- •Конспект лекцій
- •Елементна база в радiоапаратобудуванi
- •Мета, завдання і зміст курсу
- •1. 2. Використання еб еа в радiоапаратобудуванi
- •3. Відхилення параметрів еб еа та прогнозирування їх якості
- •3.1. Імовірна оцінка відхилення параметрів еб еа
- •3.1.1. Загальні положення
- •3.1.2. Розрахунок виробничих допусків еб еа
- •3.1.3. Розрахунок допусків з впливом влагi, температури, старіння
- •3.2. Прогнозування якості еб еа на основі засобу распознавання образу
- •3.2.1. Загальні положення
- •3.2.3. Засіб узагальненої крапки
- •3.2.4. Імовірносний підхід
- •3.2.5. Метод потенційної функції
- •3.2.6. Дискрiмiнантний аналіз
- •4. Резистори
- •4.1. Загальні положення, класифікація параметрів
- •4.1.1. Позначення резисторів
- •4.2. Резистори постійні
- •4.2.1. Непроволочні резистори
- •4.2.2. Дротові резистори
- •4.3. Резистори перемінного опіру
- •4.3.1. Недротові резистори
- •4.3.2. Дротові резистори
- •4.4. Резистори спеціального призначення
- •4.4.1. Варистори
- •4.4.2. Фоторезистори
- •5.2. Конденсатори постійної ємкості
- •5.2.1. Конденсатори з неорганичним диелектриком
- •5.2.2. Конденсатори з органічним диелектриком
- •5.2.3. Плівочні конденсатори
- •5.2.4. Електролітичнi конденсатори
- •3.2.5. Конденсатори на суперiониках
- •5.2.6. Інші конденсатори
- •5.3. Конденсатори перемінної ємкості
- •5.3.1 Загальні положення
- •5.3.2. Основи проектування кпе по заданим функціональним характеристикам
- •5.3.2.1. Загальні положення
- •5. 4. Конденсатори спеціального призначення
- •6. Iндуктивні елементи
- •6.1. Загальні положення, класифікація параметрів
- •6.2. Iндуктивні елементи без магнітопровіда
- •6.2.1. Iндуктивні елементи без каркаса
- •6.2.2. Iндуктивні елементи з каркасом
- •6.5. Дроселі вч
- •8. Лінії затримкі
- •8.1. Основні поняття
- •8.2. Електричні лінії затримкi
- •8.3. Ультразвукові та магнітострикціонні лінії затрикi
- •9.2. Електричні фільтри
- •9.3. П’єзоелектричнi і механичні резонатори фільтрів
- •9.3.1. Загальні положення
- •9.3.2. П’єзоелектричнi резонаторні фільтри. Прямий і зворотний п’єзоеффект.
- •9.3.3. Електромеханичні резонатори і фільтри
- •9.3.4. Акустоелектронні фільтри. Фільтри на пзз
- •9.4.2. Цифрові фільтри
- •10. Елементи і пристрої пам’яті
- •10.1. Загальні положення
- •10.2. Запомiнаючі пристрої на ферромагнитних матеріалах
- •10.3. Запоминаючі пристрої на цмд
- •10.4. Запоминаючі пристрої на пав, мсв і пзз
- •10.5. Криогенни запомiнаючі пристрої
- •11. Елементи і пристрої відображення інформації
- •11.1. Загальні положення
- •11.2.6. Лазери
- •11.3. Пасивні індикатори
- •11.3.1. Жiдкокристалічнi індикатори
- •11.3.2. Електрохiмичні індикатори
- •12. Пристої функціональної електроникi
- •12.1. Акустоелектронні елементи і пристрої
- •12.1.1. Трансформатори, фазообертувачi і атенюатори на пах
- •12.1.2. Фур’є процессори, конвольвіри, активні пристрої на пах
- •12.2. Оптоелектронні пристрої і елементи
- •12.2.1. Загальні положення
- •12.2.2. Оптрони
- •12.2.3. Пристрої керування випромінювання
- •12.2.4. Дефлектор
- •12.3. Елементи і пристрої коммутацiї
- •12.3.1. Загальні положення і класифікація
- •12.3.2. Електромагнітне реле
- •12.3.4. Геркони і феррiди
10.3. Запоминаючі пристрої на цмд
Магнитни домени - це локальне состояння вещества. Обично використають феррит, гранат.
1) При Нсмещ=0 ми маємо слідуючу структуру доменов;
Див. Рис. 181.
2) Якщо Нсмещ>Нгран, то домени витягаються уздовж магнiтного поля;
3) Нкрит>Нсмещ>Нгран- розрив магнитних ліній;
4) Якщо Нкрит<Нсмещ, то повністю намагничеваються.
Управління ЦМД.
Див. Рис. 182.
Магниторезисторний детектор.
Див. Рис. 183.
Коли під ним минає ЦМД, стан ланцюга зменьшується і ми фіксуємо зміну напругу ЦМД.
Використання ЦМД.
Див. Рис. 184.
Для ускорення використають 2 перемикача:
Г- генератор,
Д- детектор.
Звичайно обсяг пам’яті до 4 Мбт.
Шляхи руху ЦМД:
1) Обертающеєся магнитне поле, при цьому створюються спеціальні металичнi апликацiї, взаємодействуя з перемінним полем по подложке;
2) Створюють спеціальні форми струму (спеціальні апликациiї).
10.4. Запоминаючі пристрої на пав, мсв і пзз
Вишеперечисленні ЗП будуються по принципу динамічної пам’яті.
Див. Рис. 185.
При включенні S1 інформація влучає в ЛЗ. Інформація протекає по кільцю поки не станеться виключення S2. Інформація циркулює без втрат.
Лінія задержки (ЛЗ) виконана на ПАВ, ПЗС, МСВ.
10.5. Криогенни запомiнаючі пристрої
При температуре близької до абсолютного нулю ми одержуємо ефект сверхпроводимостi. Ефект сверхпроводимостi пропадає при підвищенні температури вище критичної, чи при внесенні великого магнитного поля.
Див. Рис. 186.
При зміні Н, змінюється критична температура.
Звідси діється ефект “криотронних елементів”.
На цих елементах можна будувати тригери.
Див. Рис. 187.
Для поліпшення властивостей таких елементів використають ефект Джозефсона (перехід Джозефсона).
Див. Рис. 188.
Постійна часу 10-10оС.
Ток 1 мА.
Напруг 10 мВ.
Порядок переключення 10-18 Дж.
ЗП можна також збудувати на сверхпроводящем контуре.
Див. Рис. 189.
11. Елементи і пристрої відображення інформації
11.1. Загальні положення
В основу роботи засобів відображення інформації покладен ефект чи перетворення внаслідок якого сигнал переносимий електронамi в інформаційний сигнал переносимий фотонами.
Основне завдання: максимальне зберегання інформації.
Варианти надання інформації:
1) стрелочна iндикація;
2) число чи таблиця;
3) график функція;
4) зоображення.
A=log[(nmax-nmin)/2n];
n
i=1
m
k=1
A=4SXYlogM.
nmax, nmin- максимальне і мінімальне значення;
n - крок (погрешність);
n- кількість розрядів;
S- площа зображення;
X, Y- максимальне розкладеня по X і Y;
М- кількість зображень.
Класифікація СОІ:
По принципу світловіддачи:
- активні;
- пасивні.
По фізичному ефекту :
- накалювання;
- газоразрядні;
- жiдкокристалчнi.
По можливості відтворювати інформацію:
- знакомодуліруючі;
- знакогенеріруючі;
- знакосинтезируючі.
По призначенню:
- загального;
- колективного;
- групового;
- індивідуального.
Див. Рис. 190.
=2arctg(h/2l);
P, hP, lP;
i=1
i=1
n
n
m
m
i=1
i=1
де LЭ- яркість елемента індикатора;
L- яркість свечення елемента;
S- площа світлового елементу.
Яркостний контраст.
K=KCKа;
KC=K1K2;
K1=(Ln-L0)/Lи;
K2=Lи/L0;
Ka=L0/La,
де KC- власний яркостний контраст;
Ka- контраст адаптації;
K1- коефіціент яркостного контраста;
K2- контрастність;
L0- яскравість фону;
La- яскравість адаптації глаза;
и- індикатор.
Характеристики:
L=L(U); L=fL(W);
K=K(U); K=fK(W).
11.2. Активні індикатори
11.2.1. Електронно променеві індикатори
Вивчити самостійно.
11.2.2. Вакуумні індикатори розжарювання
Вакуумні індикатори розжарювання - основані на явищі теплового випромінювання нагрітих тіл до 1000 К металевих деталей (катод).
Випускають: ИВ-9, ИВ-10 т. і.
Можна одержати велику яскравість- 104.
11.2.3. Вакуумно-люминісцентні індикатори
Вакуумно-люминесцентні індикатори - основані на явищі низько-вольтної катодної люминесценцiї.
Див. Рис. 191.
1- катод;
2- сітка;
3- екран;
4- люмiнафор;
5- підложка;
6- металеві вивіди від відповідного сегмента.
11.2.4. Газоразрядні індикатори
Газоразрядні індикатори - засновані на випромінювання iзлучення в газовому розряді.
Див. Рис. 192.
I- темновий розряд;
IІ- тлеючий розряд;
IІІ- дуговий розряд.
Промисловiсть випускає: ИН-26 т. і.
Яркість невелика. На їх основі будуються матриці у вигляді табло.
11.2.5. Електролюминісцентні індикатори
Ми знайоми з 2-ма видами люминiсцентних ламп.
1) Предпробойна діється в порошках при пробої.
2) В процесі iнжекцiї (p-n перехід- світодиоди).
Для 1 нагоди.
Див. Рис. 193.
1- електрод непрозорий;
2- діелектрик;
3- порошок (люмiнофор);
4- прозорий електрод.
L=L0exp(1-U/U0); L0=f(W),
де U0- напруг зажiгання.
СИД- светловипромінюваючий диод.
Див. Рис. 194.
При рекомбинацiї носителей діється випромінювання, при включенні його в прямому зміщеннi.
Використовувані матеріали: GaF, GaArF.
