2.2. Расчёт маломощного умножителя частоты на два (3).
Исходные данные:
выходная мощность:
.коэффициент умножения: n=2.
угол отсечки коллекторного тока:
.частота на входе умножителя:
.частота на выходе умножителя: f=143.
Для маломощного умножителя частоты в качестве активного элемента выбираем транзистор 2t929a.
Параметры транзистора и вводимые значения:
f=71.5 |
P=0.396 |
ОЭ |
fГ=400 |
h21Э=37.5
|
|
ЕК=8
|
E’=0.7
|
Sкр=0.63 |
UКЭ ДОП=30
|
UЭБ ДОП=3
|
Ik0MAX=0.8 |
RПК=20
|
ТП=160
|
ТК=40
|
сЭ=75
|
сКА=3.8
|
сК=11.3
|
rБ=4
|
rЭ=0
|
rК=2
|
LБ=2.6
|
LЭ=1.2
|
LК=2.4
|
=60
Режим работы – критический.
Так как при отсутствии обратной связи коэффициент усиления мощности превышает 30 (kp=192), то вводим RЭ=1 Ом. В дальнейших расчётах учитывается величина этого сопротивления.
Расчёт маломощного умножителя частоты с общим эмиттером:
1. коэффициенты гармоник:
2. коэффициент формы:
3. коэффициент использования транзистора по напряжению источника питания:
4. напряжение 3-й гармоники коллекторного напряжения:
UКЭ
ДОП
5. амплитуда 2-й гармоники тока коллектора:
6. максимальное сопротивление нагрузки:
7. сопротивление нагрузки умножителя:
8. амплитуда импульса тока коллектора:
9. постоянная составляющая коллекторного тока:
10. амплитуда первой гармоники тока коллектора:
11. крутизна по переходу:
12. сопротивление рекомбинации неосновных носителей в базе:
13. статическая крутизна транзистора:
14. диффузионная емкость эмиттерного перехода:
15. постоянная времени открытого эмиттерного перехода:
16. частота, на которой крутизна транзистора уменьшается от 0.7 до S:
17. нормированная частота:
18. косинус фазового аргумента крутизны:
19. амплитуда напряжения возбуждения:
20. фаза первой гармоники тока коллектора в градусах:
21. входная проводимость (параллельный эквивалент):
22. входное сопротивление (последовательный эквивалент):
23. мощность возбуждения:
24. коэффициент усиления мощности:
25. потребляемая мощность:
26. коэффициент полезного действия:
27. допустимая мощность, рассеиваемая в транзисторе:
28. мощность, рассеиваемая в транзисторе в виде тепла:
29. напряжение смещения:
30. обратное пиковое напряжение на эмиттерном переходе:
2.3. Расчёт маломощного умножителя частоты на три (2).
Исходные данные:
выходная мощность:
.коэффициент умножения: n=3.
угол отсечки коллекторного тока:
.частота на входе умножителя:
.частота на выходе умножителя: f=71.5.
Для маломощного умножителя частоты в качестве активного элемента выбираем транзистор gt387.
Параметры транзистора и вводимые значения:
f=23.83 |
P=0.019 |
ОЭ |
fГ=3000 |
h21Э=50
|
=40 |
ЕК=6
|
E’=0.3
|
Sкр=0.04 |
UКЭ ДОП=12
|
UЭБ ДОП=2
|
Ik0MAX=0.02 |
RПК=160
|
ТП=100
|
ТК=40
|
сЭ=4
|
сКА=0.3
|
сК=1
|
rБ=10
|
rЭ=0
|
rК=0
|
LБ=0.5
|
LЭ=0.9
|
LК=0.9
|
Режим работы – критический.
Так как при отсутствии обратной связи коэффициент усиления мощности превышает 30 (kp=318), то вводим RЭ=3 Ом. В дальнейших расчётах учитывается величина этого сопротивления.
Расчёт маломощного умножителя частоты с общим эмиттером:
1. коэффициенты гармоник:
2. коэффициент формы:
3. коэффициент использования транзистора по напряжению источника питания:
4. напряжение 3-й гармоники коллекторного напряжения:
UКЭ ДОП
5. амплитуда 3-й гармоники тока коллектора:
6. максимальное сопротивление нагрузки:
7. сопротивление нагрузки умножителя:
8. амплитуда импульса тока коллектора:
9. постоянная составляющая коллекторного тока:
10. амплитуда первой гармоники тока коллектора:
11. крутизна по переходу:
12. сопротивление рекомбинации неосновных носителей в базе:
13. статическая крутизна транзистора:
14. диффузионная емкость эмиттерного перехода:
15. постоянная времени открытого эмиттерного перехода:
16. частота, на которой крутизна транзистора уменьшается от 0.7 до S:
17. нормированная частота:
18. косинус фазового аргумента крутизны:
19. амплитуда напряжения возбуждения:
20. фаза первой гармоники тока коллектора в градусах:
21. входная проводимость (параллельный эквивалент):
22. входное сопротивление (последовательный эквивалент):
23. мощность возбуждения:
24. коэффициент усиления мощности:
25. потребляемая мощность:
26. коэффициент полезного действия:
27. допустимая мощность, рассеиваемая в транзисторе:
28. мощность, рассеиваемая в транзисторе в виде тепла:
29. напряжение смещения:
30. обратное пиковое напряжение на эмиттерном переходе:
