6.2.2. Iндуктивні елементи з каркасом

1) Одношарові iндуктивні елементи.

Вимоги: стабільність, механична прочність, підвищена робоча напруга.

L=K₁n²DL₀;

L₀=(L/D).

Q=K₂LDf/K₃L+K₄D- добротність.

ТКИ залежить від матеріалу каркаса.

Для: полiстерола -6080;

полiетилена -200600;

керамикi -15101_*10^-6.

2) Богатошарові iндуктивні елементи.

L=K₁n²F²/(K₂L+K₃D+K₄t);

де t- товщина намотки.

Див. Рис. 98.

L=L_C[N+2K_CB(N-1)].

6.2.3. Спiральні iндуктивні елементи

Див. Рис. 99.

L=K₁(D₁+D₂)n^5/3lg(4(D₁+D₂)/D₂-D₁)/4;

L=K₂(A₁+A₂)n^5/3lg(8(A₁+A₂)/A₂-A₁)/2;

6. 3. Iндуктивні елементи з магнітопровідом

6.3.1. Матеріали магнітопровідов

Розглянемо магнитні і немагнитні матеріали магнитопровідов.

Магнитні матеріали: карбанильне залізо, ферріти, альсифер т. і.

Феррiт: MeОМе^*ОFe₂;

де Me- Ni, Li, Mn, Pb, Cu;

M- кадмій, цінк.

Немагнитні матеріали: медь, алюміній, латунь, посеребренні осердi iспитанні при частоте 100 Мгц.

6.3.2. Типи осердів

Див. Рис. 100, 101.

6.3.3. Основні розрахункові співвідношення

L_СМП=_СL_БМП;

де с- осердя;

бмп- без магнітопровіда;

смп- з магнітопровідом.

Q_СМП=_СQ_БМП;

_С=K_K;

ТКИ_СМП=ТКИ_БМП/_С+ТКИ_ДОП(1-1/_С).

Втрати: на вiхреві струми, гiстерезiс т. і.

R_С=WL_МП(_ГH+_FF+_П).

6.4. Елементи з переменною iндуктивністью (вариометри)

Змінити iндуктивність можна:

- змінюючи довжину витків;

- змінюючи взаємні iндуктивностi;

- змінюючи положення осердя.

1) Зміна числа витків.

Втрати: змінюється добротність, чуткість.

Див. Рис. 102.

2) Зміна взаємної iндуктивностi.

Див. Рис. 103.

Для послідовного включення статора і ротора.

L_max=L_P+L_C+2M;

L_min=L_P+L_C-2M;

K_L=L_max/L_min=L_P+L_C+2M/L_P+L_C-2M;

де с- статор;

р- ротор;

K_L- коефіцієнт.

Для паралельного включення обмоток:

L_max=L_PL_C-M²/L_PL_C-2M;

L_min=L_PL_C-M²/L_PL_C+2M;

K_L=L_PL_C+2M/L_PL_C+2M.

Зміна положення осердя.

Див. Рис. 104.

6.5. Дроселі вч

Дроселі ВЧ призначени для утворення в ланцюзі високочастотного iндуктивного опіру.

Модель дроселя ВЧ:

Див. Рис. 105, 106.

де 1- присутне L_ДР;

2- присутні C_ДР і L_ДР;

3- присутні C_ДР, L_ДР і R_ДР.

8. Лінії затримкі

8.1. Основні поняття

Лінія затримкi - це линейний чотирьохполюсник, основна функція якого може бути записана як:

U_вих=U_вх(t-_З)1(t-_З);

Лінії затримкi классифіцирують:

1. По електричним параметрам:

- електричні;

- ультразвукові;

- акустоелектронні;

- лінії затримкі на ПЗС;

- лінії затримкi магнитострикціоні;

- лінії затримкi на МСВ.

2. По часу затримкi:

- наносекундні 10^-710^-10;

- микросекундні 10^-410^-7;

- мiлiсекундні 10^-210^-4.

3. Точність по часу затримкi:

- з малою точністю;

- з середньою точністю;

- з високою точністю.

Перехідна характеристика лінії затримкi:

g(t)=1(t-_З);

t

t

0

0

U_вих(t)=d/dt(U_вх(t)1(t-_З-t)dt)=(U_вх(t)(t-_З-t)+U_вх(t)1(t-_З-t));

U_вих(t)=U_вх(t-_З)[(1-_З-0)1(t-_З-t)]=U_вх(t-_З)1(t-_З).

Частотна характеристика:

h(t)=dg/dt=(t-_З)t- iмпульсна характеристика;



0

H(jW)=(t-_З)exp(-jW_З)=exp(-jW_З).

A(W)=1- амплитудна характеристика;

(W)=_ЗW- фазова характеристика.

Затухання: 110 дБ, частотний діапазон: 100 Мгц, температурний коефіціент лінії затримкі: 1300 1/^оС.