Современные тиристоры выключаются управляющим импульсом, и используют небольшой вспомогательный тиристор в середине прибора для усиления входного управляющего импульса GTO тиристоры имеют много небольших областей управления, позволяющих выключать тиристор при малых токах управления по отношению к номинальному току (обычно 10:1). IGCT тиристоры используют коэффициент отключения по току 1:1, для получения быстрого отключения, что вызывает необходимость увеличения тока отключения до 4000 А для современных 4000 А тиристоров. IGCT тиристоры могут быть выключены, только если ток не превышает номинальный ток тиристора, при большем токе происходит разрушение тиристора.

PPI устройство разработано непосредственно из IGBT транзистора и отличается двумя важными качествами: транзистор и обратный диод в модуле соединяются без помощи металлических проводников, а непосредственно, как в структуре тиристоров и IGCT; транзистор также оптимизирован для работы с низкими частотами, что позволяет снизить потери и повысить эффективность транзистора. PPI обеспечивает такую же защиту, как и простой IGBT транзистор, и может быть выключен даже при токах КЗ, превышающих во много раз номинальный ток транзистора. Эту возможность обеспечения защиты применяют во всех современных ШИМ приводах. PPI обладают преимуществами по сравнению с обычными IGBT транзисторами, однако в сумме они проигрывают на низких частотах.

Для выключения IGCT тиристора необходим большой ток отключения (4000 А/мкс), в то время как IGBT и PPI имеют драйвера небольшой мощности.Для драйвера IGCT тиристора необходимо большое число электролитических конденсаторов.IGCT тиристор разрушается при токе, превышающем номинальный (обычно 4000А). Для IGCT тиристора не применима технология PPI. PPI имеют неоспоримые преимущества перед IGCT тиристорами.

= 30