1.Эп в обратном, кп в прямом. 2. Эп в прямом, кп в прямом.
3. Эп в обратном, кп в обратном.4. Эп в прямом, кп в обратном.
5 . Показать условное обозначение полевого транзистора с управляющим р - n переходом и р –каналом (рис. 3.1).
6. Каков механизм движения зарядов в полевом транзисторе с р-n переходом.
1. дрейф. 2 диффузия. 3. Дрейф и диффузия.
7. Записать условие включения триодного тиристора.
1. Uак >Uак вкл 2. Iуэ > Iуэ вкл. 3. Uак < Uак вкл 4. 1 и 2. 5. Iа < Iудержания.
8. Каково назначение эмиттерной емкости усилительного каскада.
1.Для преобразования усиленного тока в усиленное напряжение.
2. Для согласования каскадов по мощности. 3. Для разделения каскадов по постоянной составляющей и связи каскадов по переменному току. 4. Для стабилизации рабочей точки по постоянной составляющей. 5. Для устранения отрицательной обратной связи в рабочем диапазоне частот.
9. Что такое «дрейф нуля» ?
1. изменение входного напряжения при постоянстве его на выходе
2. изменение выходного напряжения при постоянстве его на входе
3. изменение входного тока при постоянстве его на выходе
4. изменение выходного тока при постоянстве его на входе
10.
Как называется устройство схема которого
приведена на рисунке.
Дифференцирующий усилитель
Интегрирующий усилитель.
Усилитель разности.
Инвертирующий усилитель.
11. Многокаскадный усилитель состоит из двух однотипных каскадов с коэффициентом усиления по напряжению Кu =20 и верхней граничной частотой fв=14,1кГц, для каждого из них. Рассчитать коэффициент усиления и верхнюю граничную частоту многокаскадного усилителя.
20, 14.1кГц
400, 14.1кГц
400, 10кГц
40, 14.1кГц.
12. Показать амплитудную характеристику компаратора, схема которого приведена на рисунке.
13. Записать условие самовозбуждения автогенератора.
1. К(jω)β(jω) = 1 2. К(jω)β(jω) > 1 3. К(jω)β(jω) < 1 4. К(jω)β(jω) < 0
Билет №11
В полупроводниках возможно два механизма движения зарядов
1. Дрейф и диффузия. 2. Диффузия и инжекция. 3. Диффузия и эксракция. 4. Экстракция и инжекция.
За счет чего в выпрямительных диодах прямые токи достигают больших величин.
1. за счет уменьшения площади р-n перехода. 2. за счет увеличения площади р-n перехода. 3. за счет увеличения ширины р-n перехода.
3. В транзисторе ток коллектора Iк=99mА, β=99. Найти Iэ, α,. Iб.
1. Iэ=100мА, α=0,99, Iб =1мА 2.Iэ=98мА, α=0,9, Iб =1мА 3.Iэ=110мА, Iб =1мА α=0,999, 4.Iэ=90мА, α=1,1, β=0,1 5.Iэ=90мА, α=0,9, Iб =1мА .
4. Движение, каких носителей заряда определяет вид входной ВАХ биполярного транзистора.
1. основных. 2.неосновных. 3.электронов. 4. дырок.
5. Показать условное обозначение МДП полевого транзистора с встроенным р –каналом (рис. 3.1).
1 . 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.
6. Принцип работы полевого МДП транзистора с индуцированным каналом состоит в:
1. Зависимости площади поперечного сечения канала от управляющего напряжения.
2. Зависимости удельной проводимости канала от управляющего напряжения.
3. Зависимости длины канала от управляющего напряжения.
7. Записать условие выключения триодного тиристора.
1. Uак >Uак вкл 2. Iуэ > Iуэ вкл. 3. Uак < Uак вкл 4. 1 и 2. 5. Iа < Iудержания.
8. В каком диапазоне частот на АЧХ Кu влияние оказывают разделительные конденсаторы.
1. низких частот. 2. высоких частот. 3. средних частот. 4. низких и высоких частот.
9.Какие из перечисленных явлений позволяет осуществить отрицательная обратная связь в усилителях ?
1. увеличивает коэффициент нелинейных искажений
2. увеличить коэффициент усиления усилителя.
3. уменьшить полосу пропускания усилителя
уменьшает коэффициент усиления усилителя.
10. Какой сигнал должен усиливать дифференциальный усилитель.
1. полный 2. разностный (дифференциальный). 3. синфазный. 4.выходной.
11. Выбрать соотношение которое характеризует связь между выходным и входными сигналами для схемы №1
1. Uвых= (R2/ R1)Uвх 2. Uвых= (1+R2/ R1)Uвх
3. Uвых= (R2/ R1)(Uвх2+ Uвх1) 4. Uвых= (R2/ R1)(Uвх2- Uвх1)
5. Uвых= (RC)dUвх/dt 6. Uвых= (RC)∫Uвхdt
12. Показать амплитудную характеристику компаратора, схема которого приведена на рисунке.
1 3. Записать условие самовозбуждения автогенератора.
1. К(jω)β(jω) = 1 2. К(jω)β(jω) > 1 3. К(jω)β(jω) < 1 4. К(jω)β(jω) < 0
Билет №12
1. Какие полупроводниковые материалы применяются при изготовлении полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов).
1. Примесные. 2. Чистые. 3. только n-типа. 4. только p-типа. 5. только i-типа.
2. Какое свойство р-n перехода используется в туннельных диодах.
1. Односторонняя проводимость. 2. Барьерная емкость. 3. Эффект Эрли. 4. Тепловой пробой. 5. Электрический (туннельный) пробой. 6. Туннельный эффект.
3. В транзисторе ток эмиттера Iэ=100мА, α=0.99. Найти Iк, Iб, β.
1. Iк=101мА, Iб =1мА, β=99. 2. Iк=99мА, Iб=1мА , β=99. 3. Iк=110мА, Iб =1мА , β=999. 4. Iк=90мА, Iб=, β=0,1 5. Iк=90мА, α=0,9, β=9.
4. Как должны быть смещены эмиттерный и коллекторный переходы биполярного транзистора при его работе в режиме отсечки.