- •А.Н. Игнатов
- •Новосибирск 2013
- •Предисловие
- •1.1 Введение в волоконную оптику
- •1.2 Особенности оптической электроники
- •1.3 История развития оптоэлектроники
- •1.4 Современное состояние оптоэлектронной элементной базы
- •1.5 Система обозначений оптоэлектронных приборов индикации
- •1.6 Система обозначений полупроводниковых приборов и оптронов
- •Тестовые вопросы к главе 1 «Введение в оптоэлектронику»
- •2 Физические основы оптоэлектроники
- •2.1 Различие между фотометрическими и энергетическими характеристиками
- •2.2 Фотометрические характеристики оптического излучения
- •2.2.1 Функция видности и ее зависимость от длины электромагнитной волны
- •2.2.2 Телесный угол, световой поток и механический эквивалент света
- •2.2.3 Сила света, IV
- •2.2.4 Освещенность поверхности, е
- •2.2.5 Закон освещенности
- •2.2.6 Светимость излучающей поверхности, м
- •2.2.7 Яркость светящейся поверхности, l
- •Величина
- •2.2.8 Закон Ламберта
- •2.2.9 Световая экспозиция, нv
- •2.5 Колориметрические параметры
- •2.6 Когерентность оптического излучения
- •2.6.1 Монохроматическая электромагнитная волна (мэв)
- •2.6.2 Особенности излучения электромагнитных волн в ультрафиолетовом (уф), видимом и инфракрасном (ик) диапазонах
- •2.7 Квантовые переходы и вероятности излучательных переходов
- •2.7.1 Энергетические уровни и квантовые переходы
- •2.7.2 Спонтанные переходы
- •2.7.3 Вынужденные переходы
- •2.7.4 Соотношения между коэффициентами Эйнштейна
- •2.7.5 Релаксационные переходы
- •2.8 Ширина спектральной линии
- •2.9 Использование вынужденных переходов для усиления электромагнитного поля
- •2.10 Механизм генерации излучения в полупроводниках
- •2.11 Прямозонные и непрямозонные полупроводники
- •2.12 Внешний квантовый выход и потери излучения
- •2.13 Излучатели на основе гетероструктур
- •2.14 Поглощение света в твердых телах
- •2.15 Типы переходов и характеристики излучающих полупроводниковых структур.
- •2.16 Параметры оптического излучения
- •Тестовые вопросы к главе 2 «Физические основы оптоэлектроники»
- •3 Приборы некогерентного излучения
- •3.1 Источники света
- •3.1.1 Разновидности источников
- •3.2 Основные характеристики и параметры светодиодов
- •3.2.1 Параметры светодиодов
- •3.2.2 Характеристики светодиодов
- •3.2.3 Определение и оценка параметров светодиодов
- •3.2.4 Схемы возбуждения, обеспечивающие высокую световую эффективность светодиодов
- •3.2.5 Влияние температуры
- •3.2.6 Срок службы
- •3.2.7 Ограничение тока
- •3.2.8 Достоинства твердотельных излучателей
- •3.3 Конструкции светодиодов
- •3.4 Основные схемы возбуждения светодиодов
- •3.5 Выбор типа светодиода
- •3.5.1 Основные соображения для выбора типа светодиода
- •3.5.2 Памятка разработчику
- •3.6 Электрическая модель светодиода
- •3.7 Светодиоды инфракрасного излучения
- •3.8 Светодиодные источники повышенной яркости и белого света
- •Тестовые вопросы к главе 3 «Источники некогерентного излучения»
- •4 Приборы когерентного излучения
- •4.1 Физические основы усиления и генерации лазерного излучения
- •4.2 Структурная схема лазера
- •4.3 Лазеры на основе кристаллических диэлектриков
- •4.4 Жидкостные лазеры
- •4.5 Газовые лазеры
- •4.6 Устройство и принцип действия полупроводникового инжекционного моно лазера
- •4.7 Устройство и принцип действия полупроводниковых лазеров с гетероструктурами
- •4.8 Волоконно-оптические усилители и лазеры
- •4.8.1 Волоконные усилители
- •4.8.2 Волоконные лазеры
- •4.8.3 Волоконные лазеры на основе вынужденного комбинационного рассеяния
- •4.9 Светоизлучающие диоды для волоконно-оптических систем
- •4.10 Сравнительная характеристика лазеров и светодиодов
- •4.10.1 Параметры отечественных полупроводниковых лазеров и оптических модулей
- •4.11. Квантовые эффекты в полупроводниках
- •4.12. Фотонные нанокристаллы.
- •4.13. Наноэлектронные лазеры
- •4.13.1. Наноэлектронные лазеры с горизонтальными резонаторами
- •4.13.2. Наноэлектронные лазеры с вертикальными резонаторами
- •4.14.1. Органические светодиоды
- •4.14.2. Пассивно-матричные oled
- •4.14.3. Активно-матричные oled
- •4.14.4. Технологии получения органических светодиодов
- •Тестовые вопросы к главе 4 «Приборы когерентного излучения»
- •5 Полупроводниковые фотоприемные приборы
- •5.1 Принцип работы фотоприемных приборов
- •5.2 Характеристики, параметры и модели фотоприемников
- •5.2.1 Параметры фотоприемников
- •5.2.2 Характеристики фотоприемников
- •5.2.3 Параметры фотоприемника как элемента оптопары
- •5.2.4 Электрические модели фотоприемников
- •5.3 Фотодиоды на основе p-n – перехода
- •5.4 Фотодиоды с p–I–n структурой
- •5.5 Фотодиоды Шоттки
- •5.6 Фотодиоды с гетероструктурой
- •5.7 Лавинные фотодиоды
- •5.8 Фототранзисторы
- •5.9 Фототиристоры
- •5.10 Фоторезисторы
- •5.11 Основные характеристики и параметры фоторезистора
- •5.12 Пзс приемные фотоприборы
- •5.13 Фотодиодные сбис на основе моп – транзисторов
- •5.14 Пиротехнические фотоприемники
- •5.15. Фотоприемные наноэлектронные приборы
- •5.15.1. Фотоприемники на квантовых ямах
- •5.15.2. Фотоприемники на основе квантовых точек
- •Тестовые вопросы к главе 5 «Полупроводниковые фотоприемные Приборы»
- •6 Оптроны
- •6.1 Устройство и принцип действия оптронов
- •6.2 Структурная схема оптрона
- •6.3 Классификация и параметры оптронов
- •6.4 Электрическая модель оптрона
- •6.5 Резисторные оптопары
- •6.6 Диодные оптопары
- •6.7 Транзисторные оптопары
- •6.8 Тиристорные оптопары
- •Тестовые вопросы к главе 6 «Оптроны»
- •7 Индикаторные приборы
- •7.1 Жидкокристаллические индикаторы
- •7.1.1 Основы теории
- •7.1.2 Ячейки на основе эффекта динамического рассеяния (др – ячейки)
- •7.1.3 Ячейки на основе твист-эффекта
- •7.1.4 Основные типы и параметры
- •7.1.5 Схемы включения жидкокристаллических индикаторов
- •7.1.6 Схемы управления многоразрядными индикаторами
- •7.2 Электролюминесцентные индикаторы
- •7.2.1 Устройство и принцип действия
- •7.2.2 Типы и параметры
- •7.2.3 Схемы включения электролюминесцентных индикаторов
- •7.3 Плазменные панели и устройства на их основе
- •7.4 Электрохромные индикаторы
- •7.5. Отображение информации индикаторными приборами
- •Тестовые вопросы к главе 7 «Индикаторные приборы»
- •8 Применение оптоэлектроннх приборов
- •8.1 Устройство и принцип действия оптоэлектронных генераторов
- •8.1.1 Блокинг - генератор
- •8.1.2 Генератор линейно изменяющегося напряжения
- •8.1.3 Генератор с мостом Вина
- •8.2 Применение оптоэлектронных приборов в аналоговых ключах и регуляторах
- •8.3 Применение оптронов для выполнения логических функций
- •8.4 Применение оптронов как аналогов электрорадиокомпонентов
- •8.5 Устройство и принцип действия оптоэлектронных усилителей
- •8.6 Устройство и принцип действия оптоэлектронных цифровых ключей
- •8.7 Применение оптоэлектронных приборов для измерения высоких напряжений и управления устройствами большой мощности
- •8.8 Устройство и принцип действия оптических устройств записи информации
- •8.9 Принцип лазерно-оптического считывания информации
- •8.10 Принципы цифровой оптической записи и воспроизведения информации с компакт дисков
- •8.10.1 Устройство компакт-диска
- •8.10.2 Запись на компакт диски
- •8.10.3 Отличия cd-r/cd-rw дисков от штампованных
- •8.10.4 Маркировка дисков
- •8.10.5 Надежность дисков cd-r/rw в сравнении со штампованными
- •8.10.6 Изготовление и тиражирование компакт-дисков
- •8.10.7 Воспроизведение компакт-диска
- •8.10.8 Устройство накопителей на cd-rom
- •8.10.9 Представление и параметры звукового сигнала на cd
- •8.10.10 Джиттер
- •8.11 Оптоэлектронные сенсорные системы взаимодействия человека с электронной техникой.
- •8.11 Лазерный микропроектор со спиральной разверткой для мобильных устройств
- •Тестовые вопросы к главе 8 «Применение оптоэлектронных приборов»
- •9. Волоконно-оптические системы связи
- •9.1. Общие сведения
- •9.2. Классификация волоконно-оптических систем распределения
- •9.3. Волоконно-оптические системы распределения
- •9.4. Оптические передатчики
- •9.5 Приемники волоконно-оптических систем связи
- •9.5.1 Приемные оптоэлектронные модули
- •9.6. Цифровые волоконно-оптические системы связи
- •9.7. Аналоговые волоконно-оптические системы связи
- •9.8 Умные соединители на основе смартлинков
- •9.8.1 Технические решения смартлинков
- •9.8.2 Самоформирующиеся компьютеры
- •9.8.3 Оптоволоконные нейроинтерфейсы
- •9.9 Волоконно оптические технологии для сетей доступа
- •9.9.1 Общие сведения
- •9.9.2 Тенденции мирового развития сетей доступа
- •9.9.3 Технологии оптических сетей доступа
- •9.9.4 Категории оптических сетей доступа
- •9.9.5 Волокно до бизнеса – FttBusiness
- •9.9.6 Волокно до дома – ftth
- •9.9.7 Волокно до многоквартирного дома – fттb
- •9.9.8 Волокно до сельского района
- •9.10 Медиоконверторы и их применение в оптических системах связи
- •9.10.1 Общие сведения
- •9.10.2. Основные технические требования, предъявляемые к оборудованию
- •9.10.3. Классификация медиаконвертеров по критерию управляемости
- •9.10.4. Конструктивное исполнение
- •9.10.5. Основные параметры медиаконвертеров
- •9.10.6. Система управления
- •9.10.7. Устройство и применение медиоконвертора rs-485
- •Тестовые вопросы к главе 9 «Волоконно-оптические системы связи»
- •Приложение п1
- •Приложение п2
- •Приложение п3
- •Приложение п4 Перечень принятых сокращений
- •Список цитированной литературы
9.9.3 Технологии оптических сетей доступа
Основными технологиями ОСД являются: Metro Ethernet, EFM P2P, EFM P2MP (GEPON), BPON, GPON и Metro CWDM (рис.9.22, табл.9.1).
Metro-ethernet
Коммутаторы Ethernet позволяют построить древовидную архитектуру с активными узлами – коммутаторами с иерархией по скоростям от центрального узла к абонентам
Таблица 9.1. Сравнительный анализ трех технологий PON
Характеристики |
APON/BPON |
EPON (GEPON) |
GPON |
Стандарт |
ITU-T G.983.x (1998-2003) |
IEEE 802.3ah (2004) |
ITU-T G.984.x(2003-04) |
Базовый протокол |
ATM |
Ethernet |
GFP |
Скорость передачи, прямой/обратный поток, Мбит/с
|
622/622; 622/155 155/155
|
1000/1000
|
2488/1244; 2488/622 1244/1244; 1244/622
|
Линейный код |
NRZ |
8B/10B |
NRZ |
Бюджет мощности на длине волны 1310 нм, дБ
|
5-20 (класс A) 10-25 (класс B) 15-30 (класс C)
|
5-19,5 (1000BASE-PX-10), 10-23,5 (1000BASE-PX-20)
|
5-20 (класс A) 10-25 (класс B) 15-30 (класс C)
|
Число абонентских узлов на волокно
|
до 32
|
до 32 (64)
|
до 32, 64 (128)
|
Типы приложений |
любые
|
IP, потоки данных |
любые |
Коррекция ошибок типа FEC
|
допускается
|
есть
|
есть
|
Длины волн прямого/обратного потоков, нм |
1590/1310, 1490/1310
|
1490/1310
|
1490/1310
|
Динамическое распределение полосы
|
есть
|
на верхних уровнях
|
есть
|
IP-фрагментация
|
есть
|
нет |
есть
|
Защита данных (шифрование) |
(с открытыми ключами)
|
есть
|
(с открытыми ключами)
|
Резервирование |
есть |
есть |
есть |
Поддержка голосовых приложений и QoS |
высокая |
средняя
|
высокая
|
1000/100 Мбит/с (1000Base-LX, 100Base-FX) и агрегированием трафика (с возможным резервированием – см. рис. 10.23а). В перспективе можно использовать стандарт 10Gigabit Ethernet (10GE), который сегодня вышел на уровень городских магистральных сетей. Такую архитектуру часто имеют ОСД типа “домовых” сетей, охватывающие до нескольких десятков домов.
EFMF P2P
Двунаправленная (дуплексная) передача Ethernet по одному волокну P2P ("точка-точка", рис. 10.23б), долгое время оставалась частным решением отдельных компаний, поставляющих на рынок медиаконвертеры Ethernet. В 2004 году она была окончательно оформлена как один из стандартов IEEE 802.3ah, а в 2005 году включена в общий стандарт 802.3. Двунаправленная передача по одному волокну осуществляется на разных длинах волн: 1490/1550 нм в одном направлении и 1310 нм в другом. При этом мультиплексоры WDM встроены в приемопередающие модули. Имеется два стандартных решения на скорости 100 и 1000 Мбит/с. Стандартизация ликвидировала монополию отдельных компаний и привела к значительному снижению стоимости оптических компонентов.
Рис 9.23 Основные технологии в оптических сетях доступа
Дуплексная передача по одному волокну вдвое сокращает число волокон и позволяет строить более экономичную кабельную систему. Типовым здесь является решение, когда в центральном узле устанавливается коммутатор с двумя up-link-портами GE и 24 оптическими портами FE для дуплексной передачи по одному волокну, а у абонента устанавливается медиаконвертер FE “оптика – витая пара”.
EFM P2MP (GEPON)
Другое стандартное решение в рамках IEEE 802.3ah – это Ethernet на PON первой мили (EFMP). Здесь мы имеем дело с древовидной архитектурой PON, когда центральное устройство по одному волокну взаимодействует с множеством абонентских устройств P2MP («точка-многоточка»), рис.9.23в. Данный стандарт получил название GEPON (гигабитный Ethernet PON, или EPON). Оптические интерфейсы для GEPON аналогичны тем, что используются в оптических сетях. Как и в стандарте GE, линейная скорость в стандарте GEPON составляет 1250 Мбит/с, учитывая схему кодирования 8B/10B. GEPON определяется как одноволоконная сеть, использующая мультиплексирование WDM на длинах волн 1490 нм (прямой поток) и 1310 нм (обратный поток). Окно 1550 нм резервируется для добавления услуги аналогового телевидения. Физический уровень GEPON PMD (Physical Medium Dependent) предусматривает два класса интерфейсов: класс 1 для расстояний до 10 км (коэффициент деления потока 1:16) и класс 2 для расстояний до 20 км (коэффициент деления 1:16). Это позволяет оптимально по стоимости строить сети PON с широким выбором расстояний и коэффициентов деления.
BPon
В силу достоинств PON с средины 90-x годов начинают разрабатываться стандарты, основанные на использовании этой технологии совместно с другими технологиями, в частности с доминирующей в то время технологией ATM. (Этим занимается, например, Группа FSAN — группа операторов сети доступа с полным набором услуг, 1997.) Так появляется (1998) серия стандартов PON G.983.x. на основе протокола ATM. Сначала это APON (ATM PON) со скоростью 155 Мбит/c для прямого и обратного потоков, которая позже увеличивается до 622 Мбит/c. Затем появляется термин "широкополосный PON (BPON)", отражающий факт предоставления ШП-услуг, включая Ethernet, видео, услуги и др. BPON регламентирует введение дополнительных длин волн в рамках одного дерева PON, а также методы и топологии резервирования дерева PON для повышения надежности.
Использование протокола ATM в стандарте BPON гарантирует качество услуг связи QoS для абонентов, обеспечивая надежную передачу TDM-трафика, в частности каналов E1.
GPon
В 2001 году Группа FSAN инициирует стандартизацию новой архитектуры PON, работающей на скоростях, превышающих 1 Гбит/с. Стандарт BPON пересматривается для оптимизации гигабитных скоростей и увеличения эффективности поддержки мультисервисных приложений, системы управления и масштабируемости. Этот новый стандарт получил название гигабитный PON (GPON).
Metro CWDM
Решения на основе разреженных систем WDM (CWDM) позволяют внутри одноволоконного дерева организовать множество соединений «точка-точка». В центральном узле устанавливается мультиплексор, объединяющий все длины волн, а в промежуточных точках устанавливаются оптические мультиплексоры ввода-вывода (OADM) с малым числом длин волн (обычно одна), рис. 9.23г. Допускается кольцевая топология, обеспечивающая резервирование. В рамках CWDM можно использовать 18 длин волн (1270–1610 нм, с шагом 20 нм, ITU-T G.694.2).
