- •А.Н. Игнатов
- •Новосибирск 2013
- •Предисловие
- •1.1 Введение в волоконную оптику
- •1.2 Особенности оптической электроники
- •1.3 История развития оптоэлектроники
- •1.4 Современное состояние оптоэлектронной элементной базы
- •1.5 Система обозначений оптоэлектронных приборов индикации
- •1.6 Система обозначений полупроводниковых приборов и оптронов
- •Тестовые вопросы к главе 1 «Введение в оптоэлектронику»
- •2 Физические основы оптоэлектроники
- •2.1 Различие между фотометрическими и энергетическими характеристиками
- •2.2 Фотометрические характеристики оптического излучения
- •2.2.1 Функция видности и ее зависимость от длины электромагнитной волны
- •2.2.2 Телесный угол, световой поток и механический эквивалент света
- •2.2.3 Сила света, IV
- •2.2.4 Освещенность поверхности, е
- •2.2.5 Закон освещенности
- •2.2.6 Светимость излучающей поверхности, м
- •2.2.7 Яркость светящейся поверхности, l
- •Величина
- •2.2.8 Закон Ламберта
- •2.2.9 Световая экспозиция, нv
- •2.5 Колориметрические параметры
- •2.6 Когерентность оптического излучения
- •2.6.1 Монохроматическая электромагнитная волна (мэв)
- •2.6.2 Особенности излучения электромагнитных волн в ультрафиолетовом (уф), видимом и инфракрасном (ик) диапазонах
- •2.7 Квантовые переходы и вероятности излучательных переходов
- •2.7.1 Энергетические уровни и квантовые переходы
- •2.7.2 Спонтанные переходы
- •2.7.3 Вынужденные переходы
- •2.7.4 Соотношения между коэффициентами Эйнштейна
- •2.7.5 Релаксационные переходы
- •2.8 Ширина спектральной линии
- •2.9 Использование вынужденных переходов для усиления электромагнитного поля
- •2.10 Механизм генерации излучения в полупроводниках
- •2.11 Прямозонные и непрямозонные полупроводники
- •2.12 Внешний квантовый выход и потери излучения
- •2.13 Излучатели на основе гетероструктур
- •2.14 Поглощение света в твердых телах
- •2.15 Типы переходов и характеристики излучающих полупроводниковых структур.
- •2.16 Параметры оптического излучения
- •Тестовые вопросы к главе 2 «Физические основы оптоэлектроники»
- •3 Приборы некогерентного излучения
- •3.1 Источники света
- •3.1.1 Разновидности источников
- •3.2 Основные характеристики и параметры светодиодов
- •3.2.1 Параметры светодиодов
- •3.2.2 Характеристики светодиодов
- •3.2.3 Определение и оценка параметров светодиодов
- •3.2.4 Схемы возбуждения, обеспечивающие высокую световую эффективность светодиодов
- •3.2.5 Влияние температуры
- •3.2.6 Срок службы
- •3.2.7 Ограничение тока
- •3.2.8 Достоинства твердотельных излучателей
- •3.3 Конструкции светодиодов
- •3.4 Основные схемы возбуждения светодиодов
- •3.5 Выбор типа светодиода
- •3.5.1 Основные соображения для выбора типа светодиода
- •3.5.2 Памятка разработчику
- •3.6 Электрическая модель светодиода
- •3.7 Светодиоды инфракрасного излучения
- •3.8 Светодиодные источники повышенной яркости и белого света
- •Тестовые вопросы к главе 3 «Источники некогерентного излучения»
- •4 Приборы когерентного излучения
- •4.1 Физические основы усиления и генерации лазерного излучения
- •4.2 Структурная схема лазера
- •4.3 Лазеры на основе кристаллических диэлектриков
- •4.4 Жидкостные лазеры
- •4.5 Газовые лазеры
- •4.6 Устройство и принцип действия полупроводникового инжекционного моно лазера
- •4.7 Устройство и принцип действия полупроводниковых лазеров с гетероструктурами
- •4.8 Волоконно-оптические усилители и лазеры
- •4.8.1 Волоконные усилители
- •4.8.2 Волоконные лазеры
- •4.8.3 Волоконные лазеры на основе вынужденного комбинационного рассеяния
- •4.9 Светоизлучающие диоды для волоконно-оптических систем
- •4.10 Сравнительная характеристика лазеров и светодиодов
- •4.10.1 Параметры отечественных полупроводниковых лазеров и оптических модулей
- •4.11. Квантовые эффекты в полупроводниках
- •4.12. Фотонные нанокристаллы.
- •4.13. Наноэлектронные лазеры
- •4.13.1. Наноэлектронные лазеры с горизонтальными резонаторами
- •4.13.2. Наноэлектронные лазеры с вертикальными резонаторами
- •4.14.1. Органические светодиоды
- •4.14.2. Пассивно-матричные oled
- •4.14.3. Активно-матричные oled
- •4.14.4. Технологии получения органических светодиодов
- •Тестовые вопросы к главе 4 «Приборы когерентного излучения»
- •5 Полупроводниковые фотоприемные приборы
- •5.1 Принцип работы фотоприемных приборов
- •5.2 Характеристики, параметры и модели фотоприемников
- •5.2.1 Параметры фотоприемников
- •5.2.2 Характеристики фотоприемников
- •5.2.3 Параметры фотоприемника как элемента оптопары
- •5.2.4 Электрические модели фотоприемников
- •5.3 Фотодиоды на основе p-n – перехода
- •5.4 Фотодиоды с p–I–n структурой
- •5.5 Фотодиоды Шоттки
- •5.6 Фотодиоды с гетероструктурой
- •5.7 Лавинные фотодиоды
- •5.8 Фототранзисторы
- •5.9 Фототиристоры
- •5.10 Фоторезисторы
- •5.11 Основные характеристики и параметры фоторезистора
- •5.12 Пзс приемные фотоприборы
- •5.13 Фотодиодные сбис на основе моп – транзисторов
- •5.14 Пиротехнические фотоприемники
- •5.15. Фотоприемные наноэлектронные приборы
- •5.15.1. Фотоприемники на квантовых ямах
- •5.15.2. Фотоприемники на основе квантовых точек
- •Тестовые вопросы к главе 5 «Полупроводниковые фотоприемные Приборы»
- •6 Оптроны
- •6.1 Устройство и принцип действия оптронов
- •6.2 Структурная схема оптрона
- •6.3 Классификация и параметры оптронов
- •6.4 Электрическая модель оптрона
- •6.5 Резисторные оптопары
- •6.6 Диодные оптопары
- •6.7 Транзисторные оптопары
- •6.8 Тиристорные оптопары
- •Тестовые вопросы к главе 6 «Оптроны»
- •7 Индикаторные приборы
- •7.1 Жидкокристаллические индикаторы
- •7.1.1 Основы теории
- •7.1.2 Ячейки на основе эффекта динамического рассеяния (др – ячейки)
- •7.1.3 Ячейки на основе твист-эффекта
- •7.1.4 Основные типы и параметры
- •7.1.5 Схемы включения жидкокристаллических индикаторов
- •7.1.6 Схемы управления многоразрядными индикаторами
- •7.2 Электролюминесцентные индикаторы
- •7.2.1 Устройство и принцип действия
- •7.2.2 Типы и параметры
- •7.2.3 Схемы включения электролюминесцентных индикаторов
- •7.3 Плазменные панели и устройства на их основе
- •7.4 Электрохромные индикаторы
- •7.5. Отображение информации индикаторными приборами
- •Тестовые вопросы к главе 7 «Индикаторные приборы»
- •8 Применение оптоэлектроннх приборов
- •8.1 Устройство и принцип действия оптоэлектронных генераторов
- •8.1.1 Блокинг - генератор
- •8.1.2 Генератор линейно изменяющегося напряжения
- •8.1.3 Генератор с мостом Вина
- •8.2 Применение оптоэлектронных приборов в аналоговых ключах и регуляторах
- •8.3 Применение оптронов для выполнения логических функций
- •8.4 Применение оптронов как аналогов электрорадиокомпонентов
- •8.5 Устройство и принцип действия оптоэлектронных усилителей
- •8.6 Устройство и принцип действия оптоэлектронных цифровых ключей
- •8.7 Применение оптоэлектронных приборов для измерения высоких напряжений и управления устройствами большой мощности
- •8.8 Устройство и принцип действия оптических устройств записи информации
- •8.9 Принцип лазерно-оптического считывания информации
- •8.10 Принципы цифровой оптической записи и воспроизведения информации с компакт дисков
- •8.10.1 Устройство компакт-диска
- •8.10.2 Запись на компакт диски
- •8.10.3 Отличия cd-r/cd-rw дисков от штампованных
- •8.10.4 Маркировка дисков
- •8.10.5 Надежность дисков cd-r/rw в сравнении со штампованными
- •8.10.6 Изготовление и тиражирование компакт-дисков
- •8.10.7 Воспроизведение компакт-диска
- •8.10.8 Устройство накопителей на cd-rom
- •8.10.9 Представление и параметры звукового сигнала на cd
- •8.10.10 Джиттер
- •8.11 Оптоэлектронные сенсорные системы взаимодействия человека с электронной техникой.
- •8.11 Лазерный микропроектор со спиральной разверткой для мобильных устройств
- •Тестовые вопросы к главе 8 «Применение оптоэлектронных приборов»
- •9. Волоконно-оптические системы связи
- •9.1. Общие сведения
- •9.2. Классификация волоконно-оптических систем распределения
- •9.3. Волоконно-оптические системы распределения
- •9.4. Оптические передатчики
- •9.5 Приемники волоконно-оптических систем связи
- •9.5.1 Приемные оптоэлектронные модули
- •9.6. Цифровые волоконно-оптические системы связи
- •9.7. Аналоговые волоконно-оптические системы связи
- •9.8 Умные соединители на основе смартлинков
- •9.8.1 Технические решения смартлинков
- •9.8.2 Самоформирующиеся компьютеры
- •9.8.3 Оптоволоконные нейроинтерфейсы
- •9.9 Волоконно оптические технологии для сетей доступа
- •9.9.1 Общие сведения
- •9.9.2 Тенденции мирового развития сетей доступа
- •9.9.3 Технологии оптических сетей доступа
- •9.9.4 Категории оптических сетей доступа
- •9.9.5 Волокно до бизнеса – FttBusiness
- •9.9.6 Волокно до дома – ftth
- •9.9.7 Волокно до многоквартирного дома – fттb
- •9.9.8 Волокно до сельского района
- •9.10 Медиоконверторы и их применение в оптических системах связи
- •9.10.1 Общие сведения
- •9.10.2. Основные технические требования, предъявляемые к оборудованию
- •9.10.3. Классификация медиаконвертеров по критерию управляемости
- •9.10.4. Конструктивное исполнение
- •9.10.5. Основные параметры медиаконвертеров
- •9.10.6. Система управления
- •9.10.7. Устройство и применение медиоконвертора rs-485
- •Тестовые вопросы к главе 9 «Волоконно-оптические системы связи»
- •Приложение п1
- •Приложение п2
- •Приложение п3
- •Приложение п4 Перечень принятых сокращений
- •Список цитированной литературы
3.8 Светодиодные источники повышенной яркости и белого света
Острая потребность в широкой номенклатуре информационных экранов, дисплеев, осветительных приборов обуславливает необходимость создания особо ярких светодиодов (ОЯ СИД) различной цветовой гаммы, в том числе белого свечения
Зеленые, белые, синие ОЯ СИД изготавливаются на структурах In G2 N. Они имеют существенно большие прямые падения напряжения на Uпр по сравнению с красными, желтыми и оранжевыми (см. таблицу 4.7). Необходимость ограничения прямого тока объясняет целесообразность питания СИД от источников тока.
Для каждой конструкции СИД характерна определенная диаграмма излучения. Некорректно говорить о силе света, не определяя угол излучения, и наоборот. Следует обращать внимание, на каком уровне от IVmax фиксируется полный угол излучения.
Таблица 3.7 – Типичные и максимальные значения Uпр при токе 20 мА для СИД всех длин волн
Длина волны излучения λ, нм |
Цвет свечения |
Uпр, В |
Примечание |
|
Тип. |
Макс. |
|||
470 |
Белый |
3,5 |
4,0 |
Синий кристалл + люминофор |
Зеленый |
- |
|||
505 |
Alpen green |
- |
||
525 |
Зеленый |
- |
||
565 |
Желто-зеленый |
1,95 |
2,5 |
- |
570 |
Желтый |
AS AlinGap |
||
590 |
Желто-оранжевый |
TS AlinGap |
||
2,1 |
2,6 |
AS AlinGap |
||
605 |
Оранжевый |
1,95 |
2,5 |
ТS AlinGap |
2,1 |
2,6 |
AS AlinGap |
||
615 |
Красный |
1,95 |
2,5 |
ТS AlinGap |
625 |
|
1,95 |
2,5 |
ТS AlinGap |
2,1 |
2,6 |
- |
||
640 |
1,95 |
2,5 |
- |
|
660 |
1,95 |
|
||
Дисперсия излучения не измеряется для каждого светодиода, поскольку это трудоемкий процесс. В реальности наблюдаются значительные отклонения от справочных данных, особенно в случае узконаправленных (2Θ1/2 < 100) СИД. Типичная дисперсия для СИД типов КИПД87, КИПД89 и КИПД91 приведена на рис. 3.13
Рис. 3.13. Типичная диаграмма излучения
При выборе ОЯ СИД особое внимание уделяют типу колбы и конструкции. Колба должна быть прозрачной, если:
- нужна максимальная сила света при сравнительно небольшом ( 300) угле излучения;
- СИД используется с вторичной оптикой (цветными и матовыми фильтрами) или в качестве лекального исправления источника света, например как фонарик;
- прозрачная колба используется в СИД всевозможных подсветок и светодиодов.
Колба должна быть матовой, если СИД мультицветный. Колба должна быть скрашенной в цвет свечения кристаллов для всех сигнальных СИД, а так же для ОЯ СИД применяемых в изготовлении таблобегущих строк и др., использующих эффект контраста СИД на темном фоне. В случае матовых СИД возможен эффект паразитной засветки солнечными лучами («фантом – эффект»)
В таблице 3.8 приведены параметры распространенных сигнальных СИД. С точки зрения экономии места на лицевой панели прибора или устройства, выгодно вместо нескольких, например, красного и зеленого, применять один мультицветный СИД круглой или прямоугольной формы.
Таблица 3.8 – Основные характеристики сигнальных светодиодов
К |
l, Цвет свечения (λ, нм) |
Сила света, мкд |
Рабочий ток, мА |
Угол обзора, град. |
Ø 3 мм (КИПД42) |
Красный (660) |
5…100 |
1…20 |
40 |
Желтый (590) |
||||
Желто-зеленый (570) |
||||
Зеленый (565) |
||||
Низкопрофильные СИД Ø 5 мм (КИПД88) |
Красный (660) |
10…100 |
60 |
|
Желтый (590) |
||||
Желто-зеленый (570) |
||||
Зеленый (565) |
||||
Ø 5 мм (КИПД40) |
Красный (660) |
40 |
||
Желтый (590) |
||||
Желто-зеленый (570) |
||||
Зеленый (565) |
||||
Плоские СИД Ø 10 мм (КИПМ15) |
Красный (660) |
30 |
||
Желтый (590) |
1…100 |
|||
Желто-зеленый (570) |
||||
Зеленый (565) |
||||
Прямоугольные СИД 2,2 × 5 мм |
Красный (660) |
50 |
||
Желтый (590) |
||||
Желто-зеленый (570) |
||||
Зеленый (565) |
||||
Многокрисальные СИД Ø6 мм (КИПМ25) |
Красный (660) |
120 |
||
Желтый (590) |
||||
Желто-зеленый (570) |
||||
Зеленый (565) |
||||
Двухцветные СИД Ø5 мм (КИПД41) |
Красно-зеленые (660/565), любые другие варианты |
1…50 |
10, 20 |
60 |
Ø20 мм 1-, 2-, 4-, 6-кристальные (КИПМ 20) |
Красный (660) |
1…100 |
120 |
|
Желтый (590) |
||||
Желто-зеленый (570) |
||||
Зеленый (565) |
Параметры ярких СИД красного и желтого цветов свечения в матовом окрашенном корпусе приведены в таблице 3.9
Таблица 3.9 – Основные характеристики ярких светодиодов красного и желтого цветов свечения в матовом окрашенном корпусе
Шифр сигнала |
Цвет свечения (λ, нм) |
Структура |
Прямое напряжение, UПР, В |
Сила света, кд, при токе 20 мА (10 мА) |
Угол обзора, град |
|
Тип. |
Макс. |
|||||
К |
Красный (625) |
ТS AlinGap |
2,1 |
2,8 |
1,0…1,5 |
30 |
КИПМ45П30 |
1,5…2,0 |
|||||
КИПМ45Р30 |
2,0…3,0 |
|||||
КИПМ45Н30 |
Желтый (590) |
1,0…1,5 |
||||
КИПМ45П30 |
1,5…2,0 |
|||||
КИПМ45Р30 |
2,0…3,0 |
|||||
КИПМ45Н30 |
Красный (625) |
2,0 |
2,5 |
(1,0…1,5) |
||
КИПМ45П30 |
(1,5…2,0) |
|||||
КИПМ45Р30 |
(2,0…3,0) |
|||||
КИПМ45Н30 |
Желтый (590) |
(1,0…1,5) |
||||
КИПМ45П30 |
(1,5…2,0) |
|||||
КИПМ45Р30 |
(2,0…3,0) |
|||||
Они используют окрашенные рассеивающие линзы, излучающие световой поток, достаточный для изготовления недорогих информационных табло. Потенциальные возможности высокоэффективных структур позволяют получать силу света порядка 2 кд при токе не только 20 мА, но и 10 мА., что увеличивает надежность изделий на СИД .
Совершенствование светодиодов проходило по двум направлениям – увеличение внешнего квантового выхода и расширения спектра излучения. Велик вклад в работу и советских ученых в частности Ж.И. Алферова, еще в 70-е годы разработавшего так называемые многопроходные двойные гетероструктуры, позволяющие значительно увеличить внешний квантовый выход за счет ограничения активной области рекомбинации. Использовались гетероструктуры на основе арсенидов галлия-алюминия, при этом был достигнут внешний квантовый выход до 15 % для красной части спектра (световая отдача до 10 лм/Вт) и более 30% - для инфракрасной. Показателен факт присуждения Жоресу Ивановичу Алферову Нобелевской премии в 2000г., когда стали очевидными важность и огромное значение его работ для развития науки и техники.
Исследование других гетероструктур привели к созданию эффективных светодиодов, излучающих в других областях спектра. Так, светодиоды, на основе фосфидов алюминия – галлия – индия (разработка компании Hewlett-Packard) излучали красно-оранжевый, желтый и желто-зеленый свет. Они имели световую отдачу до 30 лм/Вт (и внешний квантовый выход до 55%), превосходя лампы накаливания. При этом необходимо понимать, что в отличие от ламп накаливания светодиоды излучают свет в относительно узкой полосе спектра, ширина которой составляет 20…50 нм. Они занимают промежуточное положение между лазерами, свет которых монохроматичен (излучение со строго определенной длинной волны), и лампами различных типов, излучающих белый свет (смесь излучений различных спектров). Иногда такое «узкополосное» излучение называют «квазимонохроматическим».
Современный уровень технологий производства ОЯ СИД в мире позволяет повсеместно заменять лампы накаливания более надежными и малопотребляющими источниками света. Мировые лидеры по производству СКД, такие как Nichia и Lumileds, заявляют, что век ламп накаливания на исходе (им осталось жить меньше 10 лет).
Так световая отдача лампы накаливания с красным светофильтром составляет всего 30 лм/Вт, в то время как красные светодиоды сегодня дают 30 лм/Вт и более. Например, новейшие приборы Luxeon производства американской компании Lumileds (совместное предприятие Agilent Technologies и Philips Lighting) обеспечивают 50 лм/Вт для красной и даже 65 лм/Вт для оранжево-красной части спектра. Впрочем, и это не рекорд – для желто-оранжевых светодиодов планка 100 лм/Вт уже взята.
Долгое время развитие светодиодов сдерживалось отсутствием приборов, излучающих в синем диапазоне. Эту проблему решил в 90-х годах прошлого века Ш. Накамура из компании Nichia Chemikal (а позднее и специалисты Hewlett Packart) с помощью гетероструктуры на основе нитрида индия – галия InGaN
В сине – зеленой области спектра удалось добиться внешнего квантового выхода до 20 % и вплотную приблизиться по эффективности к люминесцентным лампам (световая отдача 70…90 лм/Вт.)
Изобретение синих светодиодов замкнуло «RGB круг» и сделало возможным создание светодиодов белого света. На данный момент существуют три способа получения белого света с помощью светодиодов.
Первый из них – смешивание в определенной пропорции излучения красного, зеленого и синего светодиодов. При этом могут быть использованы как отдельные светодиоды разных цветов, так и трехкристальные светодиоды, объединяющие кристаллы красного, синего и зеленого свечения в одном корпусе.
На рис. 3.13 показана зависимость спектральной плотности излучения от длины волны, необходимая для получения белого света путем смешивания в определенной пропорции излучения красного, зеленого и синего светодиодов.
Рис. 3.13. Получение белого света
Основой более дешевого и распространенного светодиода белого света является полупроводниковый кристалл структуры InGaN, излучающий на длине волны 460…470нм (синий свет) и нанесенный сверху на поверхность кристалла люминофор на основе YAG (иттрий – гадолиниевых грантов), активизированный Ge3+, излучающий в широком диапазоне видимого спектра и имеющий максимум в его желтой части.
На рис. 3.14 проиллюстрировано получение белого света с помощью кристалла синего светодиода и нанесенного на него слоя желтого люминофора.
Рис. 3.14. Получение белого света с помощью кристалла синего светодиода
и нанесенного на него слоя желтого люминофора
Человеческий глаз комбинацию такого рода воспринимает как белый цвет.
Такие светодиоды намного дешевле трехкристальных, обладают хорошей цветопередачей, а по светоотдаче (до 30 лм/Вт) они уже обогнали лампы накаливания (15 лм/Вт).
Еще один метод получения белого света – возбуждение трехслойного люминофора светодиодом ультрафиолетового спектра (УФ-СИД).
На рис. 3.15 показано получение белого света с помощью светодиода и RGB-люминофора.
Рис. 3.15. Получение белого света с помощью светодиода и RGB-люминофора
Кристалл светодиода – практически точечный источник света, поэтому корпус может быть очень миниатюрным. Конструкция корпуса светодиода должна обеспечить минимальные потери излучения при выходе во внешнюю среду и фокусирование света в заданном телесном угле. Кроме того, должен быть обеспечен эффективный отвод тепла от кристалла. Самая распространенная конструкция светодиода – традиционный пятимиллиметровый корпус.
Световая отдача белого светодиода Luxeon III при номинальном прямом токе 0,7 А составляет 25 лм/Вт, световой поток при этом равен 65 лм.
Светоотдача Luxeon III уже превосходит светоотдачу классических и галогенных ламп накаливания, и в ближайшее время Lumileds Lighting планирует вплотную подойти к светоотдаче люминесцентных ламп 80…100 лм/Вт.
