Схема защитной цепи
а)
б)
Gate Commutated Thyristor (GCT)
Integrated Gate-Commutated Thyristor (IGCT))
Условное обозначение а) и распределение токов в структуре тиристора GCT при выключении б)
Условное обозначение IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistors)
. Диаграмма напряжения и тока управления IGBT
а) |
б) |
Схематичный разрез структуры IGBT: а) -обычного (планарного); б) - выполненого по "trench- gate technology"
Схемы IGBT-модулей
IGBT транзистор изготовлен комбинацией многих транзисторов, включенных параллельно в одном корпусе. В настоящее время IGBT транзисторы применяются во всех низковольтных
ШИМ приводах и показали свою высокую надежность. IGBT транзисторам присущи высокая скорость переключения и они могут выключаться током во много раз меньшим номинального тока транзистора. Эта способность IGBT транзисторов позволяет создавать защиту от КЗ в современных приводах. IGBT транзисторы и обратный диоды в модуле соединены металлическими проводниками как показано на рисунке и они охлаждаются с одной стороны, что обеспечивает
высокую надежность устройств с эл. двигателями 50 – 60 Гц. Когда применяется более низкая частота, комбинация металлических проводников и одностороннего охлаждения приводит к тому, что температура IGBT структуры и металлических проводников становится разной, поэтому применяют PPI конструкцию, снимающую данную проблему.