартты ақпарат сақтау. Мысалы, маскалы бағдарламалы жады құрылғыларында алфавит (орысша және латынша) символдарының, қалыпты функциялардың (синустың, квадраттық функциялардың және т.б.) кестелері, стандартты бағдарламалар және с.с. кең қолданылымды ақпараттың “тігілімдері¹” болады.

PROM (Programmable ROM) түрлі жады құрылғыларының микросұлбалары арнайы жалғамаларды жою немесе оларды құру арқылы бағдарланады. Микросұлбаның бастапқы дайындалымында барлық жалғамалар болады (немесе ешқандай жалғама болмайды). Бағдарлаудан кейін олардың қажеттілері ғана қалады (немесе құрылады).

Жойылымды жалғамалы жады құрылғыларының бастапқы микросұлбасында барлық жалғама орналастырылған (яғни жады матрицасының барлық қиылысында лог.1 тұрады). Бағдарлау кезінде олардың кейбірі амплитудасы мен ұзақтығы жеткілікті мөлшердегі ток импульстарымен еріту арқылы жойылады (яғни жады матрицасының сәйкесті қиылыстарына лог.0 жазылады). Ерітілме жалғамалар диодтардың немесе транзисторлардың электродтарына қосылады (3.6, a-сурет).

Құрылымды жалғамалы жады құрылғыларының бастапқы микросұлбасының құрамындағы жады матрицасының барлық қиылысында қарсы қосылымды диод түріндегі құрылым орналастырылған (3.6, b-суретті қара). Қосдиодты құрылымның бастапқы жағдайдағы кедергісі жоғары болады да, бұл қиылыстардың ажыратылған жағдайына, яғни онда лог.0 сақталған элемент тұрғанына сәйкес келеді. Нақтылы қиылыстарды лог.1 жағдайына келтіру үшін, яғни онда бір жазу үшін, бұндағы диодтарға жоғары мәнді кернеу беру арқылы кері бағытта қосылған диод тесіліп, бұл қиылыс тұйықталады да, онда ток жүргізуші жалғама туады.

a	b

3.6 Сурет

Қайта бағдарламалы EPROM және EEPROM түрлі жады құрылғыларында ескі информацияны өшіріп, оның орнына жаңа ақпарат жазу мүмкіндігі қамтылған. Бұл операциялар (өшіру және жазу) олардың жұмыс режимінен шығарылған арнайы жағдайда жүргізіледі. Ақпараттың өшірілуі EPROM құрылымында ультракүлгін сәулесімен, ал EEPROM құрылымында электрлік тәсілмен жүзеге асырылады.

Қазіргі заманғы қайта бағдарламалы жады құрылғыларының жады элементтері ретінде жұмысы қалқыма жаппаның тудырылуына негізделген МНТШ-транзисторлар (Металл, Нитрид, Тотық, Шалаөткізгіш) мен ЗТИМТШ-транзисторлар (Зарядтардың Тасқынды Инжекциясына МТШ-транзисторлар) қолданылады [1].