Всім – 8 запитань, з відповідями

(те, що косим шрифтом – просто для ознайомлення).

Нижче (після відповідей на 8 запитань (необхідних для 60-74 балів) – відповіді на деякі з інших можливих запитань з курсу).

1) Діркова та електронна провідності напівпровідників.

2) Перетворювачі на основі діодних напівпровідників (випрямні діоди, стабілі-трони (стабістори), варикапи, випромінюючі діоди, фотодіоди, лазери).

3) Уніполярні та біполярні транзистори. Спільні та відмінні параметри.

4). Режими роботи транзисторних посилювачів.

. 5) Операційні посилювачі. Позитивний, та негативний ЗЗ в посилювачах

6). Автогенератори.

7). Мультивібратор. Блокінг-генератор.

8). Тригери.

1. Діркова та електронна провідності напівпровідників.

При кiмнатнiй температурі частина електронів набуває енергію, достатню для розриву ковалентного зв'язку і у валентній зонi атома з'являється вiльний енергетичний рiвень. Відповідно атом набуває одиничного позитивного заряду, який одержав назву дірки.

На звільнений енергетичний рiвень може перейти електрон із сусіднього атома (при цьому перший звiльнений енергетичний рiвень заповнюється знов повністю), але з'являється iнший неповний енергетичний рiвень, тобто заповнення дiрки електроном із сусiднього атома можна представити як перемiщення дірки. Тобто дiрку можна вважати рухомим (вільним) носієм елементарного позитивного заряду. Процес створення пар "електрон  дiрка" називають генерацією вiльних носiїв заряду. Очевидно, що кiлькiсть їх тим бiльша, чим вища температура (та менша ширина забороненої зони атома).

При тепловiй рівновазi концентрацiя дiрок (у валентнiй зонi атома) дорівнює концентрацiї вільних рухомих електронiв (в зонi провідності атома).

2. Перетворювачі на основі діодних напівпровідників (випрямні діоди, стабілі-трони (стабістори), варикапи, випромінюючі діоди, фотодіоди, лазери).

Випрямними називають дiоди, призначенi для випрямлення змiнного струму. (На умовному позначенні струм проходить за напрямком трикутника). Стабiлiтрони (та стабістори) – це діоди, призначенi для стабілізації рiвня напруги в колі. Це діоди, в яких на ВАХ iснує дiлянка зі слабкою залежністю напруги вiд протiкаючого струму. Така дiлянка у випадку стабілітрона є на зворотнiй (у стабістора – на прямій) гiлцi ВАХ кремнiєвого дiода в режимi лавинного, або тунельного пробою. Варикапи використовують як керовану напругою ємнiсть. Це н/п дiоди, в яких використовується залежнiсть бар'єрної (зарядної) ємностi р-n-переходу вiд зворотної напруги. Випромінюючі діоди перетворюють електричну енергію в світлову, а фотодіоди – навпаки – світлову в електричну. Інжекційні лазери – особливої конструкції випромінюючі діоди, які випромінюють потужне когерентне світло (вузького частотного спектру та направленості, поляризоване, потужне).

3. Уніполярні та біполярні транзистори. Спільні та відмінні параметри.

Уніполярні (польові, канальні) транзистори управляються напругою (електричним полем), а біполярні транзистори БТ – струмом. В них є по три електроди (тому один із них завжди є спільним для входу та виходу), так що в останньому (БТ) є два p-n переходи. Тому найбільш поширені біполярні транзистори бувають типів p-n-p та n-p-n. Останні набули останнім часом ширшого застосування із-за кращих частотних властивостей (внаслідок більшої швидкодії електронів порівняно з дірками).

Ще кращі частотні властивості – в польовому транзисторі – в якого замість двох p-n переходи є один провідний канал і керуючий електрод протилежних зарядів. Ці транзистори відрізняють також великий вхідний, та малий вихідний опори (що є їх великою перевагою), а також переваги високої температурної стабільності, малого рівня шумів (малої прохідної ємності, майже повної розв’язки вхідних і вихідних кіл).

В залежності від трьох можливих схем з’єднання електродів транзисторів їх відрізняють різні параметри. У сучасних біполярних транзисторів в найбільш поширеній схемі зі спільним емітером коефіцієнт посилення досягає 100. Характеристики транзисторів – принципово нелінійні (тому в них не працює закон Ома), але в режимі малих сигналів є практично лінійні ділянки.