2 Расчет концентрации не основных носителей

Исходные данные:

• W_е = 3,0 мм – ширина эмиттерной области;

• W_б = 4,9 мкм – ширина базовой области;

• W_к = 5,1 мм – ширина коллекторной области;

• Х = 10 мм

2.1 В эмиттерной области:

где U_Э = 0,005B

Рисунок 2.1 – График распределения концентрации от координат в эмиттерной области

2.2 В базовой области:

U_Э = 0.005 В; U_К = 1.4 В.

Рисунок 2.2 – График распределения концентрации в базовой области

В эмиттерной области:

U_К = 1.4 В

Рисунок 2.3 – График концентрации в коллекторной области

3 Расчет эффективности эмиттера

U_Э = 0,2 В; U_К = 0,1 В

4 Коэффициент переноса тока через базу

5 Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОБ

где М – коэффициент умножения тока коллектора

6 Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ

7 Расчет барьерной емкости коллекторного перехода

где U₀ – пороговое напряжение перехода

8 Расчет h – параметров

Для вычисления h – параметров используем характеристики транзистора полученные с использованием модели Молла – Эберса.

Рисунок 8.1 – Выходные характеристики транзистора

U_КЭ =E_K – I_KR_H,

E_K = I_KR_H + U_КЭ,

Е_К = 0,057*10+(-5)=4,43

Рисунок 8.2 – Входные характеристики транзистора

Воспользуемся формулами связи между параметрами транзистора при различных включениях.

9 Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода

10 Расчет дифферинцеальной емкости эмиттерного перехода

11 Расчет эффекта Эрли

При U_Э = const, концентрация носителей в базовой области становится функцией коллекторного напряжения:

UK

0 0.2 0.4 0.8 1.2 1.4

Рисунок 11.1 – Зависимости концентраций в базовой области:

1 – в зависимости от ширины базы, 2 – как функция от приложенного U_K

12 Расчет и построение фчх и ачх

12.1 ФЧХ

 изменяем 0 – 1000 Гц

	0
0.1 10 100 200 500 1000	-0.42 -5.465 -21.465 -62.34 -80 -85.2

Рисунок 12.1 – ФЧХ

12.2 АЧХ

При использовании тех же частот

Рисунок 12.1 - АЧХ