- •Конспект лекцій
- •Елементна база в радiоапаратобудуванi
- •Мета, завдання і зміст курсу
- •1. 2. Використання еб еа в радiоапаратобудуванi
- •3. Відхилення параметрів еб еа та прогнозирування їх якості
- •3.1. Імовірна оцінка відхилення параметрів еб еа
- •3.1.1. Загальні положення
- •3.1.2. Розрахунок виробничих допусків еб еа
- •3.1.3. Розрахунок допусків з впливом влагi, температури, старіння
- •3.2. Прогнозування якості еб еа на основі засобу распознавання образу
- •3.2.1. Загальні положення
- •3.2.3. Засіб узагальненої крапки
- •3.2.4. Імовірносний підхід
- •3.2.5. Метод потенційної функції
- •3.2.6. Дискрiмiнантний аналіз
- •4. Резистори
- •4.1. Загальні положення, класифікація параметрів
- •4.1.1. Позначення резисторів
- •4.2. Резистори постійні
- •4.2.1. Непроволочні резистори
- •4.2.2. Дротові резистори
- •4.3. Резистори перемінного опіру
- •4.3.1. Недротові резистори
- •4.3.2. Дротові резистори
- •4.4. Резистори спеціального призначення
- •4.4.1. Варистори
- •4.4.2. Фоторезистори
- •5.2. Конденсатори постійної ємкості
- •5.2.1. Конденсатори з неорганичним диелектриком
- •5.2.2. Конденсатори з органічним диелектриком
- •5.2.3. Плівочні конденсатори
- •5.2.4. Електролітичнi конденсатори
- •3.2.5. Конденсатори на суперiониках
- •5.2.6. Інші конденсатори
- •5.3. Конденсатори перемінної ємкості
- •5.3.1 Загальні положення
- •5.3.2. Основи проектування кпе по заданим функціональним характеристикам
- •5.3.2.1. Загальні положення
- •5. 4. Конденсатори спеціального призначення
- •6. Iндуктивні елементи
- •6.1. Загальні положення, класифікація параметрів
- •6.2. Iндуктивні елементи без магнітопровіда
- •6.2.1. Iндуктивні елементи без каркаса
- •6.2.2. Iндуктивні елементи з каркасом
- •6.5. Дроселі вч
- •8. Лінії затримкі
- •8.1. Основні поняття
- •8.2. Електричні лінії затримкi
- •8.3. Ультразвукові та магнітострикціонні лінії затрикi
- •9.2. Електричні фільтри
- •9.3. П’єзоелектричнi і механичні резонатори фільтрів
- •9.3.1. Загальні положення
- •9.3.2. П’єзоелектричнi резонаторні фільтри. Прямий і зворотний п’єзоеффект.
- •9.3.3. Електромеханичні резонатори і фільтри
- •9.3.4. Акустоелектронні фільтри. Фільтри на пзз
- •9.4.2. Цифрові фільтри
- •10. Елементи і пристрої пам’яті
- •10.1. Загальні положення
- •10.2. Запомiнаючі пристрої на ферромагнитних матеріалах
- •10.3. Запоминаючі пристрої на цмд
- •10.4. Запоминаючі пристрої на пав, мсв і пзз
- •10.5. Криогенни запомiнаючі пристрої
- •11. Елементи і пристрої відображення інформації
- •11.1. Загальні положення
- •11.2.6. Лазери
- •11.3. Пасивні індикатори
- •11.3.1. Жiдкокристалічнi індикатори
- •11.3.2. Електрохiмичні індикатори
- •12. Пристої функціональної електроникi
- •12.1. Акустоелектронні елементи і пристрої
- •12.1.1. Трансформатори, фазообертувачi і атенюатори на пах
- •12.1.2. Фур’є процессори, конвольвіри, активні пристрої на пах
- •12.2. Оптоелектронні пристрої і елементи
- •12.2.1. Загальні положення
- •12.2.2. Оптрони
- •12.2.3. Пристрої керування випромінювання
- •12.2.4. Дефлектор
- •12.3. Елементи і пристрої коммутацiї
- •12.3.1. Загальні положення і класифікація
- •12.3.2. Електромагнітне реле
- •12.3.4. Геркони і феррiди
3.1.2. Розрахунок виробничих допусків еб еа
Виробничий допуск визначається багатьма чинниками, що виникають в процесі виробництва ЕБ ЕА, в загальном випадку, що носять випадковий характер.
Математичне ожiдання і дисперсія дискретной величини:
M
n
i=1
n
i=1
Математичне ожiданiї і дисперсія безупинної величини:
m
-
-
M
n
i=1
n
i=1
Рис. 30
M(x/x)=E(x/x)+a(x/x);
n
N
i=1
n
n
n
i=1
i=1
i=1
n
M
i=1
n
M
i=1
n
M
i=1
n
M
i=1
При підсумуванні великого числа симетричних законів розподілу рєзультируючий теж буде симетричний. При Підсумуванні великого числа несiмметричних результируючий прагне до рівномірного.
a0 M(N)=E(N);
a*0 M (N/N)=E(N/N).
Для нормального закону:
ai0 M(N)=AiE(qi);
ai*0 M(N/N)= BiE(qi/qi).
Поля допусків:
y=kx, D(y)=k2D(x).
n
n
i=1
i=1
Середнє квадратичне відхилення:
(xi)=Bi(xi);
n
i=1
n
i=1
Пов'яжемо bi з поняттям еталонне bе:
bi=kibе;
n
i=1
n
i=1
(N/N)=
ki2
Bi22(qi/qi).
Виробничий допуск:
=1/KN; пр=M(N/N)(N/N);
Nпр=N0[1+M(N/N(N/N)].
Облік корреляціонного зв'язку:
В
тому случаї, якщо чинники qi
некоррелiруеми, т. є. коефіціент корреляції
дорівнює 0, то справедливі формули ті,
що приведені вище. Якщо існує корреляційний
зв'язок, тоді:
D(x+y)=D(x)+D(y)+2xy D(x)D(y);
m
i=1
(N/N)=
ki2
Bi22(qi/qi)+2rijBiBjkikj(q/qi)(qi/qj).
Корреляційна матриця буде мати вигляд:
1 r12 r13 ... r1n
R= r21 1 r23 ... r2n
... ... ... ... ...
rn1 rn2 rn3 ... 1
rij=1/m[Xis-M(xi)][Xjs-M(Xj)](xi)(xj);
2=(x)R(x)т;
(x)=[(x1)(x2)...(xn)];
xy- коефіціент корреляцїi, враховує зв'язок між випадковими подіями.
3.1.3. Розрахунок допусків з впливом влагi, температури, старіння
n
n
i=1
i=1
qi=qiвл+iqi0t+Biqi0,
де i- температурний коефіціент;
Bi- коефіціент старіння;
n
i=1
n
i=1
n
n
n
i=1
i=1
i=1
n
M
i=1
n
i=1
вл=M(N/N)вл(N/N)вл;
Одержуємо поле допуска і матожидання.
n
M
i=1
n
i=1
n
n
i=1
i=1
n
M
i=1
n
i=1
n
n
i=1
i=1
