4.3.2. Дротові резистори

Спеціальні характеристики аналогичні попереднім. Розглянемо функціональні характеристики.

Див. Рис. 46.

=_пр; R=L/S; S_пр=d₀²/4; dL_пр=L_B(x)dW;

dR=dL_пр/S_пр; dW=dx/d₀,

де dW- кількість витков;

dx- приращення по довжині;

d₀- диаметр;

L_B- довжина одного витка.

x

L_B(x)=2[h(x)+];

0

dR=(8/d₀³)[h(x)+]dx; R(x)=(8/d₀³)[h()+]d;

dR/dx=8/d₀³[h(x)+]h(x)=d₀³dR/8dx-;

dR/dx=dR/rd; h^*(x)=(d₀³dR/8rd)-;

Якщо використується крок - расстояние меж витками;

x

0

R(x)=8/d₀²[h()+]d; h(x)=(d₀²dR/8dx)-;

h^*()=(d₀²dR/8rd)-.

4.4. Резистори спеціального призначення

4.4.1. Варистори

Варистор- напівпровідниковий резистор об’ємного типа з следуючей ВАХ:

Див. Рис. 47.

I=B_*e^, де - коеффіціент, определяючий классифікаційні параметри.

=R_{статистичне}/R_{динамичне}, =3...5.

=(I₁-I₂)_*100%/I₁- параметр симметричності ВАХ.

- прагне зробити як можливо менше.

Выпускають два типа резисторів:

СН1- на основі карбита Si,

СН2- на основі селена (Se).

Використованне:

Див. Рис. 48. Стабилизатор напруги.

Див. Рис. 49. Захист трансформаторів т. і.

4.4.2. Фоторезистори

Фоторезистор- напівпроводниковий резистор об’ємного чи плівкового типа. В качестве матеріала використовують сернистий чи сереністий свинець.

Основні характеристики:

Див. Рис. 50, 51.

К- чуткість в %.

Темновий опір- 20100 Ком.

Темновий стум- 110 мкВ.

Световой ток- 4 мА.

Фототок- це разність меж темновим і световим током.

Випускають: ФСК-1, СФ-2, СФ-3, т. і.

Наибільшь використовують в оптопарах.

4.4.3. Терморезистори

Терморезистор- напівпровідниковий резистор, опір якого управляється температурою.

Термистори мають неготивний температурний коеффіціент, а позистори позитивний.

Характеристики:

Див. Рис. 52.

R(T)=R(T₀)exp[B(1/T-1/T₀)];

Приклади використання:

Див. Рис.53. Стабилизація каскада.

Обозначення: КМТ, ММТ т. і.

4.4.4. Позистори

Характеристики:

Див. Рис. 55.

R(T)=R(T₀)exp[А(T-T₀)];

Використання:

Див. Рис. 56, 57. Схеми обмеження струму.

5. Конденсатори

5.1. Основні положення. Класифікація

Конденсатори займають друге місце по поширенності після резисторів і призначаються для накопичування електричного заряду в залежності від електричних і неелектричних параметрів.

Конденсатори можна поділити:

1. По принципу зміни ємкості:

- конденсатори постійної ємкості;

- конденсатори перемінної ємкості;

- подстроечні конденсатори;

- конденсатори спеціального призначення.

2. По принципу утворення диелектрика:

- вакуумні конденсатори;

- газонаповненні конденсатори;

- конденсатори з твердим диелектриком;

- електролiтичнi конденсатори;

- напівпровідникові конденсатори;

- iонисторні конденсатори.

3. По конструктивним признакам:

- трубчаті конденсатори;

- дискові конденсатори;

- пресовані конденсатори;

- герметизовані конденсатори.

4. По функціональному призначенню:

- високовольтні конденсатори;

- високостабiльні конденсатори;

- високочастотні конденсатори т. і.

Можливі інши типи конденсаторів.

Обозначення конденсаторів:

Старе обозначення конденсаторів складається з трьох літер:

Перша- зазначає тип диелектрику;

Друга- особливі властивості (И- iмпульсні, У- ультраволнові т. і.).

Нове обозначення: КN₁

K- конденсатор;

N₁- двозначне число, зазначаюче тип диелектрику.

К10- керамічний конденсатор з робочим напругом < 1600 В;

К15- керамічний конденсатор з робочим напругом > 1600 В;

К21- скляний;

К22- склянокерамічний;

К23- скляноемалєвий;

К31- слюдяний з малою потужністю;

К32- слюдяний з великою потужністю;

К40- паперовий з фольгірованними обкладками і робочим напругом < 1600 В;

К41- паперовий з фольгірованними обкладками і робочим напругом > 1600 В;

К50- електролiтичний алюмінєвий;

К51- електролiтичний танталовий фольгiрованний;

К52- електролiтичний об'ємнопористий;

К53- оксидно-напівпровідниковий;

К60- повітряний;

К61- вакуумний;

К70- полiстирольний з фольгiрованними обкладками;

К71- полiстирольний з металлизированними обкладками;

К75- комбініровані;

К76- лакоплівочні.

Обозначення підстроечних конденсаторів і конденсаторів перемінної ємкості:

КТ- підстроечні конденсатори;

КП- конденсатори перемінної ємкості.

Після КТ або КП слідує цифра, зазначаюча тип диелектрика:

1- вакуумний;

2- повітряний;

3- газоподібний;

4- твердий.

Одиниці виміру ємкості:

Одиниці виміру	Обозначення одиниць виміру	Ємкость в фарадах
пикофаради нанофаради микрофаради мiлiфаради фаради	П Н М И Ф	10-12 10-9 10-6 10-3 100

Літера ставиться замість зап’ятой.

Номiнал конденсаторів вибирають з рядів: Е3, Е6, Е12, Е24, Е48.

Для електролитичних: 1,2, 5.

Для малогабаритних конденсаторів допускають слідуюче обозначення допусків: Ж- Ф, Б- +50, -20%, А- +80, -20%, Я- +100%, Ю- +100, -10%.

По напругу існує ГОСТ 9665-77.

Температурний коефіціент позначають:

ТК- старе обозначення.

У новому обозначеннi ставять літеру і цифру. Літера зазначає знак: П- “+”, М- “-”, МП- ““. Цифра зазначає численне значення ТК в мiльонних частках 1/^оС.

Приклад: П100- +100_*10^-61 1/^оС.

Для керамічних конденсаторів є свої обозначення:

Н10- 10%, Н20- 20% при зміні температури від -60 до +20 ^оС.

Для слюдяних конденсаторів існує слідуюче обозначення: А- ТК не нормiрується, Б- 10_*10^-6 1/^оС, В- 100_*10^-6 1/^оС, Г- 50_*10^-6 1/^оС.

Електричні параметри конденсатора:

Див. Рис. 58.

I_Q(t)=(d/dt)Q[U_Q(t)]=QdU_Q/U_Qdt;

Q/U_Q=const=C;

I_C(t)=CdU_C/dt;

t

U

0

_C(t)=1/CI_C()d;

Q/U_Q=C(U_C(t))- варикап, вариконд;

Q/Q_R=C[X]- підстроечний конденсатор.

Еквівалентна схема конденсатора.

Див. Рис. 59.

L_C- iндуктивність вивідов конденсатора;

R_y- опір утечці диелектрику;

C₀- ємкість на корпусі;

С₀₁, С₀₂- ємкість вивідов;

R_C- ємкість конденсатора;

R_C- опір контактів.

t

U

0

_С(t)=LdI_C/dt+1/CI_C()exp (-1/R_yC(t-))d+I_C(t)R_C;

Див. Рис. 60.

tg 10^-410^-2.

ТКНЕ- температурний коефіціент незалежності ємкості.

ТКНЕ=С/С.

Коефіціент абсорбції заряда в конденсаторі (пов'язаний з неоднородністью диелектрика).

Див. Рис. 61.

Якщо закоротити вивіди на 5 секунд, одержимо U₂.

K_a=U_2*100%/U₁- через 3 хвилини після 5-ти секундного замикання.

K_a=0.035%, залежно від диелектрика.