- •Конспект лекцій
- •Елементна база в радiоапаратобудуванi
- •Мета, завдання і зміст курсу
- •1. 2. Використання еб еа в радiоапаратобудуванi
- •3. Відхилення параметрів еб еа та прогнозирування їх якості
- •3.1. Імовірна оцінка відхилення параметрів еб еа
- •3.1.1. Загальні положення
- •3.1.2. Розрахунок виробничих допусків еб еа
- •3.1.3. Розрахунок допусків з впливом влагi, температури, старіння
- •3.2. Прогнозування якості еб еа на основі засобу распознавання образу
- •3.2.1. Загальні положення
- •3.2.3. Засіб узагальненої крапки
- •3.2.4. Імовірносний підхід
- •3.2.5. Метод потенційної функції
- •3.2.6. Дискрiмiнантний аналіз
- •4. Резистори
- •4.1. Загальні положення, класифікація параметрів
- •4.1.1. Позначення резисторів
- •4.2. Резистори постійні
- •4.2.1. Непроволочні резистори
- •4.2.2. Дротові резистори
- •4.3. Резистори перемінного опіру
- •4.3.1. Недротові резистори
- •4.3.2. Дротові резистори
- •4.4. Резистори спеціального призначення
- •4.4.1. Варистори
- •4.4.2. Фоторезистори
- •5.2. Конденсатори постійної ємкості
- •5.2.1. Конденсатори з неорганичним диелектриком
- •5.2.2. Конденсатори з органічним диелектриком
- •5.2.3. Плівочні конденсатори
- •5.2.4. Електролітичнi конденсатори
- •3.2.5. Конденсатори на суперiониках
- •5.2.6. Інші конденсатори
- •5.3. Конденсатори перемінної ємкості
- •5.3.1 Загальні положення
- •5.3.2. Основи проектування кпе по заданим функціональним характеристикам
- •5.3.2.1. Загальні положення
- •5. 4. Конденсатори спеціального призначення
- •6. Iндуктивні елементи
- •6.1. Загальні положення, класифікація параметрів
- •6.2. Iндуктивні елементи без магнітопровіда
- •6.2.1. Iндуктивні елементи без каркаса
- •6.2.2. Iндуктивні елементи з каркасом
- •6.5. Дроселі вч
- •8. Лінії затримкі
- •8.1. Основні поняття
- •8.2. Електричні лінії затримкi
- •8.3. Ультразвукові та магнітострикціонні лінії затрикi
- •9.2. Електричні фільтри
- •9.3. П’єзоелектричнi і механичні резонатори фільтрів
- •9.3.1. Загальні положення
- •9.3.2. П’єзоелектричнi резонаторні фільтри. Прямий і зворотний п’єзоеффект.
- •9.3.3. Електромеханичні резонатори і фільтри
- •9.3.4. Акустоелектронні фільтри. Фільтри на пзз
- •9.4.2. Цифрові фільтри
- •10. Елементи і пристрої пам’яті
- •10.1. Загальні положення
- •10.2. Запомiнаючі пристрої на ферромагнитних матеріалах
- •10.3. Запоминаючі пристрої на цмд
- •10.4. Запоминаючі пристрої на пав, мсв і пзз
- •10.5. Криогенни запомiнаючі пристрої
- •11. Елементи і пристрої відображення інформації
- •11.1. Загальні положення
- •11.2.6. Лазери
- •11.3. Пасивні індикатори
- •11.3.1. Жiдкокристалічнi індикатори
- •11.3.2. Електрохiмичні індикатори
- •12. Пристої функціональної електроникi
- •12.1. Акустоелектронні елементи і пристрої
- •12.1.1. Трансформатори, фазообертувачi і атенюатори на пах
- •12.1.2. Фур’є процессори, конвольвіри, активні пристрої на пах
- •12.2. Оптоелектронні пристрої і елементи
- •12.2.1. Загальні положення
- •12.2.2. Оптрони
- •12.2.3. Пристрої керування випромінювання
- •12.2.4. Дефлектор
- •12.3. Елементи і пристрої коммутацiї
- •12.3.1. Загальні положення і класифікація
- •12.3.2. Електромагнітне реле
- •12.3.4. Геркони і феррiди
12.1.2. Фур’є процессори, конвольвіри, активні пристрої на пах
Для рішення завдань чи iдентифікацiї сигналу, для спеціального перетворення сигналу використаються Фур’є процессори.
Використають:
1) Резонансні (фільтрові);
2) Дисперсійні;
3) Iнтерфереційні (рециркуляційні);
4) Кореляційні.
Див. Рис. 215.
-
t
0
hn(t)=M(t)cosWnt;
1,
t[0,
Ta]
0, t[0, Ta]
t
t
0
0
0
t
Sn(t)=AcosWnt+BsinWnt=Asin(Wnt+);
t
t
0
0
t
t
t
0
0
0
Отже на вихіді одержали сигнал рівний n- ой гармонікі.
Див. Рис. 216.
Конвольвер
-L/2
Введемо зміну: t-X/C=.
t
0
Конвольвер з використанням нелiнійного полупровіднику.
Див. Рис. 217.
Дискретна модель.
Див. Рис. 218.
N
n-1
Див. Рис. 219.
Принцип роботи: на ВШП подається напруга, при цьому виникають токі, що підсилюються в півпровідникі, після цього токі передаються на ВШП назад. Є варіанти як об’ємного так і плівочного виконання.
Див. Рис. 221.
12.2. Оптоелектронні пристрої і елементи
12.2.1. Загальні положення
Вивчають як оптичні так і електричні ефекти, у речовинах і їх взаємодії, а також пристрої на їх основі, бувають когерентні і не когерентні.
Перевага:
1) У когерентних висока інформаційна ємкість і плотність;
2) У не когерентних однонаправлена передача сигналу.
До них відносяться:
1) СІД-лазери;
2) СОІ;
3) Фотоприймачи (фотоопіри т. і.);
4) Оптрони;
5) Пристрої керування випромінювання.
I=dФ/d; Ф=dQ/dt; E=dФ/dS; M=dФ\d.
12.2.2. Оптрони
Оптрони можна поділити:
1) Оптопари.
2) Інтегральні схеми.
В загальному випадку оптрони будуть мати слідуючу структуру:
Див. Рис. 222.
ФП- фотоприймач;
ДВ- джерело випромінювання;
В- світловий вплив;
ЕЗ- електричні зв’язки;
ОС- оптичне середовище.
Можливі варианти на виході:
Вхід |
ЭС |
ЭС |
ОС |
ОС |
Вихід |
ЭС |
ОС |
ЭС |
ОС |
1) Оптопари.
Див. Рис. 223.
Випускають: АОТ 123, АОТ 111, КОЛ 201, АОУ 203.
2) Оптичні інтегральні схеми.
Див. Рис. 224.
Оптичні інтегральні схеми мають на вході оптрон (оптопари).
Див. Рис. 225.
12.2.3. Пристрої керування випромінювання
Модуляція оптичного сигналу (когерентного)- ця зміна фази, частоти і здійснюється на основі оптоелектричних і оптомагнітних ефектів.
Оптоелектричні ефекти (ефекти Окельса і Кера).
1) n(E)=n0+PE,
де n- преломлення;
2) n(E)=n0+KE2.
З зміною напруги ми одержуємо зміну випромінювання.
3) Ефект Фарадея (керує зовнішним магнітним полем).
Реалізація на основі 1 і 2.
Застосування модулятора. Див. Рис. 226.
Світоклапанний пристрой. Див. Рис. 227.
де I- оптичний сигнал 1;
IІ- оптичний сигнал 2;
а- аналізатор;
п- полярізатор;
1- фотонапівпровідник;
2- модулятор;
3- диелектричне зеркало;
Е- напруга.
Подаємо Е, на поверхністі 1- утворюються заряди, що модулiруются сигналом I. Сигнал IІ модулiруєтся по сигналу I. Якщо IІ не когерентний, а I- когерентний, то на виході буде когерентний.
Сигнал I керується Е, IІ керується I.
