- •(Вопросы, требующие подробного раскрытия):
- •1)Введение. Физико-химические основы термической диффузии:
- •2) Физико-химические основы термической диффузии :
- •3) Технологическое оборудование для осуществления процесса диффузии .
- •4) Физико-химические основы ионной ионной имплантации ( до теоретического описания):
- •5) Физико-химические основы ионной ионной имплантации ( Теоретическое описание):
- •6) Физико-химические основы эпитаксия в технологии микро- и наноэлектроники(теоретические сведения):
- •7) Оборудование и технология проведения эпитаксии:
- •6)Нарисовать прохождение каналированного и неканолированного ионного пучка в кристалле полупроводникаи профиль распределения примеси:
- •7)Нарисовать уствновку для эпитаксии кремния:
- •(Дополнительные вопросы, требующие краткого ответа):
3) Технологическое оборудование для осуществления процесса диффузии .
При проведении
технологической операции термической
диффузии обычно используются не чистые
химические элементы а их химические
соединения, которые обладают большей
технологичностью. Такие химические
соединения получили название диффузанты.
В зависимости от состояния диффузанта
при комнатной температуре t
20
различают:
1)газообразные диффузанты;
2)жидкие диффузанты;
3)твёрдые диффузанты.
Наиболее технологичными обычно являются газообразные и жидкие диффузанты. В установку,где проводится термическая диффузия деффузант обычно поступает в газообразном или парообразном состоянии. Типовым технологическим оборудованием для проведения диффузии примеси обычно являются диффузионные печи. Упрощённая структурная схема горизонтальной диффузионной печи имеет следующий вид:
Описание:
1-кварцевая труба;
2-нагреватель;
3-негерметичная металлическая заслонка;
4-кассета для закрепления полупроводниковых пластин, получившая название лодочка;
5-экраны(нерабочие полупроводниковые пластины);
6-рабочие полупроводниковые пластины;
7-устройство автоматической загрузки и разгрузки полупроводниковых пластин;
8-вытяжка;
9-барбатёр(устройство для перевода жидкого диффузанта в газообразное состояние);
10-нагревательный барбатёр(термостат);
11-ротаметр(устройство, регулирующее расход газа);
12-винтиль(я), регулирующие расход газа.
Принцип работы :
Кварцевая труба обычно
имеет длину от 4 до 5 м. ; рабочая зона
составляет около 2метров. Диаметр
кварцевой трубы должен быть в 1,5-2 раза
больше диаметра обрабатываемых
полупроводниковых пластин. Диффузионная
печь позволяет нагревать кварцевую
трубу до температуры от 850 до 1200
, и поддерживать точность температуры
±0,5
Работа
данной установки обычно производится
в автоматическом режиме по специальной
программе, которая задаётся через
компьютер . В автоматическом режиме
осуществляется разгрузка и выгрузка
полупроводниковых пластин, поддержание
заданной температуры, а также подача и
выключение газовых потоков. Использование
кислорода позволяет сформировать на
поверхности полупроводниковых пластин
тонкую окисную плёнку, которая
предотвращает не желательные химические
реакции эрозию на поверхности пластины,
а также делает технологический процесс
более стабильным.
Рассмотрим простейший цикл работы установки:
1)Загрузка лодочки с полупроводниковыми пластинами в кварцевую трубу, нагретую до рабочей температуры термической диффузии. Загрузка обычно проводится в среде азота и кислорода.
2)Выдерживаем лодочку с полупроводниковыми пластинами в рабочей зоне диффузионного канала для выравнивания температурных полей.
3)Подача в диффузионный канал требуемой плотности пара диффузанта. Требуемая плотность пара задаётся температурой барбатёра и расходом газа проходящего (продуваемого) через него.
4)После формирования заданного профиля распределения примеси производится отключение подачи в канал пара диффузанта и осуществляется выгрузка лодочки с полупроводниковыми пластинами из кварцевой трубы(кварцеваго канала).
