4.2. Резистори постійні

4.2.1. Непроволочні резистори

1. Углеродiсті резистори: резистивний елемент- піротехничний углерод. Одержують при розкладанні вуглеводорода C₇H₁₆ при тисненні 1020 Па і температурі 1100-1200 ^оС.

Робоча температура 150 ^оС, ТКС= 1400...1600_*10^-6 1/^оС, шуми 1 мкВ/В (група А) і понад 5 мкВ/В (група Б).

Обозначення: ВС, УНУ, УЛИ, БЛП, С1 т. і.

2. Металоплівкові резистори: резистивний елемент- сплав металу чи окисел. Одержують при термічному осаджуваннi в вакуумі.

Робоча температура 200 ^оС, ТКС= 2000_*10^-6 1/^оС, шуми 5 мкВ/В.

Обозначення: МЛТ, МОУ т. і.

3. Композиційні, пленочні і об'ємні резистори: резистивний елемент- композиція проводящего (метал чи вуглець) і сполучного (органічні речовини) елементу.

Робоча температура 150 ^оС, ТКС= 1800_*10^-6 1/^оС, шуми 5мкВ/В.

Обозначення: ТВО т. і.

Конструкції деяких резисторів. Див. Рис. 39, 40.

де 1- плівковий резистор;

2- об'ємний резистор.

4.2.2. Дротові резистори

У вигляді дроту використаються слідуючі сплави:

1. Манганiн (86%- медi, 12%- марганца, 2%- никеля).

_уд= 0.420.48_*10^-6 Ом/м, ТКС=5...30_*10^-6 1/^оС, робоча температура 200 ^оС.

2. Константан (60%- медi, 40%- никеля).

_уд= 0.480.52_*10^-6 Ом/м, ТКС= -5...-25 1/^оС, робоча температура до 500 ^оС.

3. Нiхром (никель і хром).

_уд= 1.12_*10^-6 Ом/м, ТКС= 100...200 1/^оС, робоча температура 10001100 ^оС.

4. Фехраль (сплав алюмінію і хрому).

_уд= 1.12_*10^-6 Ом/м, ТКС= 60...120 1/^оС, робоча температура 8501200 ^оС.

Конструкція. Див. Рис. 41.

Привілею: висока температура, можна зробити термокомпенсацію.

Недоліки: дротові резистори мають обмежений діапазон частот до1 МГц, для поширення діапазону частот використають спеціальні намотки.

Застосування термокомпенсації:

Хай є R= R₁+R₂, а також ₁ i ₂.

Тоді R_T= R₁(1-₁T)+R₂(1+₂T);

R_T-R= 0; R₁-R₁₁T+R₂+R₂₂T; R₁₁-R₂₂=0; R₁=R₂.

R₁/R₂=|₁/₂|=; R-R₂=R₂; R=R₂(+1); R₂=R/(1+).

4.3. Резистори перемінного опіру

4.3.1. Недротові резистори

Крім звичайних параметрів резистори перемінного опіру мають специфічні параметри:

- початковий опір (опір в нулевому положенні рухомого контакту);

- початковий стрибок опіру (мінімальний опір, що виникає при здуві рухомого контакту);

- точність настанови (можливі разброси опіру при повторній настанові подвижного контакту);

- шуми переміщування;

- зусилля переміщування;

- iзносостійкiсть.

Стандартні характеристики для резистора перемінного опіру:

Див. Рис. 42.

А- лiнійна;

Б- логарифмична;

В- обратнологарифмична;

Г- S-образна.

Модель резистора перемінного опіру:

Див. Рис. 43,

де R- опір резистивного елементу;

R_К- опір контактів;

r₀- початковий опір;

r_нс- опір початкового стрибка;

R_из- опір ізоляції;

C₀, С₀₁, C₀₂- паразитни ємкості;

L_R- iндуктивність висновків.

Розрахунок заданих функціональних характеристик.

Див. Рис. 44.

Необхідно обчислити опір, залежний від величини переміщування.

1) dR=(x)dX/S(x); S(x)=h(x)(x);

x

0

R(x)=()d/S(); R_s(x)=(x)/h; h=const;

x

x

0

0

R(x)=()d/h()(x); R(x)=R_()d/();

dR/dx=R_S(x)/; R_S(x)=dR/dx; =const;

=360⁰; x=2r=2r/360=r;

dR/d=(dR/dx)_*(dx/d);

dx/d=r; dR/dx=dR/d_*1/r;

R_S^*()=(/r)_*dR/d - для углового переміщування.

2) h= const; = var; R_S=const.

dR/dx=R_S(x)/(x)+₀; (x)=(R_S(x)/(dR/dx))-₀;

^*()=(R_Sr/(dR/d))-₀- для углового переміщування.

Див. Рис. 45.

R_S0=KdR/dx(0), R_S0=KdR/dx(x₁/2),

R_S1=KdR/dx(x₁), R_S1=KdR/dx(x₁+x₂/2),

... ... ... ... ... ... ...

R_S1=KdR/dx(x₄).

R_S(x)= dR/dx.