- •А.Н. Игнатов
- •Новосибирск 2013
- •Предисловие
- •1.1 Введение в волоконную оптику
- •1.2 Особенности оптической электроники
- •1.3 История развития оптоэлектроники
- •1.4 Современное состояние оптоэлектронной элементной базы
- •1.5 Система обозначений оптоэлектронных приборов индикации
- •1.6 Система обозначений полупроводниковых приборов и оптронов
- •Тестовые вопросы к главе 1 «Введение в оптоэлектронику»
- •2 Физические основы оптоэлектроники
- •2.1 Различие между фотометрическими и энергетическими характеристиками
- •2.2 Фотометрические характеристики оптического излучения
- •2.2.1 Функция видности и ее зависимость от длины электромагнитной волны
- •2.2.2 Телесный угол, световой поток и механический эквивалент света
- •2.2.3 Сила света, IV
- •2.2.4 Освещенность поверхности, е
- •2.2.5 Закон освещенности
- •2.2.6 Светимость излучающей поверхности, м
- •2.2.7 Яркость светящейся поверхности, l
- •Величина
- •2.2.8 Закон Ламберта
- •2.2.9 Световая экспозиция, нv
- •2.5 Колориметрические параметры
- •2.6 Когерентность оптического излучения
- •2.6.1 Монохроматическая электромагнитная волна (мэв)
- •2.6.2 Особенности излучения электромагнитных волн в ультрафиолетовом (уф), видимом и инфракрасном (ик) диапазонах
- •2.7 Квантовые переходы и вероятности излучательных переходов
- •2.7.1 Энергетические уровни и квантовые переходы
- •2.7.2 Спонтанные переходы
- •2.7.3 Вынужденные переходы
- •2.7.4 Соотношения между коэффициентами Эйнштейна
- •2.7.5 Релаксационные переходы
- •2.8 Ширина спектральной линии
- •2.9 Использование вынужденных переходов для усиления электромагнитного поля
- •2.10 Механизм генерации излучения в полупроводниках
- •2.11 Прямозонные и непрямозонные полупроводники
- •2.12 Внешний квантовый выход и потери излучения
- •2.13 Излучатели на основе гетероструктур
- •2.14 Поглощение света в твердых телах
- •2.15 Типы переходов и характеристики излучающих полупроводниковых структур.
- •2.16 Параметры оптического излучения
- •Тестовые вопросы к главе 2 «Физические основы оптоэлектроники»
- •3 Приборы некогерентного излучения
- •3.1 Источники света
- •3.1.1 Разновидности источников
- •3.2 Основные характеристики и параметры светодиодов
- •3.2.1 Параметры светодиодов
- •3.2.2 Характеристики светодиодов
- •3.2.3 Определение и оценка параметров светодиодов
- •3.2.4 Схемы возбуждения, обеспечивающие высокую световую эффективность светодиодов
- •3.2.5 Влияние температуры
- •3.2.6 Срок службы
- •3.2.7 Ограничение тока
- •3.2.8 Достоинства твердотельных излучателей
- •3.3 Конструкции светодиодов
- •3.4 Основные схемы возбуждения светодиодов
- •3.5 Выбор типа светодиода
- •3.5.1 Основные соображения для выбора типа светодиода
- •3.5.2 Памятка разработчику
- •3.6 Электрическая модель светодиода
- •3.7 Светодиоды инфракрасного излучения
- •3.8 Светодиодные источники повышенной яркости и белого света
- •Тестовые вопросы к главе 3 «Источники некогерентного излучения»
- •4 Приборы когерентного излучения
- •4.1 Физические основы усиления и генерации лазерного излучения
- •4.2 Структурная схема лазера
- •4.3 Лазеры на основе кристаллических диэлектриков
- •4.4 Жидкостные лазеры
- •4.5 Газовые лазеры
- •4.6 Устройство и принцип действия полупроводникового инжекционного моно лазера
- •4.7 Устройство и принцип действия полупроводниковых лазеров с гетероструктурами
- •4.8 Волоконно-оптические усилители и лазеры
- •4.8.1 Волоконные усилители
- •4.8.2 Волоконные лазеры
- •4.8.3 Волоконные лазеры на основе вынужденного комбинационного рассеяния
- •4.9 Светоизлучающие диоды для волоконно-оптических систем
- •4.10 Сравнительная характеристика лазеров и светодиодов
- •4.10.1 Параметры отечественных полупроводниковых лазеров и оптических модулей
- •4.11. Квантовые эффекты в полупроводниках
- •4.12. Фотонные нанокристаллы.
- •4.13. Наноэлектронные лазеры
- •4.13.1. Наноэлектронные лазеры с горизонтальными резонаторами
- •4.13.2. Наноэлектронные лазеры с вертикальными резонаторами
- •4.14.1. Органические светодиоды
- •4.14.2. Пассивно-матричные oled
- •4.14.3. Активно-матричные oled
- •4.14.4. Технологии получения органических светодиодов
- •Тестовые вопросы к главе 4 «Приборы когерентного излучения»
- •5 Полупроводниковые фотоприемные приборы
- •5.1 Принцип работы фотоприемных приборов
- •5.2 Характеристики, параметры и модели фотоприемников
- •5.2.1 Параметры фотоприемников
- •5.2.2 Характеристики фотоприемников
- •5.2.3 Параметры фотоприемника как элемента оптопары
- •5.2.4 Электрические модели фотоприемников
- •5.3 Фотодиоды на основе p-n – перехода
- •5.4 Фотодиоды с p–I–n структурой
- •5.5 Фотодиоды Шоттки
- •5.6 Фотодиоды с гетероструктурой
- •5.7 Лавинные фотодиоды
- •5.8 Фототранзисторы
- •5.9 Фототиристоры
- •5.10 Фоторезисторы
- •5.11 Основные характеристики и параметры фоторезистора
- •5.12 Пзс приемные фотоприборы
- •5.13 Фотодиодные сбис на основе моп – транзисторов
- •5.14 Пиротехнические фотоприемники
- •5.15. Фотоприемные наноэлектронные приборы
- •5.15.1. Фотоприемники на квантовых ямах
- •5.15.2. Фотоприемники на основе квантовых точек
- •Тестовые вопросы к главе 5 «Полупроводниковые фотоприемные Приборы»
- •6 Оптроны
- •6.1 Устройство и принцип действия оптронов
- •6.2 Структурная схема оптрона
- •6.3 Классификация и параметры оптронов
- •6.4 Электрическая модель оптрона
- •6.5 Резисторные оптопары
- •6.6 Диодные оптопары
- •6.7 Транзисторные оптопары
- •6.8 Тиристорные оптопары
- •Тестовые вопросы к главе 6 «Оптроны»
- •7 Индикаторные приборы
- •7.1 Жидкокристаллические индикаторы
- •7.1.1 Основы теории
- •7.1.2 Ячейки на основе эффекта динамического рассеяния (др – ячейки)
- •7.1.3 Ячейки на основе твист-эффекта
- •7.1.4 Основные типы и параметры
- •7.1.5 Схемы включения жидкокристаллических индикаторов
- •7.1.6 Схемы управления многоразрядными индикаторами
- •7.2 Электролюминесцентные индикаторы
- •7.2.1 Устройство и принцип действия
- •7.2.2 Типы и параметры
- •7.2.3 Схемы включения электролюминесцентных индикаторов
- •7.3 Плазменные панели и устройства на их основе
- •7.4 Электрохромные индикаторы
- •7.5. Отображение информации индикаторными приборами
- •Тестовые вопросы к главе 7 «Индикаторные приборы»
- •8 Применение оптоэлектроннх приборов
- •8.1 Устройство и принцип действия оптоэлектронных генераторов
- •8.1.1 Блокинг - генератор
- •8.1.2 Генератор линейно изменяющегося напряжения
- •8.1.3 Генератор с мостом Вина
- •8.2 Применение оптоэлектронных приборов в аналоговых ключах и регуляторах
- •8.3 Применение оптронов для выполнения логических функций
- •8.4 Применение оптронов как аналогов электрорадиокомпонентов
- •8.5 Устройство и принцип действия оптоэлектронных усилителей
- •8.6 Устройство и принцип действия оптоэлектронных цифровых ключей
- •8.7 Применение оптоэлектронных приборов для измерения высоких напряжений и управления устройствами большой мощности
- •8.8 Устройство и принцип действия оптических устройств записи информации
- •8.9 Принцип лазерно-оптического считывания информации
- •8.10 Принципы цифровой оптической записи и воспроизведения информации с компакт дисков
- •8.10.1 Устройство компакт-диска
- •8.10.2 Запись на компакт диски
- •8.10.3 Отличия cd-r/cd-rw дисков от штампованных
- •8.10.4 Маркировка дисков
- •8.10.5 Надежность дисков cd-r/rw в сравнении со штампованными
- •8.10.6 Изготовление и тиражирование компакт-дисков
- •8.10.7 Воспроизведение компакт-диска
- •8.10.8 Устройство накопителей на cd-rom
- •8.10.9 Представление и параметры звукового сигнала на cd
- •8.10.10 Джиттер
- •8.11 Оптоэлектронные сенсорные системы взаимодействия человека с электронной техникой.
- •8.11 Лазерный микропроектор со спиральной разверткой для мобильных устройств
- •Тестовые вопросы к главе 8 «Применение оптоэлектронных приборов»
- •9. Волоконно-оптические системы связи
- •9.1. Общие сведения
- •9.2. Классификация волоконно-оптических систем распределения
- •9.3. Волоконно-оптические системы распределения
- •9.4. Оптические передатчики
- •9.5 Приемники волоконно-оптических систем связи
- •9.5.1 Приемные оптоэлектронные модули
- •9.6. Цифровые волоконно-оптические системы связи
- •9.7. Аналоговые волоконно-оптические системы связи
- •9.8 Умные соединители на основе смартлинков
- •9.8.1 Технические решения смартлинков
- •9.8.2 Самоформирующиеся компьютеры
- •9.8.3 Оптоволоконные нейроинтерфейсы
- •9.9 Волоконно оптические технологии для сетей доступа
- •9.9.1 Общие сведения
- •9.9.2 Тенденции мирового развития сетей доступа
- •9.9.3 Технологии оптических сетей доступа
- •9.9.4 Категории оптических сетей доступа
- •9.9.5 Волокно до бизнеса – FttBusiness
- •9.9.6 Волокно до дома – ftth
- •9.9.7 Волокно до многоквартирного дома – fттb
- •9.9.8 Волокно до сельского района
- •9.10 Медиоконверторы и их применение в оптических системах связи
- •9.10.1 Общие сведения
- •9.10.2. Основные технические требования, предъявляемые к оборудованию
- •9.10.3. Классификация медиаконвертеров по критерию управляемости
- •9.10.4. Конструктивное исполнение
- •9.10.5. Основные параметры медиаконвертеров
- •9.10.6. Система управления
- •9.10.7. Устройство и применение медиоконвертора rs-485
- •Тестовые вопросы к главе 9 «Волоконно-оптические системы связи»
- •Приложение п1
- •Приложение п2
- •Приложение п3
- •Приложение п4 Перечень принятых сокращений
- •Список цитированной литературы
7.3 Плазменные панели и устройства на их основе
Перспективными устройствами отображения информации являются плазменные панели, объем продаж которых к 2005г. достиг 90 млрд. долл. [37].
Основными достоинствами плазменных панелей являются:
- отсутствие вредного воздействия на организм человека;
- большой угол обзора (до 160 градусов);
- малое время готовности;
- большой срок службы;
- высокая надежность, механическая, климатическая устойчивость.
Плазменные панели используются в телевизионных видеомодулях, мониторах специального применения, экранах коллективного пользования и других системах.
Одна из первых разработок телевизионного модуля содержала плазменную панель с диагональю 40 дюймов и обеспечивала яркость 300 кд/м2. Конструкция ячейки индикации телевизионного модуля показана на рис. 7.18, структура индикаторной ячейки изображена на рис. 7.19, а временная диаграмма импульсов приведена на рис. 7.20.
Рис. 7.18. Конструкция ячейки индикации телевизионного модуля
Рис. 7.19. Структура индикаторной ячейки
На основе плазменных панелей создаются цветные мониторы с числом элементов от 128×128 до 1024×1024 с шагом их расположения (0,7÷0,28) мм.
Параметры мониторов оранжево – красного и зеленого цветов свечения приведены в таблице 7.3.
Рис. 7.20. Временная диаграмма импульсных напряжений
Таблица 7.3 – Параметры мониторов оранжево – красного и зеленого цветов свечения
Наименование параметра, единица измерения |
Значение параметра монитора |
|
оранжево – красного цвета свечения |
зеленого цвета свечения |
|
Информационная емкость, пиксель |
640×480 |
640×480 |
Яркость свечения, кд/м2 |
35 |
200 |
Размер элемента отображения, мм |
0,28 |
0,42 |
Размер рабочего поля по диагонали, дюйм |
10 |
14 |
Читаемость информации при освещенности, люкс |
30000 |
75000 |
Потребляемая мощность при 20% засветке, Вт, не более |
12 |
30 |
Габаритные размеры (без блока питания), мм |
240×195×90 |
320×256×105 |
Присоединительные размеры (винты М5 с лицевой стороны монитора), мм |
266×181 |
320×265 |
Температурный диапазон эксплуатации мониторов, С |
-40 +55 |
-40 +55 |
Современные плазменные панели содержат 1024×1024 триад элементов, а мониторы на их основе обеспечивают яркость до 500кд/м2 и контраст до 500:1.
Принципиально новым видом панелей для экранов коллективного пользования (ЭКП) являются плазменные панели переменного тока. Они могут эффективно использоваться для отображения компьютерной и телевизионной информации. По сравнению с ЭКП на панелях постоянного тока новые панели имеют в 5-6 раз большую яркость без увеличения потребляемой мощности, экологически безвредны (в составе газового наполнения панелей отсутствует ртуть), способны отображать до 256 градаций по каждому цвету. Как и ЭКП, на панелях постоянного тока, они имеют малый вес (40 кг/м2) и толщину (до 8 см), широкий угол обзора (до 140 градусов), высокую надежность в эксплуатации, простоту обслуживания.
Последовательность импульсов, изображенных на временной диаграмме, образует одно субполе кадра и включает в себя режимы инициализация (подготовительного общего стирания, общего зажигания и общего стирания), адресации (селективной записи), подготовки индикации и самой индикации.
Режим подготовительного общего стирания осуществляется для создания во всех индикаторных ячейках одинакового состояния перед режимом общего зажигания путем формирования на всех электродах напряжения нулевого уровня в течение времени, равного длительности процесса деионизации разряда.
Режим общего зажигания заключается в возбуждении разрядов между электродами Y u S3. Для этого на электродах Y формируют положительный импульс с амплитудой U2, а на электроде S3 – импульс отрицательной полярности с амплитудой, которая не превышает U2. Формирование двух следующих друг за другом импульсов общей записи на электродах Y u S3 позволяет расширить диапазон управления, но приводит к уменьшению собственного яркостного контраста.
Режим общего стирания реализуется сразу после режима общего зажигания и его процесс аналогичен режиму подготовительного общего стирания. В режиме общего стирания все индикаторные ячейки ГИП переводятся в «выключенное» состояние, т.е. такое, при котором последующая подача импульсов поддержки на электроды ГИП не приведет к возникновению разрядов и свечению каких-либо ячеек. Режим общего стирания создает оптимальные условия для процесса селективной записи индикаторных ячеек в режиме адресации.
Режим адресации (селективной записи) обеспечивает перевод адресуемых (выбранных) индикаторных ячеек ГИП в состояние «включено», т.е. такое, при котором подача на электроды Y, S3 u S2 импульсов поддержки в режиме подготовки индикации приведет к возбуждению разрядов в этих ячейках, а последующая подача импульсов поддержки на электроды S3, S2 u S1 – к свечению этих ячеек в течение времени индикации.
Селективная запись в адресуемых ячейках производится с участием электродов управления X. На индикаторных электродах Y устанавливают уровень напряжения «полки» – UY, а на электродах S3, S2 u S1 – нулевой уровень напряжения. На электродах Y последовательно от Y1 до Y480 формируются импульсы сканирования отрицательной полярности с амплитудой UСК, суммирующиеся с напряжением –UY (адресация строк). На выбранных в соответствии с выходными данными электродах X устанавливается уровень напряжения UX, а на остальных электродах X - низкий уровень напряжения. При этом в адресуемой строке Yi инициируется разряд в ячейках с высоким уровнем напряжения UX, который вызывает разряд между электродами Y u X, переводя данные ячейки в состояние «включено».
Режим подготовки индикации стабилизирует процесс разряда между Y u S3 путем подачи на электроды Y импульса положительной полярности с длительностью не менее времени деионизации разряда. Последующая подача на электроды S3 u S2 противофазных импульсов поддержки обеспечивает стабилизацию разряда между электродами S3 u S2 перед режимом индикации.
В режиме индикации на электроды S3, S2 поступают синфазные импульсы поддержки, а на электроды S1 подаются противофазные к ним импульсы поддержания разряда с амплитудой U1. При этом на электродах X устанавливают уровень напряжения UX. Серия разрядов с интенсивным свечением продолжается до окончания режима индикации и перевода ячеек в «выключенное» состояние импульсом общего стирания видеомодулей на сорока дюймовых ГИП имеют следующие основные параметры:
Информационная емкость, пиксель..................................................853×480
Шаг расположения пикселей, мм.............................................................1,05
Яркость, кд/м2 ......................................................................................400-450
Контраст....................................................................................................300:1
Число градаций яркости по каждомуцвету без Y коррекции................ 256
Потребляемая мощность, Вт..................................................................... 300
Принципиальным отличием панелей, разработанных ОАО «Плазма», от известных зарубежных аналогов является отсутствие тонкопленочных прозрачных и армирующих электродов индикации. Используется толстопленочная технология изготовления электродов индикации. Наличие черной матрицы и черных электродов индикации приводит к высокому значению контраста. Основной разряд в ячейке в течение времени индикации происходит между электродами, удаленными на такое расстояние, которое обеспечивает формирование в разрядном промежутке положительного столба. В результате получают высокую яркость и светоотдачу.
