- •Конспект лекцій
- •Елементна база в радiоапаратобудуванi
- •Мета, завдання і зміст курсу
- •1. 2. Використання еб еа в радiоапаратобудуванi
- •3. Відхилення параметрів еб еа та прогнозирування їх якості
- •3.1. Імовірна оцінка відхилення параметрів еб еа
- •3.1.1. Загальні положення
- •3.1.2. Розрахунок виробничих допусків еб еа
- •3.1.3. Розрахунок допусків з впливом влагi, температури, старіння
- •3.2. Прогнозування якості еб еа на основі засобу распознавання образу
- •3.2.1. Загальні положення
- •3.2.3. Засіб узагальненої крапки
- •3.2.4. Імовірносний підхід
- •3.2.5. Метод потенційної функції
- •3.2.6. Дискрiмiнантний аналіз
- •4. Резистори
- •4.1. Загальні положення, класифікація параметрів
- •4.1.1. Позначення резисторів
- •4.2. Резистори постійні
- •4.2.1. Непроволочні резистори
- •4.2.2. Дротові резистори
- •4.3. Резистори перемінного опіру
- •4.3.1. Недротові резистори
- •4.3.2. Дротові резистори
- •4.4. Резистори спеціального призначення
- •4.4.1. Варистори
- •4.4.2. Фоторезистори
- •5.2. Конденсатори постійної ємкості
- •5.2.1. Конденсатори з неорганичним диелектриком
- •5.2.2. Конденсатори з органічним диелектриком
- •5.2.3. Плівочні конденсатори
- •5.2.4. Електролітичнi конденсатори
- •3.2.5. Конденсатори на суперiониках
- •5.2.6. Інші конденсатори
- •5.3. Конденсатори перемінної ємкості
- •5.3.1 Загальні положення
- •5.3.2. Основи проектування кпе по заданим функціональним характеристикам
- •5.3.2.1. Загальні положення
- •5. 4. Конденсатори спеціального призначення
- •6. Iндуктивні елементи
- •6.1. Загальні положення, класифікація параметрів
- •6.2. Iндуктивні елементи без магнітопровіда
- •6.2.1. Iндуктивні елементи без каркаса
- •6.2.2. Iндуктивні елементи з каркасом
- •6.5. Дроселі вч
- •8. Лінії затримкі
- •8.1. Основні поняття
- •8.2. Електричні лінії затримкi
- •8.3. Ультразвукові та магнітострикціонні лінії затрикi
- •9.2. Електричні фільтри
- •9.3. П’єзоелектричнi і механичні резонатори фільтрів
- •9.3.1. Загальні положення
- •9.3.2. П’єзоелектричнi резонаторні фільтри. Прямий і зворотний п’єзоеффект.
- •9.3.3. Електромеханичні резонатори і фільтри
- •9.3.4. Акустоелектронні фільтри. Фільтри на пзз
- •9.4.2. Цифрові фільтри
- •10. Елементи і пристрої пам’яті
- •10.1. Загальні положення
- •10.2. Запомiнаючі пристрої на ферромагнитних матеріалах
- •10.3. Запоминаючі пристрої на цмд
- •10.4. Запоминаючі пристрої на пав, мсв і пзз
- •10.5. Криогенни запомiнаючі пристрої
- •11. Елементи і пристрої відображення інформації
- •11.1. Загальні положення
- •11.2.6. Лазери
- •11.3. Пасивні індикатори
- •11.3.1. Жiдкокристалічнi індикатори
- •11.3.2. Електрохiмичні індикатори
- •12. Пристої функціональної електроникi
- •12.1. Акустоелектронні елементи і пристрої
- •12.1.1. Трансформатори, фазообертувачi і атенюатори на пах
- •12.1.2. Фур’є процессори, конвольвіри, активні пристрої на пах
- •12.2. Оптоелектронні пристрої і елементи
- •12.2.1. Загальні положення
- •12.2.2. Оптрони
- •12.2.3. Пристрої керування випромінювання
- •12.2.4. Дефлектор
- •12.3. Елементи і пристрої коммутацiї
- •12.3.1. Загальні положення і класифікація
- •12.3.2. Електромагнітне реле
- •12.3.4. Геркони і феррiди
11.2.6. Лазери
Твердотільні лазери (на рубінах).
Див. Рис. 196.1.
КПД= 0.1...2%;
Газові лазери.
Див. Рис. 196.2.
КПД= 1...5%.
Р= 104 Вт.
Напівпровідникові лазери.
Напівпровідникові лазери бувають 2-х типів: iмпульсні і безупинної дії.
Iмпульсні звичайно будуються по принципу односторонньої гетероструктури (ОГТС).
Структура:
Див. Рис. 197.
Промисловiсть випускає:
ЛПИ-10, ЛПИ-14, ЛПИ-15 т. і.
f= 25 Кгц;
= 0.906 мкм;
Р= 70 Вт.
Напівпровідникові.
Див. Рис. 198.
Многопозиційні СОІ.
Структура, блок-схема. Див. Рис. 199.
Л- лазер;
М- модулятор;
Д- детектор;
УУ- пристрої управління.
Див. Рис. 200.
Червоно-креiтовий:
=0.647 мкм;
P= 2 Вт.
Голубий-аргоновий, iоновий:
=0.4765 мкм;
P=1.5 Вт.
Зелений-аргоновий, iоновий:
=0.5145 мкм;
P=0.75 Вт.
Площа екрану- 3 м2.
11.3. Пасивні індикатори
11.3.1. Жiдкокристалічнi індикатори
Жiдкокристалічні індикатори - принцип дії: модуляція світла ,що падає- по фазі, частоті, полярiзацiї.
Жiдкокристалічний стан - це деяке устойчиве термодiнамичне становище речовини, якому свойственни 2 стану: кристалічний і жiдкий.
Нас цікавить анізотропія в двох випадках.
1) =пар-пер;
2) n=nпар-nпер.
Є 3 типу кристалів:
1) Смектичнi;
2) Нематичні;
3) Хорестеричні.
Строго параллельні всі поверхностi. Понад хаотическi, але є порядок.
Див. Рис. 201.
При додатке напругу змінюється , що приводить до обертання молекул, вони переорiєнтируються (із-за текучестi).
Див. Рис. 202.
1) Просвітний;
2) Відозеркалюванний.
Реалізація: на основі динамичного рассеювання світла.
Кристал p-типу: > 0, кристал n-типу: < 0.
Див. Рис. 203.
11.3.2. Електрохiмичні індикатори
На відміну від жiдкокристалічних індикаторів, електрохiмичнi індикатори поглощають світло (можна наблюдати під будь-яким кутом).
Електрохромний індикатор.
Див. Рис. 204.
1- електрод;
2- непрозорий електрод;
3- електролiт;
4- електрод скляний.
Uраб1 В;
Запис 0.1 с;
Стирання 0.05 с;
Кількість циклів переключення.
Електрофоретичнi індикатори.
Див. Рис. 205.
1- прозорий електрод;
2- жідкость з наполнителем;
3- непрозорий електрод.
Перенос часток під дією напругу.
Залежно від полярізацiї на поверхностi прозорого електрода з’являються частки жідкості чи на поверхнi непрозорого електрода.
12. Пристої функціональної електроникi
12.1. Акустоелектронні елементи і пристрої
12.1.1. Трансформатори, фазообертувачi і атенюатори на пах
Трансформатори:
Див. Рис. 206.
Перевага: коефіціент трансформацiї до 1000.
Селектор розглужувач:
Див. Рис. 207.
Фазообертувач: ВШП вхідний і вихідний, дiодне зміщення. Керуючий напруг відносно земли.
Див. Рис. 208.
Еквивалентна схема:
Див. Рис. 209.
- визначається зрушення на ВШП.
Див. Рис. 210.
Якщо зміниться значення опіра, то зміниться довжина векторів напругу і кут , т. є. різний час проходження, частота одна і таже, а час різний.
Фазообертувач з дискретною фазою. Див. Рис. 211.
Інший варіант. Див. Рис. 212, 213.
Хвиля приходяча на апликацію розбиває на 2, - визначається відхиленням l1 до l2.
Для металевих апликацій:
Див. Рис. 214.
