- •Нелинейность амплитудной характеристики.
- •13. Записать условие самовозбуждения автогенератора.
- •13. .Записать условия баланса амплитуд и баланса фаз.
- •13. В каком случае генератор вырабатывает негармонические колебания.
- •1.Эп в обратном, кп в прямом. 2. Эп в прямом, кп в прямом.
- •3. Эп в обратном, кп в обратном.4. Эп в прямом, кп в обратном.
- •1.Для преобразования усиленного тока в усиленное напряжение.
- •12. Показать амплитудную характеристику компаратора, схема которого приведена на рисунке.
- •13. Записать условие самовозбуждения автогенератора.
- •1. Зависимости площади поперечного сечения канала от управляющего напряжения.
- •2. Зависимости удельной проводимости канала от управляющего напряжения.
- •3. Зависимости длины канала от управляющего напряжения.
- •1.Эп в обратном, кп в прямом. 2. Эп в прямом, кп в прямом.
- •3. Эп в обратном, кп в обратном.4. Эп в прямом, кп в обратном.
- •12. Показать амплитудную характеристику компаратора, схема которого приведена на рисунке.
- •13.Записать условия баланса амплитуд и баланса фаз.
13. Записать условие самовозбуждения автогенератора.
1. К(jω)β(jω) = 1 2. К(jω)β(jω) > 1 3. К(jω)β(jω) < 1 4. К(jω)β(jω) < 0
Билет № 7
1. Процесс образования свободных электронов и дырок в полупроводнике i-типа называется:
1. Рекомбинация. 2. Генерация. 3. Инжекция. 4. Экстракция.
2. Почему барьерные емкости выпрямительных диодов достигают больших величин.
1. за счет малых площадей р-n перехода. 2. за счет больших площадей р-n перехода.
3. за счет увеличения ширины р-n перехода.
3. Какое свойство р-n перехода используется в стабисторах.
1. Односторонняя проводимость. 2. Барьерная емкость. 3. Эффект Эрли.
4. Тепловой пробой. 5. Электрический пробой. 6. Туннельный эффект.
7. Особенность прямой ветви ВАХ.
4. Как смещены р-n переходы при работе транзистора в активном режиме.
1. ЭП и КП – в прямом направлении. 2. ЭП и КП – в обратном направлении.
3. ЭП- в прямом, а КП- в обратном направлении. 4. КП – в прямом направлении, ЭП- в обратном направлении
5. Показать условное обозначение n – р - n транзистора (рис. 3.1).
1
.
2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9.
6. Чему равен ток коллектора при работе биполярного транзистора в режиме отсечки.
1. Iк=КIвх +Iко. 2. Iк=Iко. 3. Iк=Iнас. 4. Iэ=КIвх +Iко.
7. Чем в полевом транзисторе с индуцированным каналом затвор отделен от канала.
1. р - n переходом. 2. Металлом. 3. Диэлектриком. 4. Полупроводником.
8. Как называют выводы диодного симистора.
1. коллектор, база. 2. Анод, катод. 3. Коллектор, база, эмиттер. 4. Анод 1, анод 2. 5. Сток, исток, затвор
9. Каково назначение коллекторного сопротивления усилительного каскада.
1.Для преобразования усиленного тока в усиленное напряжение.
2. Для согласования каскадов по мощности. 3. Для разделения каскадов по постоянной составляющей и связи каскадов по переменному току. 4. Для стабилизации рабочей точки по постоянной составляющей.
10. Что является основным недостатком усилителя мощности класса А ?
1. высокий КНИ
2. низкий КПД
высокий коэффициент частотных искажений
11. Какой сигнал должен усиливать дифференциальный усилитель.
1. полный 2. разностный (дифференциальный). 3. синфазный. 4.выходной.
1
2.
Показать амплитудную характеристику
компаратора с положительной ОС.
13. .Записать условия баланса амплитуд и баланса фаз.
К(ω)β(ω) = 1, φк+φβ = 0, 2π
К(ω)β(ω) > 1, φк+φβ = 0, 2π
К(ω)β(ω) = 1, φк+φβ> 0, 2π
К(ω)β(ω) < 1, φк+φβ = 0, 2π
Билет № 8
1. Какие свободные носители заряда в примесном полупроводнике называют основными.
1. Электроны . 2. Дырки. 3. Те, концентрация которых много больше концентрации другой. 4. Те, концентрация которых много меньше концентрации другой.
2. Какое свойство используется в диодах Шотки.
1. Односторонняя проводимость. 2. Барьерная емкость. 3. Эффект Эрли. 4. Тепловой пробой. 5. Электрический пробой. 6. Свойство перехода металл-полупроводник.
3. В транзисторе ток коллектора Iк=99mА, Iб=1мА. Найти Iэ, α, β.
1. Iэ=100мА, α=0,99, β=99. 2.Iэ=98мА, α=0,9, β=100. 3.Iэ=110мА, α=0,999, β=999. 4.Iэ=90мА, α=1,1, β=0,1 5.Iэ=90мА, α=0,9, β=9.
4. Показать условное обозначение р - n - р транзистора (рис. 3.1).
1 . 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9.
5. Чему равен ток коллектора при работе биполярного транзистора в активном режиме.
1. Iк=КIвх +Iко. 2. Iк=Iко. 3. Iк=Iнас.. 4. Iэ=КIвх +Iко.
6. Из какого материала выполнен затвор в полевом транзисторе с индуцированным каналом.
1.. Металла. 3. Диэлектрика. 4. Полупроводника.
7. Записать условие включения диодного тиристора.
1. Uак >Uак вкл 2. Iуэ > Iуэ вкл. 3. Uак < Uак вкл 4. Iуэ < Iуэ вкл.
8. Каково назначение эмиттерного сопротивления усилительного каскада.
1.Для преобразования усиленного тока в усиленное напряжение.
2. Для согласования каскадов по мощности. 3. Для разделения каскадов по постоянной составляющей и связи каскадов по переменному току. 4. Для стабилизации рабочей точки по постоянной составляющей.
9. В чем состоят искажения в области больших времен.
1. в появлении фронта импульса; 2. В спаде плоской вершины; 3. В появлении выброса импульса; 4. В появлении задержки переднего фронта; 5. 1 и 5.
10. Каково основное достоинство дифференциального усилительного каскада
1.большое подавление синфазного сигнала;
2. большое усиление синфазного сигнала;
3. большое усиление дифференциального сигнала;
4. большое подавление дифференциального сигнала;
11. Показать схему дифференцирующего усилителя
1
2.
. Показать амплитудную характеристику
компаратора, схема которого приведена
на рисунке.
