- •Государственное высшее учебное заведение
- •Донецкий национальный технический университет
- •Методические указания
- •К курсовому проекту по дисциплине
- •Электроника и миропроцессоры ____________________________________________________
- •1. Техническое задание на курсовой проект.
- •2. Синтез схемы усилителя.
- •3. Расчет усилителя мощности в режиме класса а.
- •4. Расчет по переменному току
- •5. Анализ частотных свойств
- •6. Расчет нелинейных искажений класс а
- •7. Расчет двухтактного усилителя мощности
- •8. Расчет предварительного усилителя
- •9. Расчет резистивного усилителя.
- •10. Расчет по постоянному току
- •11. Расчет трансформаторного предварительного усилителя
- •Выбор типа транзистора
- •Область верхних частот
- •12. Расчет источника питания
- •13. Расчет фильтра
- •Литература.
8. Расчет предварительного усилителя
После расчета усилителя мощности необходимо в зависимости от схемы усилителя рассчитать предварительный усилитель. Для однотактного усилителя класса А, это обычно резистивный усилитель, а для класса АВ или В – трансформаторный или усилитель с раздельной нагрузкой.
Исходными данными для расчета
предварительного усилителя является
сопротивление, определенные Re
и Ec,
принятые для расчета нелинейных
искажений, а также динамическое входное
сопротивление усилителя мощности.
Сопротивление Re
является выходным сопротивлением
эквивалентной схемы (рис. 15) и его
можно ориентировочно определить как
параллельно включенные
по отношению к
входу усилителя мощности:
.
9. Расчет резистивного усилителя.
Данные для расчета:
– выходное напряжение Uвых……………………….…...…__ мВ,
– диапазон частот fн ; fв………………………….…__, __Гц,
– коэффициенты частотных искажений Мн , Мв ...... ...__,
– сопротивление нагрузки Rн ............................... ... ...__ Ом,
– коэффициент температурной нестабильности S ......... .._%_.
Данные для расчета получают после расчета усилителя мощности. Входное напряжение и входное сопротивление усилителя определяются, исходя из нужного напряжения и входного сопротивления, чтобы обеспечить нужную мощность. Выбирают тип транзистора по частотным возможностям, напряжению и схему включения. Выберем схему с общим эмиттером. Нужная частота транзистора должна быть на порядок больше от верхней частоты усилителя. Нужная частота транзистора для схемы с общим эмиттером.
Рис.16. Принципиальная схема усилителя
10. Расчет по постоянному току
Выбираем сопротивление в цепи коллектора:
Rк
(5÷10)
Rн ,
Rн – входное сопротивление усилителя мощности.
На выходных ВАХ проводим линию нагрузки, выбираем
Ек=0,9·Uкмак.
Падение напряжения на Rф принимают Uф=0,1·Ек
U04 =Ек–0,1Ек, Rк+Rе = 0,9·Ек/Ікз, Re = 0,1·Rk
определяют и принимают стандартными.
Рис.17. Вольтамперные характеристики транзистора
Рабочая точка транзистора: Uо, Uбо, Iко, Ібо.
Определяют элементы температурной стабилизации:
R1=Uбе + Іе Re , R1=U02/Iд .
Ток делителя выбирают Iд =10·IбА
R2=U24/(Iд+Iба)=(Ek–U04)/(Iд+Iба) Rф=(Ek–U04)/(Iд+Iба+Iка),
Выбирают величины сопротивлений резисторов по ГОСТ и рассчитывают коэффициент температурной нестабильности:
D=Rс /R1 +Rэ /R2 + Rф /R2 + (Rс· Rk /R1·R2),
S=(1+D)/(1–α + D),
α= h21/(1+h21).
Если S удовлетворяет, то переходят к расчету по переменному току, для этого определяют h - параметры и составляют эквивалентную схему.
Рис.18. Эквивалентная схема усилителя
Для области средних частот нагрузка для переменных составляющих определяется сопротивлением R=Rк||1/h22
тогда схему можно описать системой
уравнений.
Подставим в первое уравнение второе
Входное сопротивление транзистора
входное сопротивление усилителя
Определяем коэффициент усиления по напряжению в области средних частот
Рис.19. Эквивалентная схема усилителя
Коэффициент усиления при холостом ходе
При Rн= ∞ получим
Коэффициент усиления по току
,
.
Рис.20. Эквивалентная схема усилителя
Определяем выходное сопротивление усилителя по отношению к нагрузке
,
,
Рассчитывают Се і Сф : 1/ωСф=0,1Rф , 1/ωСе= 0,1Rф
По заданным значениям
Мн. и fн
Определяют величину Ср
:
Выбирают стандартный конденсатор.
По заданному Мв
и частоте fв
решают относительно Св
и проверяют пригодность транзистора:
,
где Ск – ёмкость транзистора, Сн – ёмкость нагрузки, См – ёмкость монтажа:
Св = Ск + Сн + См .
