- •А.Н. Игнатов
- •Новосибирск 2013
- •Предисловие
- •1.1 Введение в волоконную оптику
- •1.2 Особенности оптической электроники
- •1.3 История развития оптоэлектроники
- •1.4 Современное состояние оптоэлектронной элементной базы
- •1.5 Система обозначений оптоэлектронных приборов индикации
- •1.6 Система обозначений полупроводниковых приборов и оптронов
- •Тестовые вопросы к главе 1 «Введение в оптоэлектронику»
- •2 Физические основы оптоэлектроники
- •2.1 Различие между фотометрическими и энергетическими характеристиками
- •2.2 Фотометрические характеристики оптического излучения
- •2.2.1 Функция видности и ее зависимость от длины электромагнитной волны
- •2.2.2 Телесный угол, световой поток и механический эквивалент света
- •2.2.3 Сила света, IV
- •2.2.4 Освещенность поверхности, е
- •2.2.5 Закон освещенности
- •2.2.6 Светимость излучающей поверхности, м
- •2.2.7 Яркость светящейся поверхности, l
- •Величина
- •2.2.8 Закон Ламберта
- •2.2.9 Световая экспозиция, нv
- •2.5 Колориметрические параметры
- •2.6 Когерентность оптического излучения
- •2.6.1 Монохроматическая электромагнитная волна (мэв)
- •2.6.2 Особенности излучения электромагнитных волн в ультрафиолетовом (уф), видимом и инфракрасном (ик) диапазонах
- •2.7 Квантовые переходы и вероятности излучательных переходов
- •2.7.1 Энергетические уровни и квантовые переходы
- •2.7.2 Спонтанные переходы
- •2.7.3 Вынужденные переходы
- •2.7.4 Соотношения между коэффициентами Эйнштейна
- •2.7.5 Релаксационные переходы
- •2.8 Ширина спектральной линии
- •2.9 Использование вынужденных переходов для усиления электромагнитного поля
- •2.10 Механизм генерации излучения в полупроводниках
- •2.11 Прямозонные и непрямозонные полупроводники
- •2.12 Внешний квантовый выход и потери излучения
- •2.13 Излучатели на основе гетероструктур
- •2.14 Поглощение света в твердых телах
- •2.15 Типы переходов и характеристики излучающих полупроводниковых структур.
- •2.16 Параметры оптического излучения
- •Тестовые вопросы к главе 2 «Физические основы оптоэлектроники»
- •3 Приборы некогерентного излучения
- •3.1 Источники света
- •3.1.1 Разновидности источников
- •3.2 Основные характеристики и параметры светодиодов
- •3.2.1 Параметры светодиодов
- •3.2.2 Характеристики светодиодов
- •3.2.3 Определение и оценка параметров светодиодов
- •3.2.4 Схемы возбуждения, обеспечивающие высокую световую эффективность светодиодов
- •3.2.5 Влияние температуры
- •3.2.6 Срок службы
- •3.2.7 Ограничение тока
- •3.2.8 Достоинства твердотельных излучателей
- •3.3 Конструкции светодиодов
- •3.4 Основные схемы возбуждения светодиодов
- •3.5 Выбор типа светодиода
- •3.5.1 Основные соображения для выбора типа светодиода
- •3.5.2 Памятка разработчику
- •3.6 Электрическая модель светодиода
- •3.7 Светодиоды инфракрасного излучения
- •3.8 Светодиодные источники повышенной яркости и белого света
- •Тестовые вопросы к главе 3 «Источники некогерентного излучения»
- •4 Приборы когерентного излучения
- •4.1 Физические основы усиления и генерации лазерного излучения
- •4.2 Структурная схема лазера
- •4.3 Лазеры на основе кристаллических диэлектриков
- •4.4 Жидкостные лазеры
- •4.5 Газовые лазеры
- •4.6 Устройство и принцип действия полупроводникового инжекционного моно лазера
- •4.7 Устройство и принцип действия полупроводниковых лазеров с гетероструктурами
- •4.8 Волоконно-оптические усилители и лазеры
- •4.8.1 Волоконные усилители
- •4.8.2 Волоконные лазеры
- •4.8.3 Волоконные лазеры на основе вынужденного комбинационного рассеяния
- •4.9 Светоизлучающие диоды для волоконно-оптических систем
- •4.10 Сравнительная характеристика лазеров и светодиодов
- •4.10.1 Параметры отечественных полупроводниковых лазеров и оптических модулей
- •4.11. Квантовые эффекты в полупроводниках
- •4.12. Фотонные нанокристаллы.
- •4.13. Наноэлектронные лазеры
- •4.13.1. Наноэлектронные лазеры с горизонтальными резонаторами
- •4.13.2. Наноэлектронные лазеры с вертикальными резонаторами
- •4.14.1. Органические светодиоды
- •4.14.2. Пассивно-матричные oled
- •4.14.3. Активно-матричные oled
- •4.14.4. Технологии получения органических светодиодов
- •Тестовые вопросы к главе 4 «Приборы когерентного излучения»
- •5 Полупроводниковые фотоприемные приборы
- •5.1 Принцип работы фотоприемных приборов
- •5.2 Характеристики, параметры и модели фотоприемников
- •5.2.1 Параметры фотоприемников
- •5.2.2 Характеристики фотоприемников
- •5.2.3 Параметры фотоприемника как элемента оптопары
- •5.2.4 Электрические модели фотоприемников
- •5.3 Фотодиоды на основе p-n – перехода
- •5.4 Фотодиоды с p–I–n структурой
- •5.5 Фотодиоды Шоттки
- •5.6 Фотодиоды с гетероструктурой
- •5.7 Лавинные фотодиоды
- •5.8 Фототранзисторы
- •5.9 Фототиристоры
- •5.10 Фоторезисторы
- •5.11 Основные характеристики и параметры фоторезистора
- •5.12 Пзс приемные фотоприборы
- •5.13 Фотодиодные сбис на основе моп – транзисторов
- •5.14 Пиротехнические фотоприемники
- •5.15. Фотоприемные наноэлектронные приборы
- •5.15.1. Фотоприемники на квантовых ямах
- •5.15.2. Фотоприемники на основе квантовых точек
- •Тестовые вопросы к главе 5 «Полупроводниковые фотоприемные Приборы»
- •6 Оптроны
- •6.1 Устройство и принцип действия оптронов
- •6.2 Структурная схема оптрона
- •6.3 Классификация и параметры оптронов
- •6.4 Электрическая модель оптрона
- •6.5 Резисторные оптопары
- •6.6 Диодные оптопары
- •6.7 Транзисторные оптопары
- •6.8 Тиристорные оптопары
- •Тестовые вопросы к главе 6 «Оптроны»
- •7 Индикаторные приборы
- •7.1 Жидкокристаллические индикаторы
- •7.1.1 Основы теории
- •7.1.2 Ячейки на основе эффекта динамического рассеяния (др – ячейки)
- •7.1.3 Ячейки на основе твист-эффекта
- •7.1.4 Основные типы и параметры
- •7.1.5 Схемы включения жидкокристаллических индикаторов
- •7.1.6 Схемы управления многоразрядными индикаторами
- •7.2 Электролюминесцентные индикаторы
- •7.2.1 Устройство и принцип действия
- •7.2.2 Типы и параметры
- •7.2.3 Схемы включения электролюминесцентных индикаторов
- •7.3 Плазменные панели и устройства на их основе
- •7.4 Электрохромные индикаторы
- •7.5. Отображение информации индикаторными приборами
- •Тестовые вопросы к главе 7 «Индикаторные приборы»
- •8 Применение оптоэлектроннх приборов
- •8.1 Устройство и принцип действия оптоэлектронных генераторов
- •8.1.1 Блокинг - генератор
- •8.1.2 Генератор линейно изменяющегося напряжения
- •8.1.3 Генератор с мостом Вина
- •8.2 Применение оптоэлектронных приборов в аналоговых ключах и регуляторах
- •8.3 Применение оптронов для выполнения логических функций
- •8.4 Применение оптронов как аналогов электрорадиокомпонентов
- •8.5 Устройство и принцип действия оптоэлектронных усилителей
- •8.6 Устройство и принцип действия оптоэлектронных цифровых ключей
- •8.7 Применение оптоэлектронных приборов для измерения высоких напряжений и управления устройствами большой мощности
- •8.8 Устройство и принцип действия оптических устройств записи информации
- •8.9 Принцип лазерно-оптического считывания информации
- •8.10 Принципы цифровой оптической записи и воспроизведения информации с компакт дисков
- •8.10.1 Устройство компакт-диска
- •8.10.2 Запись на компакт диски
- •8.10.3 Отличия cd-r/cd-rw дисков от штампованных
- •8.10.4 Маркировка дисков
- •8.10.5 Надежность дисков cd-r/rw в сравнении со штампованными
- •8.10.6 Изготовление и тиражирование компакт-дисков
- •8.10.7 Воспроизведение компакт-диска
- •8.10.8 Устройство накопителей на cd-rom
- •8.10.9 Представление и параметры звукового сигнала на cd
- •8.10.10 Джиттер
- •8.11 Оптоэлектронные сенсорные системы взаимодействия человека с электронной техникой.
- •8.11 Лазерный микропроектор со спиральной разверткой для мобильных устройств
- •Тестовые вопросы к главе 8 «Применение оптоэлектронных приборов»
- •9. Волоконно-оптические системы связи
- •9.1. Общие сведения
- •9.2. Классификация волоконно-оптических систем распределения
- •9.3. Волоконно-оптические системы распределения
- •9.4. Оптические передатчики
- •9.5 Приемники волоконно-оптических систем связи
- •9.5.1 Приемные оптоэлектронные модули
- •9.6. Цифровые волоконно-оптические системы связи
- •9.7. Аналоговые волоконно-оптические системы связи
- •9.8 Умные соединители на основе смартлинков
- •9.8.1 Технические решения смартлинков
- •9.8.2 Самоформирующиеся компьютеры
- •9.8.3 Оптоволоконные нейроинтерфейсы
- •9.9 Волоконно оптические технологии для сетей доступа
- •9.9.1 Общие сведения
- •9.9.2 Тенденции мирового развития сетей доступа
- •9.9.3 Технологии оптических сетей доступа
- •9.9.4 Категории оптических сетей доступа
- •9.9.5 Волокно до бизнеса – FttBusiness
- •9.9.6 Волокно до дома – ftth
- •9.9.7 Волокно до многоквартирного дома – fттb
- •9.9.8 Волокно до сельского района
- •9.10 Медиоконверторы и их применение в оптических системах связи
- •9.10.1 Общие сведения
- •9.10.2. Основные технические требования, предъявляемые к оборудованию
- •9.10.3. Классификация медиаконвертеров по критерию управляемости
- •9.10.4. Конструктивное исполнение
- •9.10.5. Основные параметры медиаконвертеров
- •9.10.6. Система управления
- •9.10.7. Устройство и применение медиоконвертора rs-485
- •Тестовые вопросы к главе 9 «Волоконно-оптические системы связи»
- •Приложение п1
- •Приложение п2
- •Приложение п3
- •Приложение п4 Перечень принятых сокращений
- •Список цитированной литературы
8.10.10 Джиттер
Джиттер – быстрое по отношению к длительности периода дрожание фазы цифрового сигнала, когда нарушается строгая равномерность следования фронтов импульсов. Такое дрожание возникает из-за нестабильности тактовых генераторов, а также в местах выделения синхросигнала из комплексного сигнала методом PLL (Phase Locked Loop – петля с захватом фазы, или фазовая автоподстройка частоты - ФАПЧ). Такое выделение имеет место, например, в демодуляторе сигнала, считанного с диска, в результате чего образуется опорный синхросигнал, который путем коррекции скорости вращения диска «подгоняется» к эталонной частоте 4,3218 МГц. Частота синхросигнала, а, следовательно, его фаза и фаза информационного сигнала - при этом непрерывно колеблются с различной частотой. Дополнительный вклад может вносить неравномерность расположения питов на диске, порожденная, например, некачественным прессованием или нестабильной записью.
Однако неравномерности сигнала с диска полностью компенсируются входным буфером декодера, так что любое дрожание и детонация, возникшие до помещения сигнала в буфер, на этом этапе уничтожаются. Выборка из буфера управляется стабильным генератором с фиксированной частотой, однако таким генераторам тоже присуща определенная, хотя и гораздо меньшая, нестабильность. В частности, она может быть вызвана помехами по цепям питания, которые, в свою очередь, могут возникать в моменты срабатывания САР и коррекции скорости диска или положения головки/линзы. На дисках низкого качества эти коррекции происходят чаще, давая ряду экспертов повод напрямую связывать стабильность выходного сигнала с качеством диска, хотя на самом деле причиной является недостаточно хорошая развязка систем CDP.
8.11 Оптоэлектронные сенсорные системы взаимодействия человека с электронной техникой.
Сенсорные панели и экраны применяют в качестве интерфейсов ввода/вывода во многих современных компьютерных системах и в сотовых аппаратах.
Сенсорные экраны обеспечивают дружественный и естественный интерфейс взаимодействия человека и электронной технике.
При создании таких экранов используются различные типы технологий обеспечивающие чувствительность к прикосновению, нажатию или приближению к дисплейной поверхности пальцев рук или вспомогательных предметов – указок или контактных перьев (стилусов) . По числу физически различных одновременных контактов, которые оператор производит на сенсорной поверхности, различают одноконтактные (singl point) и многоконтактные (multi – touch) устройства ввода.
При подготовке данного подраздела использовались материалы работы [89].
Возможность непосредственного управления объектами на экране при помощи только рук, исключая вспомогательные устройства – рук, исключая вспомогательные устройства – сенсорные коврики, указатели или стилосы, имеют большое значение в развитии современных информационных технологий.
Интуитивность и здравый смысл в действиях, адекватность движений – неотъемлемое свойство этой технологии. Отсутствие движущихся механических частей и дополнительных устройств повышают надежность работы электронной техники, в частности, компьютерных систем.
Многоконтактные (multi-touch или multi - point) технологии обеспечивают определение положения координат одновременно нескольких точек касания. При работе с графическими объектами на экране сенсорного дисплея оператор может работать несколькими пальцами одновременно (multi – finger или bi - finger) или пальцами двух рук (multi – hand, bi - manual). Multi – touch технологии также поддерживают интерфейс для работы с одним сенсорным дисплеем нескольких пользователей одновременно (режим multi – user). При этом обеспечивается не только определение координат одновременно нескольких точек касания, но и идентификация пользователей, а также соответствующих образов пальцевых жестов при манипуляциях в экранном поле.
Разработаны алгоритмы multi – touch интерфейса, который позволяет работать нескольким пользователям сразу с несколькими различными дисплейными системами, множеством источников графической информации и разнообразными графическими объектами.
Интерфейс пользователя определяется двумя компонентами – физического уровня (аппаратного) и программного. Физический уровень определяется возможностями самой сенсорной панели (разрешающая способность, чувствительность к силе нажатия, возможность масштабирования от малых до больших форматов экранов)
Программная компонента обеспечивает интерпретацию данных, полученных от устройства ввода, и реализованию логического управления объектами, представленными на экране графическими изображениями.
Для программной поддержки одноконтактных сенсорных панелей в основном использовалась эмуляция интерфейса мыши, что было вполне логично и адекватно выполняемым действиям.
Диапазон применений multi-touch технологий довольно широк. Они могут быть применены как в больших настенных проекционных экранах, размером несколько квадратных метров, так и в мобильных ручных устройствах.
В настоящее время для реализации multi – touch сенсорных экранов используется несколько базовых технологий, рассмотренных в [89].
В первой применяются дисплеи (ЖК – дисплеи, ЭЛТ) и накладная чувствительная прозрачная панель. Во втором случае используется проецируемое изображение и чувствительная к нажатию панель (сенсорный планшет).
В третьем случае положения пальцев пользователя или нескольких пользователей осуществляется с помощью нескольких видео камер. Распознавание жестов выполняется путем цифровой обработки изображения указателей (пальцев рук, стилосов). Устанавливается положение, ориентация, определение векторов движений при перемещении и повороте объектов.
Возможности multi – touch технологий рассмотрим на примере оптической сенсорой системы Thin Sight.
Thin Sight – оптическая чувствительная система, которая интегрирована в дисплей. Она обеспечивает возможность обнаружение прикосновения от нескольких пальцев одновременно с распознаванием и интерпретацией жестов в язык управления объектами на экране.
Интерфейс аппаратно реализуется в виде платы тонкого профиля, которая монтируется сзади ЖК-панели, например ноутбука. Уникальная особенность разработки – устройство полностью состоит из элементов, которые производятся серийно и доступны всем. Принцип работы основан на использовании машинного зрения. В данном случае система зрения реализована на матрице дискретных фотодатчиков, которые фиксируют профиль изображения, полученный в результате отражения при облучении точечными сканируемыми ИК – светодиодами объектов (рук оператора), находящихся прямо перед экраном. Рис. 8.20 иллюстрирует принцип работы фотоприемников матричного зрения сенсорной системы ThinSight.
На стороне, обращенной к поверхности ЖК – дисплея, расположен массив датчиков приближения. На обратной стороне платы находятся транзисторные полевые ключи, микроконтроллер Microchip и микросхема USB-интерфейса. Можно использовать контроллеры со встроенным USB.
В системе используется датчики расстояния отражательного типа с аналоговым выходом.Чувствительность к приближению объекта—от 0 до 60 мм.
Датчики имеют низкий темновой ток и высокое отношение сигнал/шум,
благодаря сочетанию высокой мощности инфракрасного излучателя и высокой чувствительности фотодетектора.
Рис. 8.20. Принцип работы фотоприемников матричного зрения
Инфракрасный поток проходит через структуру ЖК-дисплея и, отразившись от пальцев оператора, опять проходит через ЖК-панель и попадает на фотодатчики. Без ЖК-дисплея до 20% энергии возвращается к фотодатчику, отразившись от объекта, находящегося на расстоянии до 100 мм. При наличии ЖК-панели между излучателем и объектом, за счет поглощения, порог чувствительности для обнаружения движения пальцев над поверхностью ЖК-панели понижается до 10 мм. Схема приведена на рис. 8.21.
Управление сканированием производится микроконтроллером Microchip. Считанные уровни напряжений подавались на входы встроенного в микроконтроллер АЦП, оцифровывались и передавались для окончательной обработки профиля изображений в персональный компьютер через USB-интерфейс. В прототипе использовались три одинаковых фотосенсорных модуля.
Рис. 8.21. Схема управления матричным фотосенсорным модулем
Рис. 8.22. Варианты применения интерфейса ThinSight в качестве интегрированного многофункционального интерфейса
Аппаратная реализация интерфейса очень проста, доступна для повторения и не требует специальной технологии. Кроме того, разработчики придумали для своего детища множество приложений. Действительно, имея встроенный массив ИК-приемников и передатчиков, можно, например, обеспечить интерфейс с мобильными устройствами, подносимыми к экрану. Причем процесс установления связи непотребует от оператора выбора специально-
го режима настройки. Система ThinSight сама обнаружит в ближайшем окружении это устройство и образует связь. Другая функция, автоматически поддерживаемая ThinSight, способность работать с ИК-указками (рис. 8.22).
То есть оператор может дистанционно управлять объектами на экране с помощью ИК-курсорного указателя.
