- •Предисловие
- •Глава 1
- •§ 1.2. Линейчатые спектры атомов и теория бора о строении атома
- •§ 1.3. Дискретность энергетических уровней
- •§ 1.4. Волновое уравнение электрона. Квантовые числа
- •§ 1.5. Электронное строение атомов
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 2 строение твердого тела
- •§ 2.1. Химическая связь в молекулах
- •§ 2.2. Агрегатные состояния вещества
- •§ 2.3. Кристаллическая структура твердого тела
- •§ 2.4. Химические связи в кристаллах
- •§ 2.5. Обозначение плоскостей и направления в кристалле
- •§ 2.6. Тепловые колебания атомов
- •§ 2.7. Дефекты кристаллов
- •§ 2.8. Определение структуры кристалла
- •2.9. Жидкие кристаллы
- •Глава 3
- •§ 3.1. Электронные состояния в твердых телах
- •§ 3.2. Металлы, диэлектрики и полупроводники с точки зрения зонной теории
- •§ 3.3. Статистика носителей заряда в твердом теле
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 4
- •§ 4.1. Вывод формулы электропроводности твердых тел
- •§ 4.2. Электропроводность металлов
- •§ 4.3. Сверхпроводимость металлов
- •§ 4.4. Электропроводность собственных полупроводников
- •§ 4.5. Примесные полупроводники
- •§ 4.6. Температурная зависимость
- •§ 4.7. Полупроводники в области криогенных температур и сверхпроводимость полупроводников
- •§ 4.8. Измерение удельного сопротивления полупроводников
- •§ 4.9. Определение типа электропроводности полупроводников
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 5 кинетические явления в полупроводниках
- •§ 5.1. Влияние сильных электрических полей на электропроводность полупроводников
- •§ 5.2. Эффект ганна
- •§ S.3. Неравновесные носители заряда
- •§ 5.Л. Неоднородные полупроводники. Диффузионные и дрейфовые токи
- •§ 5.5. Измерение параметров полупроводников
- •§ 5.6. Гальваномагнитные эффекты
- •§ 5.7. Термомагнитные эффекты
- •§ 5.8. Тепловые свойства полупроводников
- •Контрольные вопросы и задачи
- •§ 6.1. Работа выхода и контактная
- •§ 6.2. Контакт полупроводника и металла
- •§ 6.3. Выпрямление на контакте полупроводника
- •§ 6.4. Контакт металла с электролитом
- •§ 6.5. Строение двойного слоя
- •§ 6.6. Контакт полупроводника с электролитом
- •§ 6.7. Собственный потенциал электрода. Методы его измерения
- •§ 6.8. Вольт-амперные характеристики контакта металла и полупроводника с электролитом
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 7
- •§ 7.1. Образование p-n-переходов
- •§ 7.2. Классификация р-n-переходов
- •% 7.3. Природа токов через р-n-переход
- •§ 7.5. Гетеропереходы
- •§ 7.6. Перенос носителей в тонких пленках
- •§ 7.7. Токи в диэлектрических и полупроводниковых пленках, ограниченные пространственным зарядом
- •§ 7.8. Сверхрешетки
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 8
- •Термоэлектрические
- •И фотоэлектрические свойства
- •Полупроводников
- •§ 8.1. Термоэлектрические явления
- •§ 8.2. Фотопроводимость
- •§ 8.3. Спектр поглощения полупроводников. Квантовый выход
- •§ 8.4. Рекомбинация носителей заряда
- •§ 8.5. Люминесценция
- •§ 8.7. Квантовые генераторы
- •§ 8.8. Твердотельные лазеры
- •§ 8.9. Понятие об оптоэлектронике
- •Контрольные вопросы
- •Поверхностные свойства полупроводников
- •9.1. Особенности строения поверхности полупроводников
- •§ 9.2. Образование поверхностного заряда
- •§ 9.3. Явление адсорбции на поверхности полупроводников
- •§ 9.4. Поверхностная электропроводность
- •§ 9.5. Эффект поля ;
- •§ 9.6. Физические явления при переносе носителей
- •§ 9.7. Каналы проводимости
- •§ 9.8. Поверхностная рекомбинация
- •§ 9.9. Быстрые и медленные состояния
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 10
- •§ 10.1. Влияние свойств поверхности на параметры 1
- •§ 10.2. Ток поверхностной утечки
- •§ 10.3. Стабильность характеристик приборов
- •§ 10.4. Стабилизация поверхностного заряда
- •Контрольны вопросы
- •Глава 11 свойства тонких пленок
- •§ 11.1. Особенности структуры пленок
- •К чему приводит дрейф обратного тока?
- •§ 11.3. Эпитаксиальные слои
- •§ 11.5. Ферромагнитные пленки
- •Контрольные вопросы
- •Оглавление
§ 6.5. Строение двойного слоя
На электроде процесс обмена носителями заряда с нонами протекает в том случае, если заряженная частица проходит через двойной слой из раствора к электроду или в обратном направле-
нии, причем ион будет испытывать влияние электрического поля двойного слоя.
В любом растворе электролита концентрация катионов и анионов одинакова: nа = nк. При погружении металла в раствор это равенство нарушается на расстоянии, равном толщине двойного слоя. В сильно концентрированном растворе диффузионная часть двойного слоя практически отсутствует (рис. 6.19), поскольку затруднена диффузия катионов в глубь раствора. Катионам, перешедшим из металла, нужно затратить довольно большую энергию на раздвигание ионов раствора. В разбавленных растворах изменение
132
концентрации анионов и концентрации катионов происходит плавно, так как здесь имеется широкая диффузионная часть (рис. 6.20). Толщина диффузионной части двойного слоя возрастает с увеличением энергии теплового движения, обусловленной ростом температуры раствора. При одинаковой температуре и концентрации ширина двойного слоя уменьшается с увеличением валентности ионов. Увеличение общего скачка потенциала метала— раствор
напряженности электрического поля. В возникновении скачка потенциала на поверхности электрода большую роль играет адсорбция ионов или полярных молекул. В том случае когда поверхность металла способна адсорбировать катионы раствора, в непосредственной близости к електроду будет находиться такое количество катионов, положительний заряд которых численно превышает отрицательный заряд электрода Часть катионов двойного слоя уходит в раствор от поверхности електрода, в то время как другая частьоказывается притянутой адсорбционными силами из раствора. На некотором расстоянии от электрода двойной слой кончится, и раствор станет электронейтральным (рис. 6.21).
Изменение строений двойного слоя вызывается прохождением
електрического тока. Приложение внешнего поля к электродуизменяяет величину скачка потенциала и концентрацию катионов у поверхности металла. Прохождение тока сопровождается осаждением ионов металла из раствора электролита на электродах. Кроме того на электродах происходит разряд ионов водорода и гидроксильных групп. На катоде восстанавливаются катионы водорода, приводит к адсорбции его атомов и выделению газа. На аноде заряжаются гидроксильные группы с образованием кислорода и дальнейшей его адсорбцией.
§ 6.6. Контакт полупроводника с электролитом
Наличие на поверхности полупроводника пространственного заряда влияет на образование двойного слоя на границе полупроводник— электролит. Фактически межфазовая граница полупроводник — электролит состоит из трех частей: слоя пространственного заряда, плотной части двойного слоя, диффузионной части двойного слоя.
133
Ширина области пространственного заряда может достигать 10—3—10—6 см. Общий скачок потенциала складывается из падения потенциала в области пространственного потенциала, в плотной и диффузионной частях {рис. 6.22).
