- •Конспект лекцій
- •Елементна база в радiоапаратобудуванi
- •Мета, завдання і зміст курсу
- •1. 2. Використання еб еа в радiоапаратобудуванi
- •3. Відхилення параметрів еб еа та прогнозирування їх якості
- •3.1. Імовірна оцінка відхилення параметрів еб еа
- •3.1.1. Загальні положення
- •3.1.2. Розрахунок виробничих допусків еб еа
- •3.1.3. Розрахунок допусків з впливом влагi, температури, старіння
- •3.2. Прогнозування якості еб еа на основі засобу распознавання образу
- •3.2.1. Загальні положення
- •3.2.3. Засіб узагальненої крапки
- •3.2.4. Імовірносний підхід
- •3.2.5. Метод потенційної функції
- •3.2.6. Дискрiмiнантний аналіз
- •4. Резистори
- •4.1. Загальні положення, класифікація параметрів
- •4.1.1. Позначення резисторів
- •4.2. Резистори постійні
- •4.2.1. Непроволочні резистори
- •4.2.2. Дротові резистори
- •4.3. Резистори перемінного опіру
- •4.3.1. Недротові резистори
- •4.3.2. Дротові резистори
- •4.4. Резистори спеціального призначення
- •4.4.1. Варистори
- •4.4.2. Фоторезистори
- •5.2. Конденсатори постійної ємкості
- •5.2.1. Конденсатори з неорганичним диелектриком
- •5.2.2. Конденсатори з органічним диелектриком
- •5.2.3. Плівочні конденсатори
- •5.2.4. Електролітичнi конденсатори
- •3.2.5. Конденсатори на суперiониках
- •5.2.6. Інші конденсатори
- •5.3. Конденсатори перемінної ємкості
- •5.3.1 Загальні положення
- •5.3.2. Основи проектування кпе по заданим функціональним характеристикам
- •5.3.2.1. Загальні положення
- •5. 4. Конденсатори спеціального призначення
- •6. Iндуктивні елементи
- •6.1. Загальні положення, класифікація параметрів
- •6.2. Iндуктивні елементи без магнітопровіда
- •6.2.1. Iндуктивні елементи без каркаса
- •6.2.2. Iндуктивні елементи з каркасом
- •6.5. Дроселі вч
- •8. Лінії затримкі
- •8.1. Основні поняття
- •8.2. Електричні лінії затримкi
- •8.3. Ультразвукові та магнітострикціонні лінії затрикi
- •9.2. Електричні фільтри
- •9.3. П’єзоелектричнi і механичні резонатори фільтрів
- •9.3.1. Загальні положення
- •9.3.2. П’єзоелектричнi резонаторні фільтри. Прямий і зворотний п’єзоеффект.
- •9.3.3. Електромеханичні резонатори і фільтри
- •9.3.4. Акустоелектронні фільтри. Фільтри на пзз
- •9.4.2. Цифрові фільтри
- •10. Елементи і пристрої пам’яті
- •10.1. Загальні положення
- •10.2. Запомiнаючі пристрої на ферромагнитних матеріалах
- •10.3. Запоминаючі пристрої на цмд
- •10.4. Запоминаючі пристрої на пав, мсв і пзз
- •10.5. Криогенни запомiнаючі пристрої
- •11. Елементи і пристрої відображення інформації
- •11.1. Загальні положення
- •11.2.6. Лазери
- •11.3. Пасивні індикатори
- •11.3.1. Жiдкокристалічнi індикатори
- •11.3.2. Електрохiмичні індикатори
- •12. Пристої функціональної електроникi
- •12.1. Акустоелектронні елементи і пристрої
- •12.1.1. Трансформатори, фазообертувачi і атенюатори на пах
- •12.1.2. Фур’є процессори, конвольвіри, активні пристрої на пах
- •12.2. Оптоелектронні пристрої і елементи
- •12.2.1. Загальні положення
- •12.2.2. Оптрони
- •12.2.3. Пристрої керування випромінювання
- •12.2.4. Дефлектор
- •12.3. Елементи і пристрої коммутацiї
- •12.3.1. Загальні положення і класифікація
- •12.3.2. Електромагнітне реле
- •12.3.4. Геркони і феррiди
5.2. Конденсатори постійної ємкості
5.2.1. Конденсатори з неорганичним диелектриком
Слюдянні конденсатори: диелектрик- спеціальна слюда типу мусковита обкладки або фольга, або металеві пластини з свiнцово-оловянного сплаву чи з алюмінію.
Uраб=7000 В;
tg=1070*10-4;
tраб=-60125оС.
Керамічні конденсатори: диелектрик-керамика; обкладки з металу.
Uраб=130КВ;
tg=10300*10-4;
tраб=-60150оС;
ТК=-3000120000*10-6.
Скляні конденсатори: диелектрик- бороселикатний або щелочне стекло.
Uраб=3КВ;
tg=2060*10-4;
tраб=-60150оС;
ТК=-300500*10-6.
5.2.2. Конденсатори з органічним диелектриком
Паперові конденсатори: диелектрик- папер; обкладки з фольги.
Uраб=4КВ;
tg=1025*10-4;
tраб=-6070оС;
Металлопаперові конденсатори: диелектрик- папер з напиленним металом;
розміри в 2 разу менш, що у попереднього.
Uраб=4КВ;
tg=1025*10-4;
tраб=-60170оС;
5.2.3. Плівочні конденсатори
Застосовуються полярні і неполярні плівки.
Неполярні: полiстерол, полiетiлен, фторопласт.
tg=56*10-4;
tраб=-50200оС;
Полярні: лавсан, циллюлоза т. і.
Лакоплівочні: диелектрик- лак.
5.2.4. Електролітичнi конденсатори
Використовуються 5 конструкцій.
У них велике значення питомої ємкості.
Суд=С/V.
Електролiт використовують для одерження другої обкладки.
Жидкі електролiтичнi конденсатори:
Див. Рис. 62:
1- жидкостний; 2- сухий полярний; 3- сухий неполярний; 4- оксидний напівпровідниковий; 5- оксидно-металевий.
де 1- анод;
2- оксидний шар;
3- жидкостний електроліт;
4- катод;
5- сухий електроліт;
6- напівпроводник;
7- вуглець (графіт);
8- металевий шар (напилення).
Еквівалентна схема електролiтичного конденсатора.
Див. Рис. 63.
де а- анод;
к- катод.
Алюмінієвий електролiтичний конденсатор: (К- 56)
Uраб=500В;
tg в 100 раз більше ніж у паперового;
tраб=-4040 оС.
Танталовий електролiтичний конденсатор має властивості краще ніж алюмінієвий.
Напівпровідникові електролiтичнi конденсатори:
Uраб=35В;
tраб=-8085 оС.
3.2.5. Конденсатори на суперiониках
Суперiоники- такі тверді електролiти, що в певному диапазоні температур утворять 1-о, 2-ух або 3-ох мерні сеткі по яким переміщаються iони.
Приклад: NaАl11О17Li3N або Ag7J4PO4.
Гетеропереходи: блоковані- без переносу заряду;
обратiми- з переносом заряду.
Випускаються: КИ1-1, КИ1-2.
Конденсатори типу iонiсторов працюють в ланцюгах з великою постійною часу.
Приклад мультiвiбратора:
Див. Рис. 64, 65.
5.2.6. Інші конденсатори
Див. Рис. 66.
Проходні конденсатори:
- у вигляді гвинту;
- друкований конденсатор,
f=(50...100) Mгц;
Див. Рис. 67.
Конденсатор постійної ємкості.
C=KS/d;
Див. Рис. 68.
C=AL/lg(D1/D2).
Застосовують в різноманітних RС ланцюгах:
Див. Рис. 69.
5.3. Конденсатори перемінної ємкості
5.3.1 Загальні положення
Конденсатор, ємкість якого можна влаштовувати в заданих межах називається конденсатором перемінної ємкост.
Див. Рис. 70.
C=KS/d;
Класифікувать КПЕ можна по диелектрику:
- повітряний;
- газонаповнений;
- жидкий;
- твердий.
По функціональному призначенню:
- прямоємкостні;
- прямочастотні;
- прямохвильові;
- логарифмичні;
- ємкостнологарифмичні;
- косинусоiдальні.
По конструктивному признаку:
- електроди у вигляді пластин;
- електроди у вигляді спiралi;
- поступательне переміщення пластин;
- обертальне переміщення пластин;
- по кількості пластин.
Основні параметри: Сmin, Сmax,.
ТКЕ=(minСmin+varСvar)/Сmin+Сvar.
var=+s+d;
s=s1+s2;
tgC= tgC1+tgC2+tgC3;
tg1- втрати в металі;
tg2- втрати в діелектрику;
tg3- втрати в оксидном шаре.
Див. Рис. 71.
