Раздел 1.2. Расчет вах в рамках идеализированной модели

В этом приближении действие подложки не учитывается, а толщина ОПЗ под затвором считается постоянной и равной . ВАХ:

(1.12)

где ;

(1.13)

Для значения :

Для значения :

Для значения :

Для значения :

Для значения :

	Расчёт ВАХ в рамках идеализированной модели

Раздел 1.2.1. Расчет вах с учетом неоднородности опз под затвором

Для случая неоднородности ОПЗ под затвором ВАХ будет выглядеть, и рассчитываться несколько иначе.

1. Крутая область вах

Для крутой области ВАХ:

, где	(1.14)
	(1.15)

• коэффициент влияния подложки.

Расчет проведем для .

При напряжение насыщения определяется соотношением:

(1.16)

(1.17)

2. Пологая область вах

Приближенно для заданного можно считать, что ВАХ имеет вид прямой, проходящей через точку . Вычислим при В. Эффективная длина канала:

(1.18)

где E_S = 15 кВ/см — поле насыщения скорости электронов,

(1.19)

толщина ОПЗ под стоком на границе с пологой областью,

(1.20)

контактная разность потенциалов сток-подложка.

Из (1.18) и (1.19):

Ток стока при В:

ВЫВОДЫ: Для построения реальной ВАХ с учетом неоднородности ОПЗ под затвором необходимо провести прямую через 2 точки:

.

Раздел 1.3. Факультативное задание: расчет и корректировка порогового напряжения с учетом эффектов короткого и узкого канала

С учетом эффекта короткого канала изменение порогового напряжения рассчитывается по формуле (1.21):

	(1.21)
	(1.22)

	(1.23)
	(1.24)

– толщина ОПЗ под затвором, истоком и стоком, – толщина -областей,

(1.25)

– контактная разность потенциалов -область – -подложка.

Считаем случай, когда В, В:

С учетом эффекта узкого канала изменение порогового напряжения рассчитывается по формуле (1.26):

(1.26)