- •Конспект лекцій
- •Елементна база в радiоапаратобудуванi
- •Мета, завдання і зміст курсу
- •1. 2. Використання еб еа в радiоапаратобудуванi
- •3. Відхилення параметрів еб еа та прогнозирування їх якості
- •3.1. Імовірна оцінка відхилення параметрів еб еа
- •3.1.1. Загальні положення
- •3.1.2. Розрахунок виробничих допусків еб еа
- •3.1.3. Розрахунок допусків з впливом влагi, температури, старіння
- •3.2. Прогнозування якості еб еа на основі засобу распознавання образу
- •3.2.1. Загальні положення
- •3.2.3. Засіб узагальненої крапки
- •3.2.4. Імовірносний підхід
- •3.2.5. Метод потенційної функції
- •3.2.6. Дискрiмiнантний аналіз
- •4. Резистори
- •4.1. Загальні положення, класифікація параметрів
- •4.1.1. Позначення резисторів
- •4.2. Резистори постійні
- •4.2.1. Непроволочні резистори
- •4.2.2. Дротові резистори
- •4.3. Резистори перемінного опіру
- •4.3.1. Недротові резистори
- •4.3.2. Дротові резистори
- •4.4. Резистори спеціального призначення
- •4.4.1. Варистори
- •4.4.2. Фоторезистори
- •5.2. Конденсатори постійної ємкості
- •5.2.1. Конденсатори з неорганичним диелектриком
- •5.2.2. Конденсатори з органічним диелектриком
- •5.2.3. Плівочні конденсатори
- •5.2.4. Електролітичнi конденсатори
- •3.2.5. Конденсатори на суперiониках
- •5.2.6. Інші конденсатори
- •5.3. Конденсатори перемінної ємкості
- •5.3.1 Загальні положення
- •5.3.2. Основи проектування кпе по заданим функціональним характеристикам
- •5.3.2.1. Загальні положення
- •5. 4. Конденсатори спеціального призначення
- •6. Iндуктивні елементи
- •6.1. Загальні положення, класифікація параметрів
- •6.2. Iндуктивні елементи без магнітопровіда
- •6.2.1. Iндуктивні елементи без каркаса
- •6.2.2. Iндуктивні елементи з каркасом
- •6.5. Дроселі вч
- •8. Лінії затримкі
- •8.1. Основні поняття
- •8.2. Електричні лінії затримкi
- •8.3. Ультразвукові та магнітострикціонні лінії затрикi
- •9.2. Електричні фільтри
- •9.3. П’єзоелектричнi і механичні резонатори фільтрів
- •9.3.1. Загальні положення
- •9.3.2. П’єзоелектричнi резонаторні фільтри. Прямий і зворотний п’єзоеффект.
- •9.3.3. Електромеханичні резонатори і фільтри
- •9.3.4. Акустоелектронні фільтри. Фільтри на пзз
- •9.4.2. Цифрові фільтри
- •10. Елементи і пристрої пам’яті
- •10.1. Загальні положення
- •10.2. Запомiнаючі пристрої на ферромагнитних матеріалах
- •10.3. Запоминаючі пристрої на цмд
- •10.4. Запоминаючі пристрої на пав, мсв і пзз
- •10.5. Криогенни запомiнаючі пристрої
- •11. Елементи і пристрої відображення інформації
- •11.1. Загальні положення
- •11.2.6. Лазери
- •11.3. Пасивні індикатори
- •11.3.1. Жiдкокристалічнi індикатори
- •11.3.2. Електрохiмичні індикатори
- •12. Пристої функціональної електроникi
- •12.1. Акустоелектронні елементи і пристрої
- •12.1.1. Трансформатори, фазообертувачi і атенюатори на пах
- •12.1.2. Фур’є процессори, конвольвіри, активні пристрої на пах
- •12.2. Оптоелектронні пристрої і елементи
- •12.2.1. Загальні положення
- •12.2.2. Оптрони
- •12.2.3. Пристрої керування випромінювання
- •12.2.4. Дефлектор
- •12.3. Елементи і пристрої коммутацiї
- •12.3.1. Загальні положення і класифікація
- •12.3.2. Електромагнітне реле
- •12.3.4. Геркони і феррiди
9.4.2. Цифрові фільтри
Цифрові фільтри - це цифрові пристрої фільтрацiї, що оперують дискретизованними в часу сигналами.
1) Лінійний опис лiнійного динамичного чотирьохполюсника.
m
m
k=1
k=1
t
0
3) На основі перетворення Фур’є.
-
4) Формула Гiра.
p
i=1
N-1
n=0
Дискретне перетворення Фур’є.
N-1
n=0
Uвих(K)=Uвх(K)=H(K);
N-1
n=0
Існують:
1) Рекурсивний фільтр;
2) Нерекурсивний фільтр;
3) На основі ДПР.
Див. Рис. 166.
Рекурсивний фільтр (iнтеграл Дюамеля).
Див. Рис. 167.
А0, A1... Am; B0, B1... Bm- вагові коефіцієнти для iнтеграла Дюамеля.
Фільтри на основі ДПР.
Див. Рис. 169.
Достойність: нечувствiтелен до розбросу параметрів, точність настройки.
Недоліки: обмежений по частоті із-за повільної роботи ЦАП і АЦП.
10. Елементи і пристрої пам’яті
10.1. Загальні положення
Елементи пам’яті призначени для зберегання інформації на протязі даного часу.
d
k=-c
Приклад: -2.73.
X0=-1; q-2=3;
c=-2; q-1=7;
d=0; q0=2;
-2.73=-1(3*10-2+7*10-1+2*100).
Необхідно записати в ЗП число з основою а і n кількістю розрядів.
N=an- кількість ЗП;
M=an- кількість ячеїк пам’яті для запису.
lnМ=nlna.
Визначимо підставу системи счислення розрядів ,що дають мінімальне число для запису n=lnm/lna;
N=a(lnm/lna).
Необхідно знайти оптимальний варіант.
Див. Рис. 170.
Вибрали а=2.
Сама вигідна 3-ох значна. Проте физична реалізація обмежена застосуванням двоїчної (яка найбільш реализується).
Основні параметри:
1) Обсяг пам’яті;
2) Швидкодія;
3) Час зберегання;
4) Час вибірки;
Класифікація:
1) Стирающі;
2) Не стирающі;
3) З довільним доступом;
4) З недовiльним доступом.
10.2. Запомiнаючі пристрої на ферромагнитних матеріалах
У вигляді запомiнаючих пристроїв застосовують різноманітні осердя з ферромагнітов, яким свойственна остаточна намагніченість.
Див. Рис. 171, 172.
Розрізняють 3 принципа запису:
1) По двом рівням з проміжками між знаками;
2) По двом рівням без проміжків між знаками;
3) По трьом рівням.
У вигляді реалізації такого підходу використають ЗП на тороїдальних осердях.
Будують їх по принципу сполучення двох струмів.
Див. Рис. 173.
Осерді диаметром майже 1 мм. Мають можливість будувати як в плоскостi, так і в просторі.
Також ЗП використовують на стержневих осердях, зробленних по принципу магнитного зв’язку.
Див. Рис. 175.
В усіх цих осердях при считиваннi інформація губиться.
Трансфлюксори.
Див. Рис. 176, 177.
Існує два стану: стан “1” намагнічення:
Подадим на обмотку, W1 напруг, який намагнитить осердя.
Подаємо сигнал: в перший полуперiод він буде співпадати з одним станом намагнічення, в іншому полуперiоде з іншим. Якщо не співпадає, одержуємо отклик - сигнал є.
В першому випадку сигнал відсутній.
Див. Рис. 178.
Подаємо напруг менш намагнічення і інформація не стирається.
Бiакс.
Див. Рис. 179.
WК- обпрашиваюча квадратурна обмотка;
WЗ- запис;
---- - інтерисуємая область.
Інформація також не стираєтся.
