- •Предисловие
- •Глава 1
- •§ 1.2. Линейчатые спектры атомов и теория бора о строении атома
- •§ 1.3. Дискретность энергетических уровней
- •§ 1.4. Волновое уравнение электрона. Квантовые числа
- •§ 1.5. Электронное строение атомов
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 2 строение твердого тела
- •§ 2.1. Химическая связь в молекулах
- •§ 2.2. Агрегатные состояния вещества
- •§ 2.3. Кристаллическая структура твердого тела
- •§ 2.4. Химические связи в кристаллах
- •§ 2.5. Обозначение плоскостей и направления в кристалле
- •§ 2.6. Тепловые колебания атомов
- •§ 2.7. Дефекты кристаллов
- •§ 2.8. Определение структуры кристалла
- •2.9. Жидкие кристаллы
- •Глава 3
- •§ 3.1. Электронные состояния в твердых телах
- •§ 3.2. Металлы, диэлектрики и полупроводники с точки зрения зонной теории
- •§ 3.3. Статистика носителей заряда в твердом теле
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 4
- •§ 4.1. Вывод формулы электропроводности твердых тел
- •§ 4.2. Электропроводность металлов
- •§ 4.3. Сверхпроводимость металлов
- •§ 4.4. Электропроводность собственных полупроводников
- •§ 4.5. Примесные полупроводники
- •§ 4.6. Температурная зависимость
- •§ 4.7. Полупроводники в области криогенных температур и сверхпроводимость полупроводников
- •§ 4.8. Измерение удельного сопротивления полупроводников
- •§ 4.9. Определение типа электропроводности полупроводников
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 5 кинетические явления в полупроводниках
- •§ 5.1. Влияние сильных электрических полей на электропроводность полупроводников
- •§ 5.2. Эффект ганна
- •§ S.3. Неравновесные носители заряда
- •§ 5.Л. Неоднородные полупроводники. Диффузионные и дрейфовые токи
- •§ 5.5. Измерение параметров полупроводников
- •§ 5.6. Гальваномагнитные эффекты
- •§ 5.7. Термомагнитные эффекты
- •§ 5.8. Тепловые свойства полупроводников
- •Контрольные вопросы и задачи
- •§ 6.1. Работа выхода и контактная
- •§ 6.2. Контакт полупроводника и металла
- •§ 6.3. Выпрямление на контакте полупроводника
- •§ 6.4. Контакт металла с электролитом
- •§ 6.5. Строение двойного слоя
- •§ 6.6. Контакт полупроводника с электролитом
- •§ 6.7. Собственный потенциал электрода. Методы его измерения
- •§ 6.8. Вольт-амперные характеристики контакта металла и полупроводника с электролитом
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 7
- •§ 7.1. Образование p-n-переходов
- •§ 7.2. Классификация р-n-переходов
- •% 7.3. Природа токов через р-n-переход
- •§ 7.5. Гетеропереходы
- •§ 7.6. Перенос носителей в тонких пленках
- •§ 7.7. Токи в диэлектрических и полупроводниковых пленках, ограниченные пространственным зарядом
- •§ 7.8. Сверхрешетки
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 8
- •Термоэлектрические
- •И фотоэлектрические свойства
- •Полупроводников
- •§ 8.1. Термоэлектрические явления
- •§ 8.2. Фотопроводимость
- •§ 8.3. Спектр поглощения полупроводников. Квантовый выход
- •§ 8.4. Рекомбинация носителей заряда
- •§ 8.5. Люминесценция
- •§ 8.7. Квантовые генераторы
- •§ 8.8. Твердотельные лазеры
- •§ 8.9. Понятие об оптоэлектронике
- •Контрольные вопросы
- •Поверхностные свойства полупроводников
- •9.1. Особенности строения поверхности полупроводников
- •§ 9.2. Образование поверхностного заряда
- •§ 9.3. Явление адсорбции на поверхности полупроводников
- •§ 9.4. Поверхностная электропроводность
- •§ 9.5. Эффект поля ;
- •§ 9.6. Физические явления при переносе носителей
- •§ 9.7. Каналы проводимости
- •§ 9.8. Поверхностная рекомбинация
- •§ 9.9. Быстрые и медленные состояния
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 10
- •§ 10.1. Влияние свойств поверхности на параметры 1
- •§ 10.2. Ток поверхностной утечки
- •§ 10.3. Стабильность характеристик приборов
- •§ 10.4. Стабилизация поверхностного заряда
- •Контрольны вопросы
- •Глава 11 свойства тонких пленок
- •§ 11.1. Особенности структуры пленок
- •К чему приводит дрейф обратного тока?
- •§ 11.3. Эпитаксиальные слои
- •§ 11.5. Ферромагнитные пленки
- •Контрольные вопросы
- •Оглавление
§ 4.2. Электропроводность металлов
В отсутствие электрического поля электроны проводимости металла движутся хаотически. Значения энергий хаотически движущихся электронов подчиняются распределению Ферми и могут достигать 5—10 эВ, что соответствует средней скорости движения электронов примерно 108 см/с. На своем пути электроны испытывают многочисленные взаимодействия с электронами, фононами и дефектами решетки. Электрон электронные столкновения играют незначительную роль. Столкновения электронов с фононами и дефектами определяют электрическое сопротивление металла.
При всех видах столкновений сохраняются энергия и импульсы электронов и фононов. При высоких значениях температуры доминирующими являются столкновения с фононами, при низких — с дефектами. Рассеяние электронов определяет длину их свободного пробега. В чистых металлах длина свободного пробега электрона ограничивается тепловыми колебаниями атомов, поэтому чем выше температура, тем меньше длина свободного пробега. В металлах с большой концентрацией примесей и в сплавах рассеяние электронов происходит на примесях и в этом случае длина свободного пробега электронов от температуры практически не зависит.
Длина свободного пробега электронов в металле определяется волновыми свойствами электронов. Длина волны электронов при их
68
скорости 108 см/с составляет
что примерно в десять раз больше межатомных расстояний и размера а атомов кристалла. Электронная волна не может рассеиваться на Препятствиях, меньших длины волны, поэтому в идеальной кристаллической решетке длина свободного пробега электронов ограничивалась бы только размерами кристалла, т. с. была бы равна бесконечности, и такой металл обладал бы электропроводностью, также равной бесконечюсти. Реальные кристаллы из-за рассеяния электронов обладают конечным сопротивлением.
Рассеяние электронов прямо пропорционально поперечному сечению того объема, который занят колеблющимся атомом. Это поперечное сечение, в свою очередь, можно считать прямо пропорциональным квадрату амплитуды колебаний атома, а квадрат амплитуды колебаний, определяющий энергию атомных колебаний, растет с ростом температуры по линейному закону. Подвижность электронов в металле определяется выражением
Так как длина свободного пробега
1~
1/Т а скорость v
от
температуры не зависит, то
~1/Т.
Концентрация
электронов в металле не зависит от
температуры,
следовательно,
электропроводность металлов
=Л/Т
обратно
пропорциональна,
а удельное сопротивление
=ВТ
прямо
пропорционально
температуре, где Л
и
В
—
коэффициенты пропорционально-
стн.
При низких температурах можно пренебречь рассеянием электронов на тепловых колебаниях решетки и учитывать только рассеяние на дефектах. В этом случае рассеяние не зависит от температуры, поэтому удельное сопротивление имеет постоянное значение (рис. 4.2), именуемое остаточным.
У ряда металлов и сплавов при некоторой критической температуре наблюдается полное исчезновение электрического сопротивления; такое явление называют сверхпроводимостью. Рассмотрим при воду этого явления.
