Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Копия ЕБ ЕА.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
337.41 Кб
Скачать

Міністерство освіти і науки України

ОДЕСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ

Кафедра "Електронні засоби та інформаційно-комп'ютерні технології"

Д.т.н., професор НІКОЛАЄНКО В.М.

Конспект лекцій

з курсу

"ЕЛЕМЕНТНА БАЗА ЕЛЕКТРОННИХ АПАРАТІВ"

для студентів спеціальностей 7.091001 і 7.091003

Одеса ОНПУ 2002

  1. Елементна база в радiоапаратобудуванi

    1. Мета, завдання і зміст курсу

Метою наданої дисципліни є призначення, область застосування, принципів вибору конструктивних параметрів, а також оволодіння сучасними засобами дослідження і проектування ЕБ ЕА при допомозі ЕОМ, з урахуванням технології їх виготовлення; з урахуванням вияву дестабiлiзуючих чинників.

Основні завдання курсу:

1. Вивчення призначення, фізичних основ функцюювання, області застосування, етапів вибору і основних параметрів слідуючих елементів: резiсторів, конденсаторів, iндуктивних елементів, трансформаторів і дроселей, ліній затримки, елементів і пристроїв фiльтрації, елементів і пристроїв пам'яті, елементів і пристроїв відображення інформації, акустоелектроних пристроїв, оптоелектроних пристроїв і пристроїв комутації.

2. Вивчення імовірностно-статистичних методів оцінки параметрів елементів ЕБ ЕА з урахуванням впливу дестабiлiзуючих чинників.

3. Вивчення методів розрахунку спеціальних ЕБ ЕА за допомогою ЕОМ.

4. Вивчення методів прогнозування якості ЕБ ЕА.

5. Вивчення сучасних методів дослідження.

1. 2. Використання еб еа в радiоапаратобудуванi

В сучасних умовах проектування, експлуатація і відбудова РЕЗ залежить від якості радiоелементів, від їх надійності і значень величин параметрів. Особливе значення має технічний і технологичний рівень в проектуванні і виробництві елементної бази.

Потреба в великій кількості елементів привело до нормалізації, унiфикації і стандартизації елементної бази.

При проектуванні спеціальних елементів разроблювач повинен враховувати слідуючі чинники: необхідно використати в процесі проектування елементи САПР; необхідно щоб разроблений пристрой мав патентну частоту і патентну спроможність; проектована технологія виробництва повинна бути енергозберегаючей і маловідходной; необхідно враховувати правила техніки безпеки і екологію навколишнього середовища.

Патентна частота- це юридична властивість об'єкту, при якої він може використатися в даній країні на дану дату без небезпеки порушення патентних прав.

Патентна спроможність- це властивість об'єкту задовольняти слідуючі вимоги: в вироб закладено технічне рішення завдання; світова новизна; позитивний ефект і можливість богаторазового відтворення.

3. Відхилення параметрів еб еа та прогнозирування їх якості

3.1. Імовірна оцінка відхилення параметрів еб еа

3.1.1. Загальні положення

Для того, щоб проектована РЕЗ володіла заданими характеристиками, необхідно, щоб комплектуючі елементи мали параметри і характеристики, що знаходяться в заданих межах (допусках). Існують механічні і електричні допуски.

Електричні допуски: експлуатаційні, ремонтні, виробничі. Експлуатаційні враховують експлуатацію, старіння.

Ремонтні не враховують старiння в відміну від експлуатаційних. Виробничі враховують умови виробництва.

Рис. 29

де E- середина (E=(B0+H0)/2);

B0- верхнє відхилення (B0=E+);

Н0- нижнє відхилення (H0=E-);

- усі статті допуску;

- половина поля допуска (= /2 ).

N=f(q1,q2,q3,...,qn),

де q1...qn- різноманітні чинники впливаючи на параметри елементів;

N- кількість технологічних чинників.

Номiнальні чинники:

f

n

i=1

(q1+qn,q2+qn,...,qn+qn)=N0+N=f(q10,...,qn0)+ф(f(q10,...,qn0)/qi)qi+

n

n

+

j=1

i=1

1/2! (f(q10,...,qn0)/qiqj)qiqj+1/3!... - це ряд Тейлора,

A=f(q10,...,qn0)/qi,

де Ai- коефіціент впливу.

n

i=1

N/N0=Biqi/qi,

де qi/qi- відхилення чиника.

Bi=f(q10,...,qn0)qi/qif(q10,...,qn0),

-рівняння погрішностi в абсолютних відхиленнях.

n

i=1

N=Aijq,

де Ai- коефіціент впливу.

Для відносних відхилень:

n

i=1

Nj=Ajiqi,

д

n

е j=1,m.

i=1

N/Nj=Bjiqi/qi,

де j=1,m