- •Конспект лекцій
- •Елементна база в радiоапаратобудуванi
- •Мета, завдання і зміст курсу
- •1. 2. Використання еб еа в радiоапаратобудуванi
- •3. Відхилення параметрів еб еа та прогнозирування їх якості
- •3.1. Імовірна оцінка відхилення параметрів еб еа
- •3.1.1. Загальні положення
- •3.1.2. Розрахунок виробничих допусків еб еа
- •3.1.3. Розрахунок допусків з впливом влагi, температури, старіння
- •3.2. Прогнозування якості еб еа на основі засобу распознавання образу
- •3.2.1. Загальні положення
- •3.2.3. Засіб узагальненої крапки
- •3.2.4. Імовірносний підхід
- •3.2.5. Метод потенційної функції
- •3.2.6. Дискрiмiнантний аналіз
- •4. Резистори
- •4.1. Загальні положення, класифікація параметрів
- •4.1.1. Позначення резисторів
- •4.2. Резистори постійні
- •4.2.1. Непроволочні резистори
- •4.2.2. Дротові резистори
- •4.3. Резистори перемінного опіру
- •4.3.1. Недротові резистори
- •4.3.2. Дротові резистори
- •4.4. Резистори спеціального призначення
- •4.4.1. Варистори
- •4.4.2. Фоторезистори
- •5.2. Конденсатори постійної ємкості
- •5.2.1. Конденсатори з неорганичним диелектриком
- •5.2.2. Конденсатори з органічним диелектриком
- •5.2.3. Плівочні конденсатори
- •5.2.4. Електролітичнi конденсатори
- •3.2.5. Конденсатори на суперiониках
- •5.2.6. Інші конденсатори
- •5.3. Конденсатори перемінної ємкості
- •5.3.1 Загальні положення
- •5.3.2. Основи проектування кпе по заданим функціональним характеристикам
- •5.3.2.1. Загальні положення
- •5. 4. Конденсатори спеціального призначення
- •6. Iндуктивні елементи
- •6.1. Загальні положення, класифікація параметрів
- •6.2. Iндуктивні елементи без магнітопровіда
- •6.2.1. Iндуктивні елементи без каркаса
- •6.2.2. Iндуктивні елементи з каркасом
- •6.5. Дроселі вч
- •8. Лінії затримкі
- •8.1. Основні поняття
- •8.2. Електричні лінії затримкi
- •8.3. Ультразвукові та магнітострикціонні лінії затрикi
- •9.2. Електричні фільтри
- •9.3. П’єзоелектричнi і механичні резонатори фільтрів
- •9.3.1. Загальні положення
- •9.3.2. П’єзоелектричнi резонаторні фільтри. Прямий і зворотний п’єзоеффект.
- •9.3.3. Електромеханичні резонатори і фільтри
- •9.3.4. Акустоелектронні фільтри. Фільтри на пзз
- •9.4.2. Цифрові фільтри
- •10. Елементи і пристрої пам’яті
- •10.1. Загальні положення
- •10.2. Запомiнаючі пристрої на ферромагнитних матеріалах
- •10.3. Запоминаючі пристрої на цмд
- •10.4. Запоминаючі пристрої на пав, мсв і пзз
- •10.5. Криогенни запомiнаючі пристрої
- •11. Елементи і пристрої відображення інформації
- •11.1. Загальні положення
- •11.2.6. Лазери
- •11.3. Пасивні індикатори
- •11.3.1. Жiдкокристалічнi індикатори
- •11.3.2. Електрохiмичні індикатори
- •12. Пристої функціональної електроникi
- •12.1. Акустоелектронні елементи і пристрої
- •12.1.1. Трансформатори, фазообертувачi і атенюатори на пах
- •12.1.2. Фур’є процессори, конвольвіри, активні пристрої на пах
- •12.2. Оптоелектронні пристрої і елементи
- •12.2.1. Загальні положення
- •12.2.2. Оптрони
- •12.2.3. Пристрої керування випромінювання
- •12.2.4. Дефлектор
- •12.3. Елементи і пристрої коммутацiї
- •12.3.1. Загальні положення і класифікація
- •12.3.2. Електромагнітне реле
- •12.3.4. Геркони і феррiди
6. Iндуктивні елементи
6.1. Загальні положення, класифікація параметрів
Iндуктивні елементи- елементи, функцюювання яких визначається взаімодією електричного і магнитного полей. Це елементи що володіють iндуктивним характеристичним опіром.
Iндуктивні елементи класифіцирують:
1) По призначенню:
- конструктивні iндуктивні елементи зв'язку;
- дроселі ВЧ;
2) По характеру зміни iндуктивностi:
- постійні;
- перемінні;
- підстроюванні.
3) По конструктивному признаку:
- з каркасом;
- без каркасу;
- з магнітопровідом;
- без магнітопровіду;
- з корпусом;
- без корпусу.
4 ) По формі елементів:
- цилиндричнi;
- спiральні.
5) По типу намотки:
- одношарові;
- одношарові з кроком;
- богатошарові;
- універсальні.
Див. Рис. 88.
U=d/dt[(I)]=dI/tdt;
/t=const;
UL(t)=LdIL/dt;
/I=L(I); /I=L(X);
UL(t)=L(X)dIL/dt.
Еквівалентна схема iндуктивного елементу.
Див. Рис. 89.
UL(t)=I1(t)RL+LLdI1/dt;
t
0
t
t
0
0
Див. Рис. 90.
Добротність: Q=WL/r, WL=1100, і залежить від матеріалу проводу, екрану, пропiткi.
Власна паразитна ємкість:
С0=С0К+С0П+С0Д+С0М+С0Е,
де К- контакт;
П- повітря;
Д- диелектрик;
М- магнитопровод;
Е- екран.
Див. Рис. 91.
{
U1(t)=M11dI1/dt+M12dI2/dt
U2(t)=M21dI1/dt+M22dI2/dt
M11=L1 M12=M21=M M22=L2
Варианти визначення магнiтного зв'язку:
1) Прості котушки, одношарові.
Див. Рис. 92.
M0=K1D1, =(D1, D2, a), K- численний коефіціент.
2) Понад складні, многошарові котушки.
Див. Рис. 93.
M=K2M0n1n2, M0- з попереднього, n- число шарів.
3) Див. Рис. 94.
M=K3n1n2D1D2, =(D1, D2, l).
4) Див. Рис. 95, 96.
M=K4n1n2D/b3.
5) Див. Рис. 97.
M=K5n1n2[M12+M13+...+M1’2+M1’3+..-2M11’]/6.
6) M=K6n1n2ST/Lt.
Екранірування призначено для локализациї електромагнитного поля (захист).
Ефективність екрану: K=AСЕ/АБЕ, С- з екраном, Б- без екрану.
Якщо площа екрану більше глибини проникання (S>), то:
=0/f;
LВН=-0n2F/R3;
RВП=3n2F2/2SR4;
вн- площа ,що вносе iндуктивність;
RВН- вносимий опір;
F- перетин витка;
n- кількість витков;
S- площа;
R- радіус еквівалентного екрану;
0- проводимість материалу екрана.
LСЕ=(LK/DK)(DK/DE)3;
KСВ2=(LK/DK)(DK/DE)3;
KСВ2=1(LK/DK; LE/DE)(DK/DE)3.
6.2. Iндуктивні елементи без магнітопровіда
6.2.1. Iндуктивні елементи без каркаса
Використовують, якщо понижени вимоги до стабільності і добротності елементів.
Основні параметри:
Q, d0, L, D;
L=L1n+2(n-1)M11+2(n-2)M12+...;
де M11- магнитний зв'язок між двома витками;
M12- через виток;
n- номер витка.
dOPt=(K1L+K2D)/(K3LDf);
де K1, K2, K3- числені коефіціенти;
L- довжина;
f- робоча частота;
dOPt- оптимальний диаметр проводу;
D- диаметр котушки.
m- температурний коефіціент матеріалу.
C0=(/d0)(L/D),
де - крок;
d0- диаметр проводу.
