3.2.6. Дискрiмiнантний аналіз

Нехай є слідуючі скалярні величини:

Скалярний безліч {} = [₁, ₂, ..., _k], і скалярні функції g₁(), ...,g_m().

Для -го класу справедливо:

Rg_()>g_i(), i=1,m; i.

Кордону між класами R_, R_, g_()-g_()=0.

k

k

Вони описуються як:

g

s=1

s=1

()= _s_s, g()= _s_s^p,

Рис. 36.

Якщо класи перемешани, то краще використати імовірностний підхід.

2

n

G

=1

j=1

=(g₁-g₂)/(g_j-g_)², Gmax.

4. Резистори

4.1. Загальні положення, класифікація параметрів

Резистори складають 15% -50% елементної бази РЕЗ і призначени для утворення електричного опору в ланцюзі електричного струму, залежно від певних чинників.

Резистори можна класифіцирувати по слідуючим принципам:

1) по принципу зміни опору (постійні, перемінні, спеціального призначення);

2) по утворенню резистивного елементу (вуглецеві, плівкові, метало-плівочні, об'ємні, композиційні, напівпровідникові, дротові);

3) по конструктивному признаку (плівкові, об'ємні, спеціальні мiнiатюрні);

4) по функціональному призначенню (низкоомні, високовольтні, високочастотні, прецiзаційні т. і.).

Напівпровідникові резистори діляться на:

а) терморезистори;

б) фоторезистори;

в) варистори;

г) темзорезистори.

4.1.1. Позначення резисторів

Старе обозначення резисторів складаються з трьох літер:

1. Вид резистивного елементу:

У- вуглецеві;

К- композиційні;

М- металоокiсні.

2. Вид захисту:

Г- герметизованні;

Л- лакированні.

3. Спеціальні властивості і призначення:

Т- топлостійкi;

П- прецiзаційні;

В- високовольтні.

Нове обозначення:

Обозначення резисторів постоянного сопротивлення	Обозначення резисторів переменного сопротивлення	Вид резистивного елементу
С1 С2 С3 С4 С 5	Сп1 Сп2 Сп3 Сп4 Сп5	Вуглецеві Металоплівкові і металоокiсні Плівкові і композиционні Об'ємні і композиційні Дротові

СТ- опір термочутливий (терморезистор);

СН- опір нелiнійний (варистор);

СФ- опір фоточутливий (фоторезистор):

СФ-N₁-N₂ (для всіх інших також),

де N₁- матеріал (число);

N₂- технична разробка (число).

Номiнал резисторів.

Одиниці виміру	Обозначення одиниць виміру	Межі номiнальних значень	Ом
Оми	Е	до 91	100
Килооми	К	від 0.1 до 91	103
Мегаоми	М	від 0.1 до 91	106
Гигаоми	Г	від 0.1 до 91	109
Тераоми	Т	від 0.1 до 1	1012

Обозначення номиналів ставиться на корпусі резистора замість коми (5К1, Е47).

Номиналі резисторів підлягають рядам: K_i=mⁱ, i= 0, 1, ...

Перший ряд: Е620%, m=10^1/61.47

Другий ряд: E1210%, m=10^1/121.21

Третій ряд: E245%, m=10^1/241.1

Використають також Е48, Е96, Е192.

Для прецiзаційних резисторів є свій ряд:

0.01%, 0.02%, 0.05%, 0.1%, 0.2%.

Для мiнiатюрних резисторів є свої обозначення:

Ж- 0.1%, У- 0.2%, Д- 0.5%, Р- 1%, Л- 2%, И- 5%, С- 10%, В- 20%, Ф- 30%.

Для резисторів існують спеціальні ряди по напругі і потужністі.

Ряд по потужності (Вт):

0.01, 0.025, 0.05, 0.125, 0.25, 0.5, 1, 2, 5, 8, 10, 16, 25, 30, 50, 75, 100, 160, 250, 500.

Ряд по напругі (В):

100, 250, 350, 500, 700, 1000, 1500, 3000, 5000.

Рівень шумів: U_ш= (4KTf); [мкВ ].

ЕДС шумів: E_ш=U_ш/Е₀; [мкВ/В].

Температурний коефіціент опору (ТКО):

- для непроволочних (від 2 до 10_*10^-4);

- для проволочних (від 0 до 2_*10^-4).

Модель опіру:

Див. Рис. 38,

де R_R- опір резистора;

R_К- опір контактів;

L_К- iндуктивність насечкi вивідів резистора;

C_R- паразитна ємкість резистора;

R_С, C_R- опір і ємкість між резистором і корпусом.

U_R(t)= R_I_R(t)- для резистора,

U_R(t)= R[U_R(t)]I_R(t)- для варистора,

U_R(t)= R(Т)I_R(t)- для терморeзистора,

U_R(t)= R(Ф)I_R(t)- для фоторезистора.

Якщо врахувати усі ці елементи, то одержимо:

I_R(t)=I_CR(t)+I_RC(t)+I_R(t);

t

0

I_R(t)=C_RdU_R/dt+U_R(t)/R_C+1/R_C(U_R(t)exp((-R_R+R_K)/L_K)(t-))d;

U_R(t)= L_RdI_R/dt+I_R(R_R+R_K).